一种薄膜图案化的方法技术

本发明专利技术实施例提供一种薄膜图案化的方法，涉及显示技术领域，能够解决制作线宽较小的薄膜层图案时，由于掩膜版开口区域较小，使得曝光不足，而引起的成膜缺陷。所述方法包括在基板的表面依次形成薄膜层和光刻胶；通过掩膜版对光刻胶进行第一次曝光，形成第一半固化区，第一半固化区光刻胶的曝光的能量小于光刻胶的感光阈值；通过掩膜版对光刻胶进行第二次曝光，在第一半固化区上形成固化区；其中，固化区的宽度小于第一半固化区的宽度，固化区光刻胶的曝光的能量大于等于光刻胶的感光阈值；将光刻胶进行显影；对未被光刻胶覆盖的薄膜层刻蚀；将固化区的光刻胶剥离。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种薄膜图案化的方法。
技术介绍
TFT-LCD(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display，薄膜晶体管-液晶显示器)作为一种平板显示装置，因其具有体积小、功耗低、无辐射以及制作成本相对较低等特点，而越来越多地被应用于高性能显示领域当中。TFT-LCD由相互对盒的彩膜基板和阵列基板构成。其中,阵列基板上具有多条横纵交叉的栅线和数据线，所述栅线和所述数据线交叉界定多个像素单元。其中，像素单元的个数与液晶显示器的分辨率有关。为了满足液晶显示器高分辨率的发展趋势，需要增加单位尺寸内像素单元的数量，同时栅线、数据线或其他位于阵列基板和彩膜基板上的薄膜层图案的线宽越来越小。例如，当液晶显示器的分辨率从200PPI(Pixels Per Inch，每英寸所拥有的像素数目)提升至300PPI时，数据线的线宽需要从4um降低到2-3um。现有技术中，可以采用掩膜曝光、显影工艺制作上述薄膜层图案。当薄膜层图案的线宽需要减小时，可以通过减小掩膜版的开口区域的尺寸来实现。然而，对于高分辨率的显示器而言，由于薄膜层图案的线宽过于小，因此掩膜版的开口区域的尺寸也会很小。这样一来，就会导致曝光过程中，透过开口区域的光线的数量减小，产生曝光不足的现象，进而导致形成的薄膜层图案出现大面积的缺失，或者薄膜层图案边界处的坡度成型度较差等成膜缺陷的产生，从而降低了产品的质量。
技术实现思路
本专利技术的实施例提供一种薄膜图案化的方法，能够解决制作线宽较小的薄膜层图案时，由于掩膜版开口区域较小，使得曝光不足而引起的成膜缺陷。为达到上述目的，本专利技术的实施例采用如下技术方案：本专利技术实施例的一方面，提供一种薄膜图案化的方法，包括：在基板的表面涂覆一层薄膜层；在所述薄膜层的表面涂覆光刻胶；通过掩膜版对所述光刻胶进行第一次曝光，形成第一半固化区，所述第一半固化区光刻胶的曝光的能量小于所述光刻胶的感光阈值；通过所述掩膜版对所述光刻胶进行第二次曝光，在所述第一半固化区上形成固化区；其中，所述固化区的宽度小于所述第一半固化区的宽度，所述固化区光刻胶的曝光的能量大于等于所述光刻胶的感光阈值；将所述光刻胶进行显影；对未被光刻胶覆盖的所述薄膜层刻蚀；将所述固化区的光刻胶剥离。本专利技术实施例提供一种薄膜图案化的方法，包括在基板的表面涂覆一层薄膜层；在所述薄膜层的表面涂覆光刻胶；通过掩膜版对光刻胶进行第一次曝光，形成第一半固化区，所述第一半固化区光刻胶的曝光的能量小于所述光刻胶的感光阈值，使得位于第一半固化区的光刻胶处于半固化的状态。然后继续采用上述掩膜版，在掩膜板区域和透光区域位置不变的情况下，对光刻胶进行第二次曝光，以在第一半固化区上形成固化区；其中，所述固化区的宽度小于所述第一半固化区的宽度，所述固化区光刻胶的曝光的能量大于等于所述光刻胶的感光阈值，使得位于固化区的光刻胶处于固化的状态。接下来，将光刻胶进行显影；对未被光刻胶覆盖的所述薄膜层刻蚀；最后将固化区的光刻胶剥离。上述制作方法中，采用同一掩膜版进行不同曝光能量的两次曝光，第二次曝光中形成的固化区的尺寸小于第一次曝光中形成的第一半固化区的宽度，从而使得固化区覆盖的薄膜层图案的线宽小于直接采用上述掩膜板通过曝光显影、刻蚀等后得到的薄膜层图案的线宽，从而可以实现减小薄膜层图案的线宽。此外，由于在减小线宽的过程中并没有减小掩膜版的开口区域，因此可以避免由于掩膜版开口区域较小，使得曝光不足而引起的成膜缺陷。从而能够提高显示器的质量。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本专利技术实施例提供的一种薄膜图案化的方法流程图；图2a-图2e为专利技术实施例提供的一种薄膜图案化方法中各个步骤对应的结构示意图；图3a为本专利技术实施例提供的一种薄膜图案化的方法中采用的光线的辉光分布曲线；图3b为本专利技术实施例提供的另一种薄膜图案化的方法中采用的光线的辉光分布曲线；图4a为本专利技术实施例提供的一种薄膜图案化的方法中对应的薄膜层的结构示意图；图4b为本专利技术实施例提供的又一种薄膜图案化的方法中采用的光线的辉光分布曲线。附图说明：10-基板；100-薄膜层；101-光刻胶；20-掩膜板；A-掩膜板的遮光区域；B-掩膜板的透光区域；201-第一半固化区；202-固化区；203-第二半固化区；O-第一曝光采用的光线的辉光分布曲线；O’-第二曝光采用的光线的辉光分布曲线；L1-第一半固化区的宽度；L2-固化区的宽度；L3+L3’-第二半固化区的宽度。具体实施方式下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。本专利技术实施例提供一种薄膜图案化的方法，如图1所示，可以包括：S101、如图2a所示，在基板10的表面涂覆一层薄膜层100。S102、在薄膜层100的表面涂覆光刻胶101。S103、如图2b所示，通过掩膜版20对光刻胶101进行第一次曝光，形成第一半固化区201。其中，第一半固化区201光刻胶101的曝光的能量小于光刻胶101的感光阈值E，使得第一半固化区201的光刻胶101处于半固化状态。具体的，掩膜版20可以包括遮光区域A和透光区域B，光线通过透光区域B对光刻胶101进行曝光。S104、如图2c所示，通过上述掩膜版20对光刻胶101进行第二次曝光，在所述第一半固化区201上形成固化区202。其中，固化区202的宽度小于第一半固化区201的宽度，固化区202光刻胶101的曝光的能量大于等于光刻胶101的感光阈值E，使得固化区的光刻胶，处于完全固化状态。此外，固化区202光刻胶101的曝光能量具体是指，第一次掩膜曝光工艺中，光刻胶101的曝光能量与第二次掩膜曝光工艺中，光刻胶101的曝光能量的叠加。这样一来，两次曝光能量本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种薄膜图案化的方法，其特征在于，包括：在基板的表面涂覆一层薄膜层；在所述薄膜层的表面涂覆光刻胶；通过掩膜版对所述光刻胶进行第一次曝光，形成第一半固化区，所述第一半固化区光刻胶的曝光的能量小于所述光刻胶的感光阈值；通过所述掩膜版对所述光刻胶进行第二次曝光，在所述第一半固化区上形成固化区；其中，所述固化区的宽度小于所述第一半固化区的宽度，所述固化区光刻胶的曝光的能量大于等于所述光刻胶的感光阈值；将所述光刻胶进行显影；对未被光刻胶覆盖的所述薄膜层刻蚀；将所述固化区的光刻胶剥离。

【技术特征摘要】
1.一种薄膜图案化的方法，其特征在于，包括：
在基板的表面涂覆一层薄膜层；
在所述薄膜层的表面涂覆光刻胶；
通过掩膜版对所述光刻胶进行第一次曝光，形成第一半固化区，
所述第一半固化区光刻胶的曝光的能量小于所述光刻胶的感光阈值；
通过所述掩膜版对所述光刻胶进行第二次曝光，在所述第一半固
化区上形成固化区；
其中，所述固化区的宽度小于所述第一半固化区的宽度，所述固
化区光刻胶的曝光的能量大于等于所述光刻胶的感光阈值；
将所述光刻胶进行显影；
对未被光刻胶覆盖的所述薄膜层刻蚀；
将所述固化区的光刻胶剥离。
2.根据权利要求1所述的薄膜图案化的方法，其特征在于，所述
通过所述掩膜版对所述光刻胶进行第二次曝光，还包括在所述第一半
固化区上形成第二半固化区；
其中，所述第二半固化区与所述固化区的宽度之和小于所述第一
半固化区的宽度，所述第二半固化区光刻胶的曝光的能量小于所述光
刻胶的感光阈值。
3.根据权利要求2所述的薄膜图案化的方法，其特征在于，所述
通过所述掩膜版对所述光刻胶进行第二次曝光包括：
在所述第一半固化区上形成所述固化区以及位于所述固化区两侧
的所述第二半固化区。
4.根据权利要求1所述的薄膜图案化的方法，其特征在于...

【专利技术属性】
技术研发人员：张磊，罗祝义，孟祥明，尹镇镐，郭建强，廖洪林，
申请(专利权)人：合肥京东方光电科技有限公司，京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：安徽;34