用于半导体封装物的热固性树脂组合物以及使用其的半固化片和覆金属层压板制造技术

技术编号:13017613 阅读:55 留言:0更新日期:2016-03-16 17:59
本发明专利技术涉及一种用于半导体封装物的热固性树脂组合物、使用所述热固性树脂组合物的半固化片和覆金属层压板。更具体而言,本发明专利技术提供一种用于半导体封装物的热固性树脂组合物、使用所述热固性树脂组合物的半固化片和覆金属层压板,所述组合物通过使用用于环氧树脂基热固性树脂组合物的氰酸酯树脂和苯并噁嗪而具有高的耐热性和可靠性,从而改善去污特性,并且特别地通过使用浆型填料而改善耐化学性。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于半导体封装物的热固性树脂组合物以及使用其的半固化片和覆金属层压板
本专利技术涉及一种能够改善用于半导体封装物的印刷电路板(PCB)的去污性能的热固性树脂组合物,以及使用其的半固化片和覆金属层压板。
技术介绍
用于相关技术的印刷电路板的覆铜层压板通过以下步骤制备:用热固性树脂清漆浸渍玻璃织物基材,半固化该基材以形成半固化片,然后对半固化片和铜箔一起施压和加热。半固化片再次用于将电路图案配置并构建于该覆铜层压板上。然而,在印刷电路板的制造过程中,为了电信号而进行钻孔工作,但在钻孔工作期间,树脂因加热而被熔化,从而产生污渍(smear),其为覆盖内层和孔洞的废料。该污渍会引起如吸水、电连接失败等问题。因此,进行使用强碱性水溶液、等离子体等去除熔化至底部的树脂的过程。该过程被称为去污过程。然而,因为现有的树脂组合物由具有弱耐化学性的环氧树脂等组成,所以现有的树脂组合物可能在对抗去污过程方面的能力差。此外,随着电子器件的轻薄化,半导体封装物也已薄型化及高度致密化。然而,随着半导体封装物的薄型化及高度致密化,会发生封装物翘曲的翘曲现象。为了使该翘曲现象减到最少,用于封装物的覆铜层压板应具有低的热膨胀系数(CTE)。为此,存在使用大量的具有低CTE的无机填料以使覆铜层压板具有低CTE的方法。然而,无机填料的量越大,钻孔加工性越差,使得去污过程变得重要。因此,应开发一种热固性树脂组合物,其能够具有低的CTE性质并促进去污过程从而改善印刷电路板的制造过程的可操作性。
技术实现思路
技术问题本专利技术致力于提供一种具有优异的钻孔加工性的用于半导体封装物的热固性树脂组合物,以便改善印刷电路板的制造过程中的不良的去污特性的问题。此外,本专利技术致力于提供一种使用具有高耐热性和高可靠性的热固性树脂组合物的半固化片,以及包括该半固化片的覆金属层压板。技术方案本专利技术的示例性实施方案提供一种用于半导体封装物的热固性树脂组合物,其包含:树脂组合物,其包含含有环氧树脂和双马来酰亚胺基树脂的粘合剂及苯并噁嗪树脂;以及浆型填料,其中苯并噁嗪树脂的含量为10重量%以下,基于全部树脂组合物的总重量计。浆型填料的含量可为160至350重量份,基于100重量份的树脂组合物计。此外,苯并噁嗪树脂的含量可为2至10重量%,基于全部树脂组合物的总重量计。所述粘合剂可包含20至80重量%的环氧树脂和20至80重量%的双马来酰亚胺基树脂。所述粘合剂还可包含氰酸酯基酯树脂。在这种情况下,所述粘合剂可包含20至60重量%的环氧树脂、30至70重量%的氰酸酯基酯树脂以及20至70重量%的双马来酰亚胺基树脂。对于浆型填料,优选使用包含至少一种无机填料的浆料,所述无机填料选自二氧化硅、三水合铝、氢氧化镁、氧化钼、钼酸锌、硼酸锌、锡酸锌、氧化铝、粘土、高岭土、滑石、煅烧高岭土、煅烧滑石、云母、玻璃短纤维、玻璃细粉和中空玻璃。环氧树脂可为选自双酚A型环氧树脂、双酚F型环氧树脂、双酚S型环氧树脂、酚醛型环氧树脂、苯酚酚醛环氧树脂、甲酚酚醛型环氧树脂、四苯基乙烷型环氧树脂、萘型环氧树脂、联苯型环氧树脂以及二环戊二烯基型环氧树脂中的至少一种。双马来酰亚胺基树脂可为选自双马来酰亚胺-三嗪(BT)树脂、4,4’-双马来酰亚胺基-二苯基甲烷、1,4-双马来酰亚胺基-2-甲基苯或其混合物;包含狄尔斯-阿尔德(Diels-Alder)共聚单体的改性的双马来酰亚胺树脂;4,4’-双马来酰亚胺基-二苯基甲烷和烯丙基苯基化合物;以及使用芳族胺作为基质的部分改进的双马来酰亚胺中的至少一种。此外,狄尔斯-阿尔德共聚单体可选自苯乙烯及苯乙烯衍生物、双(丙烯基苯氧基)化合物、4,4’-双(丙烯基苯氧基)砜、4,4’-双(丙烯基苯氧基)二苯甲酮和4,4'-1-(1-甲基亚乙基)双(2-(2-丙烯基)苯酚)。氰酸酯基酯树脂可为选自双酚A型、双酚F型、双酚E型、双酚H型、双酚N型、苯酚酚醛型和二环戊二烯双酚型氰酸酯基酯树脂中的至少一种。热固性树脂组合物还可包含至少一种选自溶剂、固化促进剂、分散剂和硅烷偶联剂的添加剂。本专利技术的另一示例性实施方案提供一种通过将如上所述的热固性树脂组合物浸渍到织物基材中而制备的半固化片。本专利技术的另一示例性实施方案提供一种覆金属层压板,其包括如上所述的半固化片;以及通过加热和施压而与半固化片整合的金属箔。有益效果本专利技术的热固性树脂组合物可通过使用氰酸酯树脂和环氧树脂而具有优异的物理性质,并且通过使用苯并噁嗪树脂而非现有的酚类固化剂可固化双马来酰亚胺基树脂。因此,与相关技术相比,根据本专利技术,可抑制在钻孔作业时因热引起的污渍的产生,从而提供优异的去污特性。此外,本专利技术的热固性树脂组合物使用不同于相关技术的浆型填料,热固性树脂组合物可具有高耐热性和可靠性以及改善的耐化学性,同时具有相同于或更优异于现有的热固性树脂组合物的物理性质。因此,本专利技术可提供具有优异的耐化学性的半固化片和覆金属层压板。具体实施方式在下文中,将详细说明本专利技术的示例性实施方案的热固性树脂组合物。根据本专利技术的示例性实施方案,提供用于半导体封装物的热固性树脂组合物,其包含:树脂组合物,其包含含有环氧树脂和双马来酰亚胺基树脂的粘合剂及苯并噁嗪树脂;以及浆型填料,其中苯并噁嗪树脂的含量为10重量%以下,基于全部树脂组合物的总重量计。此外,浆型填料的含量可为160至350重量份,基于100重量份的树脂组合物计。此外,优选地,苯并噁嗪树脂的含量为2至10重量%,基于全部树脂组合物的总重量计。本专利技术的热固性树脂组合物使用苯并噁嗪树脂而非现有的酚类固化剂来引起双马来酰亚胺基树脂的固化,并且使用浆型填料,从而使得能够提高树脂和填料之间的界面粘合性以改善耐化学性。此外,在本专利技术的组合物中,通过使用氰酸酯基酯树脂可实现更优异的物理性质。此外,根据相关技术,使用苯并噁嗪树脂主要是为了阻燃性,但在这种情况下,其含量不可避免地很高,其导致物理性质劣化。此外,由于作为固化剂的苯并噁嗪树脂的特性,当苯并噁嗪树脂的含量增加时,不可能提高填料的含量。然而,根据本专利技术,热固性树脂组合物中的用作固化剂的苯并噁嗪树脂的含量较低(10重量%以下),从而可以实现耐化学性和高的玻璃化转变温度(Tg)并提高填料的含量。因此,本专利技术的热固性树脂组合物可改善耐化学性从而改善去污特性。具有上述特性的本专利技术的热固性树脂组合物以及使用所述热固性树脂组合物的半固化片和覆金属层压板可用于制造多层印刷电路板和双面印刷电路板。在下文中,将更详细地说明本专利技术的热固性树脂组合物的成分。本专利技术的热固性树脂组合物可包含含有环氧树脂和特殊树脂的粘合剂成分、以及填料,并且还可包含固化剂。在这种情况下,本专利技术的特征在于特定含量的苯并噁嗪树脂用作固化剂,并且基于苯并噁嗪树脂的含量来使用浆型填料。根据本专利技术,苯并噁嗪树脂以基于全部树脂组合物的总重量计的10重量%以下、更优选2至10重量%的含量使用,从而可充分引起粘合剂中所包含的双马来酰亚胺基树脂的固化。在苯并噁嗪树脂的含量大于10重量%的情况下,物理性质可进一步劣化,从而无法实现优异的耐化学性且不可能具有高的玻璃化转变温度(Tg)。换言之,在过量包含苯并噁嗪树脂的情况下,在制备半固化片时,固化反应速率过快,从而使过程效率可能劣化。此外,在苯并噁嗪树脂本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于半导体封装物的热固性树脂组合物,所述热固性树脂组合物包含:树脂组合物,其包含含有环氧树脂和双马来酰亚胺基树脂的粘合剂及苯并噁嗪树脂;以及浆型填料,其中所述苯并噁嗪树脂的含量为10重量%以下,基于全部树脂组合物的总重量计。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2013.09.30 KR 10-2013-01167711.一种用于半导体封装物的热固性树脂组合物,所述热固性树脂组合物包含:树脂组合物,其包含含有环氧树脂和双马来酰亚胺基树脂的粘合剂及苯并噁嗪树脂;以及浆型填料,其中所述苯并噁嗪树脂的含量为10重量%以下,基于全部树脂组合物的总重量计,其中所述浆型填料为包含至少一种无机填料的浆料,所述无机填料的平均粒径为0.2至5μm,所述无机填料用环氧硅烷进行表面处理,其中所述浆型填料的含量为160至350重量份,基于100重量份的树脂组合物计。2.权利要求1的热固性树脂组合物,其中所述浆型填料通过湿法/干法使用基于100重量份的无机填料计的0.3至1重量份的环氧硅烷进行表面处理。3.权利要求1的热固性树脂组合物,其中所述苯并噁嗪树脂的含量为2至10重量%,基于全部树脂组合物的总重量计。4.权利要求1的热固性树脂组合物,其中所述粘合剂包含20至80重量%的环氧树脂和20至80重量%的双马来酰亚胺基树脂。5.权利要求1的热固性树脂组合物,其中所述粘合剂还包含氰酸酯基酯树脂。6.权利要求5的热固性树脂组合物,其中所述粘合剂包含20至60重量%的环氧树脂、30至70重量%的氰酸酯基酯树脂以及20至70重量%的双马来酰亚胺基树脂。7.权利要求1的热固性树脂组合物,其中所述浆型填料包含至少一种选自二氧化硅、...

【专利技术属性】
技术研发人员:文化妍沈正真沈熙用闵炫盛金美善沈昌补
申请(专利权)人:株式会社LG化学
类型:发明
国别省市:韩国;KR

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