【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种半导体加工设备，尤其是一种磁控直流溅射系统内的冷却装置。
技术介绍
磁控直流溅射系统中，用于生产半导体的物料完成溅射加工后，均需对其进行冷却处理。现有的冷却工艺均通过氮气对物料进行直接冷却，然而，由于物料在溅射过程中存在一定的升温现象，对其进行急剧冷却极易使得物料内部产生残留应力，致使后期物料在使用时极易发生损坏。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是提供一种磁控直流溅射系统内的冷却装置，其可避免物料在冷却过程中产生内部残留应力过大的现象。为解决上述技术问题，本专利技术涉及一种磁控直流溅射系统内的冷却装置，其包括有冷却腔室，以及延伸至冷却腔室内的传输轨道；所述冷却腔室内部设置有多个喷气管道，其连通至设置在冷却腔室外部的氮气容器内；所述冷却腔室包括有进料口与出料口，冷却腔室之中，进料口的对应位置设置有辅助冷却室，辅助冷却室内部设置有夹层，夹层内部设置有冷却管道，冷却管道连通至设置在冷却腔体外部的冷却水槽。作为本专利技术的一种改进，所述辅助冷却室采用环形结构，其环绕传输轨道进行分布，辅助冷却室与传输轨道上端面之间的距离至多为10厘米。...
【技术保护点】
一种磁控直流溅射系统内的冷却装置，其包括有冷却腔室，以及延伸至冷却腔室内的传输轨道；所述冷却腔室内部设置有多个喷气管道，其连通至设置在冷却腔室外部的氮气容器内；其特征在于，所述冷却腔室包括有进料口与出料口，冷却腔室之中，进料口的对应位置设置有辅助冷却室，辅助冷却室内部设置有夹层，夹层内部设置有冷却管道，冷却管道连通至设置在冷却腔体外部的冷却水槽。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：史进，伍志军，
申请(专利权)人：苏州赛森电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32
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