一种LED晶片粘合方法技术

本发明专利技术公开了一种LED晶片的粘合方法，包括：制备粘合剂，将粘合剂涂覆到LED晶片或/和衬底基片上，将所述LED晶片和所述衬底基片粘合，对所述LED晶片和所述衬底基片之间的粘合剂进行粘合度增强处理。本发明专利技术提供的技术方案，能够将多片LED晶片通过粘合方式固定到衬底基片上，提高了LED芯片制造过程中的LED晶片生产流通效率，降低了芯片的生产成本。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及LED芯片生产领域，尤其涉及一种LED晶片粘合方法及LED芯片制造方法。
技术介绍
LED (Light Emitting D1de,发光二极管)芯片是一种固态的半导体器件,它可以直接把电转化为光。现有LED芯片制造过程中，是将LED晶片按照单片的方式在LED芯片生产线上生产，在后期的光刻作业，每次只能对一片LED晶片光刻，LED晶片尺寸小，使得光刻成本高、作业周期长，流通效率低。目前一种解决方案是可以将多片LED晶片固定到一片衬底基片上，然后在衬底基片生产线上实现LED晶片流通，但现有技术中没有提供如何将LED晶片固定到衬底基片上的技术方案。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是提供一种LED晶片的粘合方法，以方便地将LED晶片固定到衬底基片上并在相应衬底基片生产线上生产LED芯片。为解决上述技术问题，本专利技术采用以下技术方案:一种LED晶片粘合方法，包括:制备粘合剂；将粘合剂涂覆到LED晶片或/和衬底基片上；将所述LED晶片和所述衬底基片粘合；对所述LED晶片和所述衬底基片之间的粘合剂进行粘合度增强处理。进一步的，所述粘合剂为玻璃粉溶胶制成。 进一步的，所述玻璃粉溶胶为玻璃粉溶解在有机溶剂内。进一步的，所述有机溶剂为乙二醇甲醚。进一步的，所述的粘合剂粘合度增强处理工艺为经低温烘干后进行烧结，以将所述LED晶片和衬底基片烧结为一体。进一步的，所述烧结为在温度350°C -800°C条件下使玻璃粉软化。进一步的，所述的粘合剂粘合度增强处理工艺在纯气体气氛中进行。进一步的，纯气体气氛为氧气或者氮气。进一步的，将至少两片所述LED晶片粘合到一片所述衬底基片上。进一步的,所述衬底基片为??圭衬底基片、监宝石衬底基片或碳化5圭衬底基片。本专利技术提供一种LED晶片粘合的方法，通过将粘合剂涂覆到LED晶片或/和衬底基片上，并进行粘合，最后进行粘合强度增强处理，能够实现将LED晶片固定到衬底基片上，并在衬底基片生产线上进行芯片加工处理，从而能够利用闲置的衬底基片(包括硅衬底基片、蓝宝石衬底基片或碳化硅衬底基片)生产线进行LED芯片制造。另外，本专利技术提供的技术方案中，可以将至少两片LED晶片粘合到一片衬底基片上，在后期光刻作业时，可以实现对多片LED晶片同时进行光刻，节约光刻成本。本专利技术提供的技术方案，能够将多片LED晶片通过粘合方式固定到一片衬底基片上，在提高LED芯片制造过程中的LED晶片流通效率的同时，还降低了生产成本。【附图说明】图1是本专利技术实施例提供的LED晶片粘合方法的流程示意图。【具体实施方式】下面通过【具体实施方式】来进一步说明本专利技术的技术方案。图1是本专利技术实施例提供的LED晶片粘合方法的流程示意图，如图1所示，包括如下步骤:步骤S1:制备粘合剂；本专利技术实施例中，其中粘合剂可以有多种选择，可选的，上述粘合剂由玻璃粉制成，将玻璃粉溶解到有机溶剂中，混合制备成玻璃粉悬浮溶胶作为粘合剂。本步骤中，有机溶剂优选的为乙二醇甲醚，玻璃粉和乙二醇甲醚为任意比例混合，优选的，玻璃粉和乙二醇甲醚按照3:1的比例混合。上述玻璃粉为无定型硬质颗粒，生产中使用原料为PbO、Si02、Ti02等电子级原料混勻后，再闻温进彳丁固相反应，形成无序结构的玻璃均质体，化学性质稳定。步骤S2:将粘合剂涂覆到LED晶片或/和衬底基片上。在涂覆过程中，应确保粘合剂均匀的涂在LED晶片或/和衬底基片的接触面上。本步骤中的粘合剂可以是仅涂覆在LED晶片的接触面上，或者是仅涂覆在衬底基片的接触面上，或者同时涂覆在LED晶片和衬底基片的接触面上。涂覆工艺可以是人工涂覆，也可以是用仪器进行旋涂。本实施例中的衬底基片可以为LED芯片常用的衬底材料如硅衬底基片、蓝宝石衬底基片、碳化硅衬底基片等。步骤S3:将LED晶片和衬底基片粘合。其中，可以将至少两片LED晶片同时粘合到一片衬底基片上。本步骤中,在进彳丁多片LED晶片粘合时，可以将多片LED晶片同时粘合在衬底基片的同一平面上，然后将粘合在一起的LED晶片和衬底基片压平、压紧。上述衬底基片的尺寸要比LED晶片的尺度大，衬底基片的尺寸通常为4-7英寸，LED晶片的尺寸通常为1_3英寸。步骤S4:对LED晶片和衬底基片之间的粘合剂进行粘合度增强处理。具体的，对粘合剂进行粘合度增强处理的工艺可以为烧结工艺，将粘合在一起的衬底基片和LED晶片经过低温烘干后放入高温纯气体气氛的炉管内进行烧结，高温烧结使玻璃粉软化，从而将LED晶片与衬底基片烧结为一体。本步骤中，优选地，可以将上述低温烘干过程中的温度设置为80°C -130°C，低温主要起干燥作用。另外，可以将高温温度设置在350°C -800°C，具体的高温温度与LED晶片和衬底基片之间所需要的粘合强度及玻璃粉的种类有关，在上述高温温度范围内可以使玻璃粉软化，有机溶剂挥发。另外，本步骤中，纯气体气氛中烧结可以保护LED晶片的质量，例如纯气体中不含水蒸汽，在烧结过程中可以有效防止水蒸气腐蚀LED晶片，上述纯气体气氛可以是纯氧气或者纯氮气气氛等，本专利技术优选的为纯氧气气氛。本专利技术采用上述操作步骤将多片LED晶片粘合固定到衬底基片上，并在衬底基片生产线上进行LED芯片加工处理，实现了小尺寸的LED晶片在成熟的大尺寸衬底基片生产线上流通生产，提高了 LED晶片的流通效率。另外，本专利技术采用玻璃粉作为粘合剂，其粘合强度能够满足工艺制备所需求的强度。上述仅为本专利技术的较佳实施例及所运用技术原理。本领域技术人员会理解，本专利技术不限于这里所述的特定实施例，对本领域技术人员来说能够进行各种明显的变化、重新调整和替代而不会脱离本专利技术的保护范围。因此，虽然通过以上实施例对本专利技术进行了较为详细的说明，但是本专利技术不仅仅限于以上实施例，在不脱离本专利技术构思的情况下，还可以包括更多其他等效实施例，而本专利技术的范围由所附的权利要求范围决定。【主权项】1.一种LED晶片粘合方法，用于将至少两片LED晶片粘合在一片衬底基片上，其特征在于，包括: 制备粘合剂； 将所述粘合剂涂覆到LED晶片或/和衬底基片上； 将所述LED晶片和所述衬底基片粘合； 对所述LED晶片和所述衬底基片之间的粘合剂进行粘合度增强处理。2.根据权利要求1所述的LED晶片粘合方法，其特征在于，所述粘合剂为玻璃粉溶胶。3.根据权利要求2所述的LED晶片粘合方法，其特征在于，所述玻璃粉溶胶为玻璃粉溶解在的有机溶剂内。4.根据权利要求3所述的LED晶片粘合方法，其特征在于，所述有机溶剂为乙二醇甲醚。5.根据权利要求1所述的LED晶片粘合方法，其特征在于，所述的粘合剂粘合度增强处理工艺为经低温烘干后进行烧结，以将所述LED晶片和衬底基片烧结为一体。6.根据权利要求5所述的LED晶片粘合的方法，其特征在于，所述烧结为在温度350°C -800°C条件下使玻璃粉软化。7.根据权利要求1所述的LED晶片粘合方法，其特征在于，所述的粘合剂粘合度增强处理工艺在纯气体气氛中进行。8.根据权利要求7所述的LED晶片粘合方法，其特征在于，纯气体气氛为氧气或者氮气。9.根据权利要求1-8任一所述的LED晶片粘合方法，其特征在于，将至少两片所述LED晶片粘合到一片所述衬底基片上。10.根据权利要求1-8任一所述的LED晶片粘合方法，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种LED晶片粘合方法，用于将至少两片LED晶片粘合在一片衬底基片上，其特征在于，包括：制备粘合剂；将所述粘合剂涂覆到LED晶片或/和衬底基片上；将所述LED晶片和所述衬底基片粘合；对所述LED晶片和所述衬底基片之间的粘合剂进行粘合度增强处理。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：姚锡冬，宋矿宝，张洪林，
申请(专利权)人：无锡华润华晶微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32