【技术实现步骤摘要】
芯片封装结构及方法
本专利技术涉及一种半导体芯片封装,尤其涉及一种芯片封装结构及方法。
技术介绍
当前LED芯片的封装形式通常以单颗形式进行,即将切割后的LED芯片逐颗贴装到基板(如金属支架,引线框、陶瓷基板、金属基板)上,然后逐颗进行金属引线互连、逐颗点胶;由于几乎所有工序都是以单颗进行,生产效率比较低,生产成本高,这些严重制约了LED的应用。且这种单颗形式封装形成的封装成品侧面漏光,造成不同程度的光量浪费。LED芯片封装结构的机械强度及功能应用还有待进一步改善。
技术实现思路
为了解决上述技术问题,本专利技术提出了一种芯片封装结构及方法,提高了光效及生产效率,且增强了封装结构的机械强度。本专利技术的技术方案是这样实现的:一种芯片封装方法,包括以下步骤:A.提供一第一基板,所述第一基板具有对应若干待封装芯片的若干第一基板单元,所述第一基板单元具有第一表面和相对的第二表面,在所述第一基板单元的第二表面上用于背面互连的预设金属走线的位置制作填充槽,并使用绝缘材料填满所述填充槽;B.提供一第二基板,所述第二基板具有对应若干所述第一基板单元的若干第二基板单元,所述第二基板单元具有第一表面和相对的第二表面,在所述第二基板单元的第一表面形成第一钝化层,并在所述第一钝化层上制作第一金属层,所述第一金属层包括对应待封装芯片的若干电极的若干电性隔离的金属块;C.黏合所述第一基板的第二表面与所述第二基板的第一表面,使所述第一基板单元和对应的第二基板单元正对并结合在一起,并使所述填充槽与所述金属块用于背面互连的金属走线的部分相对接。D.在所述第一基板单元的第一表面制作容纳槽,所述 ...
【技术保护点】
一种芯片封装方法,其特征在于,包括以下步骤:A.提供一第一基板,所述第一基板具有对应若干待封装芯片的若干第一基板单元(1),所述第一基板单元具有第一表面(101)和相对的第二表面(102),在所述第一基板单元的第二表面(102)上用于背面互连的预设金属走线的位置制作填充槽(3),并使用绝缘材料(4)填满所述填充槽;B.提供一第二基板,所述第二基板具有对应若干所述第一基板单元的若干第二基板单元(2),所述第二基板单元具有第一表面(201)和相对的第二表面(202),在所述第二基板单元的第一表面(201)形成第一钝化层(5),并在所述第一钝化层上制作第一金属层(6),所述第一金属层包括对应待封装芯片的若干电极的若干电性隔离的金属块;C.黏合所述第一基板的第二表面(102)与所述第二基板的第一表面(201),使所述第一基板单元和对应的第二基板单元正对并结合在一起,并使所述填充槽与所述金属块用于背面互连的金属走线的部分相对接。D.在所述第一基板单元的第一表面制作容纳槽(8),所述容纳槽底部暴露出所述金属块;E.将待封装芯片倒装容置于所述容纳槽内,并使其电极与对应的金属块电性连接;F.在所述第二 ...
【技术特征摘要】
1.一种芯片封装方法,其特征在于,包括以下步骤:A.提供一第一基板,所述第一基板具有对应若干待封装芯片的若干第一基板单元(1),所述第一基板单元具有第一表面(101)和相对的第二表面(102),在所述第一基板单元的第二表面(102)上用于背面互连的预设金属走线的位置制作填充槽(3),并使用绝缘材料(4)填满所述填充槽;B.提供一第二基板,所述第二基板具有对应若干所述第一基板单元的若干第二基板单元(2),所述第二基板单元具有第一表面(201)和相对的第二表面(202),在所述第二基板单元的第一表面(201)形成第一钝化层(5),并在所述第一钝化层上制作第一金属层(6),所述第一金属层包括对应待封装芯片的若干电极的若干电性隔离的金属块;C.黏合所述第一基板的第二表面(102)与所述第二基板的第一表面(201),使所述第一基板单元和对应的第二基板单元正对并结合在一起,并使所述填充槽与所述金属块用于背面互连的金属走线的部分相对接;D.在所述第一基板单元的第一表面制作容纳槽(8),所述容纳槽底部暴露出所述金属块;E.将待封装芯片倒装容置于所述容纳槽内,并使其电极与对应的金属块电性连接;F.在所述第二基板单元第二表面预设金属走线的位置制作走线开口(10),该走线开口的侧壁暴露所述第一金属层,且该走线开口的底部延伸至所述填充槽内的绝缘材料中;G.在所述走线开口的侧壁铺设一层第二金属层(12),所述第二金属层连接第一金属层,并引至所述第二基板单元的第二表面,在所述第二金属层上铺设保护层(13),并在所述保护层上预设焊料凸点的位置暴露出第二金属层,形成焊料凸点(14);H.切割形成单颗封装芯片。2.根据权利要求1所述芯片封装方法,其特征在于,所述填充槽之间呈相互平行或垂直交错状,形成方法为切割或刻蚀。3.根据权利要求1所述芯片封装方法,其特征在于,在所述第一基板上制作容纳槽前,还包括对第一基板进行减薄的步骤;和/或者在所述第二基板上制作走线开口前,还包括对第二基板进行减薄的步骤。4.根据权利要求1所述芯片封装方法,其特征在于,将步骤E与步骤D之后至步骤H之前的任一步骤进行置换。5.根据权利要求1所述芯片封装方法,其特征在于,所述走线开口的制作步骤为:步骤1.通过刻蚀或者切割的方式,在所述第二基板单元的第二表面用于背面互连的预设金属走线的位...
【专利技术属性】
技术研发人员:肖智轶,沈建树,翟玲玲,
申请(专利权)人:华天科技昆山电子有限公司,
类型:发明
国别省市:江苏;32
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