元器件内置基板的制造方法及元器件内置基板技术

一种元器件内置基板(20)的制造方法中，在形成外侧金属层(14)后，形成从外侧金属层(14)起贯通第1绝缘层(5)及第2绝缘层(11)并到达IC元器件(4)第2端子(4b)的导通孔(16)。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种用于制造电子元器件或内置有电子元器件的元器件内置基板的制造方法，及利用该制造方法制造的元器件内置基板。
技术介绍
一直以来，为实现各种电气?电子设备的小型化、薄型化、轻量化以及多功能化，开展了各种研究开发。尤其在手机、笔记本电脑、数码相机等民生用品中，强烈要求在实现多功能化的同时，实现小型化、薄型化及轻量化。此外，在各种电气?电子设备中，传输信号的高频化和高速化已实现，因此也需要防止随之产生的信号噪音的增大。为实现这些要求，作为电气.电子设备中组装的电路基板，过去研究开发和制造了元器件内置基板和层叠该元器件内置基板而成的元器件内置多层电路基板，所述元器件内置基板在构造上是将安装于基板表面的各种电气.电子元器件内置于基板的绝缘层即绝缘基材内。例如专利文献I中公开了一种元器件内置基板及其制造方法。在专利文献I所公开的元器件内置基板的制造方法中，是在支承体上形成由铜箔构成的导电薄膜层，在该导电薄膜层上涂布粘合剂。接着，通过该粘合剂进行内置元器件的安装，然后以覆盖该内置元器件的方式形成绝缘基材。经过这种制造工序所形成的元器件内置基板，其基板本身的厚度比过去薄，并且与在基板表面上进行安装相比，能内置更多的电气.电子元器件，可用于各种用途的电气.电子设备。 现有技术文献专利文献专利文献1:日本专利第4874305号公报专利技术的公开 专利技术所要解决的技术问题作为内置元器件，当使用普通的金属氧化膜半导体的场效应晶体管(M0SFET:Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)时，为提高电气特性，形成将该MOSFET的漏极端子和元器件内置基板的布线层电连接的漏极通孔。然后，为了形成元器件内置基板的多层布线，需由绝缘层覆盖与该漏极通孔相连接的布线层(即内层布线)，并且在该绝缘层的表面上形成另外的布线层(即，外层布线)。然而，普通的MOSFET的漏极端子侧构造较为脆弱，因此在按压形成外层布线时，压力集中于漏极通孔，从而会导致MOSFET发生裂纹。本专利技术鉴于这些课题开发完成，其目的在于提供一种在元器件内置基板的制造工序中能够抑制内置元器件发生裂纹的元器件内置基板的制造方法，以及内置元器件裂纹发生率比过去降低的元器件内置基板。 解决技术问题所采用的技术方案为实现上述目的，本专利技术提供一种元器件内置基板的制造方法，该元器件内置基板的制造方法所制造出的元器件内置基板内置有IC元器件，所述IC元器件在第I表面侧具备第I端子，在具有比所述第I表面侧脆弱的结构的第2表面侧具备第2端子，该元器件内置基板的制造方法的特征在于，具备以下工序:准备工序，该准备工序准备在表面上形成有金属膜的支承板；搭载工序，该搭载工序经由粘合层在所述金属膜的表面上粘合所述第I端子，并在所述粘合层的相反侧配置所述第2端子以搭载IC元器件；第I绝缘层形成工序，该第I绝缘层形成工序以覆盖所述金属膜及所述IC元器件的方式层叠绝缘树脂材料，并形成埋设所述IC元器件的第I绝缘层；内侧金属层形成工序，该内侧金属层形成工序在所述第I绝缘层的表面上形成内侧金属层；第I端子用布线图案形成工序，该第I端子用布线图案形成工序将所述第I端子与所述金属膜电连接，形成第I端子用布线图案；第2绝缘层形成工序，该第2绝缘层形成工序以覆盖所述内侧金属层的方式层叠绝缘树脂材料，形成第2绝缘层；外侧金属层形成工序，该外侧金属层形成工序在所述第2绝缘层的表面上形成外侧金属层；以及导通孔形成工序，该导通孔形成工序形成从所述外侧金属层贯通所述第I绝缘层及第2绝缘层并到达所述第2端子的通孔，在所述通孔内填充导电体，形成将所述外侧金属层和所述第2端子电连接的导通孔。在上述元器件内置基板的制造方法中，可以使所述第I端子是源极端子及栅极端子中的至少一者，且所述第2端子是漏极端子。 在上述任一元器件内置基板制造方法的所述内侧金属层形成工序中，可以包含在所述内侧金属层上形成所需形状的图案形成工序，在所述导通孔形成工序中，贯通所述内侧金属层的非形成部分上的所述第2绝缘层，将所述外侧金属层和所述第2端子直接连接。此外，亦可不形成将所述外侧金属层与所述第2端子直接连接的通孔，在所述导通孔形成工序中，可使所述导通孔和所述内侧金属层接触，并利用导通孔将所述第2端子、所述内侧金属层以及所述外侧金属层电连接。在上述元器件内置基板制造方法的所述导通孔形成工序中，优选通过填充式电镀(Filled Plating)或填充导电糊形成所述导通孔。在上述元器件内置基板的制造方法中，通过在所述外侧金属层形成工序之后进行所述导通孔形成工序，可防止所述IC元器件发生裂纹。进而，为实现上述目的，本专利技术提供一种元器件内置基板，其特征在于，具备:第I绝缘层，该第I绝缘层具有绝缘树脂材料；IC元器件，该IC元器件在第I表面侧具备第I端子，在具有比所述第I表面侧脆弱的结构的第2表面侧具备第2端子，并被埋设于所述绝缘层；第I端子用布线图案，该第I端子用布线图案将所述IC元器件的所述第I端子与所述第I绝缘层的外部电连接；内侧金属层，该内侧金属层形成于所述第I绝缘层的所述第I端子用布线图案形成面的相反侧；第2绝缘层，该第2绝缘层包含绝缘树脂材料，以覆盖所述内侧金属层的方式形成；外侧金属层，该外侧金属层形成于所述第2绝缘层上；以及导通孔，该导通孔贯通所述第I绝缘层及所述第2绝缘层，将所述外侧金属层和所述第2端子电连接，所述导通孔的贯通所述第I绝缘层的部分和贯通所述第2绝缘层的部分在同一工序内形成。在上述元器件内置基板中，可以使所述第I端子是源极端子及栅极端子中的至少一者，且所述第2端子是漏极端子。在上述任一元器件内置基板中，可以使所述导通孔可直接连接所述外侧金属层与所述第2端子，而不对所述外侧金属层与所述内侧金属层进行电连接。此外，所述导通孔亦可不直接连接所述外侧金属层与所述第2端子，而贯通所述内侧金属层，将所述外侧金属层、所述内侧金属层以及所述第2端子电连接。在上述任一元器件内置基板中，优选通过填充式电镀(Filled Plating)或填充导电糊形成所述导通孔。在上述任一元器件内置基板中，通过在形成所述外侧金属层之后形成所述导通孔，可防止所述IC元器件发生裂纹。 专利技术效果在本专利技术所涉及的元器件内置基板的制造方法中，在形成外侧金属层之后，形成从外侧金属层起贯通第I绝缘层及第2绝缘层并到达第2端子的导通孔，因此在形成外侧金属层时，不会发生压力集中于IC元器件及其第2端子的情形。因此，在元器件内置基板的制造工序中，埋设于第I绝缘层内的IC元器件不会发生裂纹。在本专利技术所涉及的元器件内置基板中，由于从外侧金属层起贯通第I绝缘层及第2绝缘层并到达第2端子的导通孔是在外侧金属层形成后的同一工序中形成的，因此不会发生由于压力集中于IC元器件及其第2端子而发生裂纹的情况，该元器件内置基板具有优秀的电学特性及可靠性。此外，在本专利技术所涉及的元器件内置基板中，通过导通孔将外侧金属层、内侧金属层以及IC元器件的第2端子进行电连当前第1页1 2 3 4 本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种元器件内置基板的制造方法，该元器件内置基板的制造方法所制造出的元器件内置基板内置有IC元器件，所述IC元器件在第1表面侧具备第1端子，在具有比所述第1表面侧要脆弱的结构的第2表面侧具备第2端子，该元器件内置基板的制造方法的特征在于，具备以下工序：准备工序，该准备工序准备在表面上形成有金属膜的支承板；搭载工序，该搭载工序经由粘合层在所述金属膜的表面上粘合所述第1端子，并在所述粘合层的相反侧配置所述第2端子以搭载IC元器件；第1绝缘层形成工序，该第1绝缘层形成工序以覆盖所述金属膜及所述IC元器件的方式层叠绝缘树脂材料，并形成埋设所述IC元器件的第1绝缘层；内侧金属层形成工序，该内侧金属层形成工序在所述第1绝缘层的表面上形成内侧金属层；第1端子用布线图案形成工序，该第1端子用布线图案形成工序将所述第1端子与所述金属膜电连接，形成第1端子用布线图案；第2绝缘层形成工序，该第2绝缘层形成工序以覆盖所述内侧金属层的方式层叠绝缘树脂材料，形成第2绝缘层；外侧金属层形成工序，该外侧金属层形成工序在所述第2绝缘层的表面上形成外侧金属层；以及导通孔形成工序，该导通孔形成工序形成从所述外侧金属层贯通所述第1绝缘层及第2绝缘层并到达所述第2端子的通孔，在所述通孔内填充导电体，形成将所述外侧金属层和所述第2端子电连接的导通孔。...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

【专利技术属性】
技术研发人员：户田光昭，松本徹，村田圣子，
申请(专利权)人：名幸电子有限公司，
类型：发明
国别省市：日本;JP