【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种集成结构，其特征在于包括：衬底；第一MOS晶体管，覆在所述衬底之上并且包括通过第一栅极电介质与所述衬底分离的第一可控栅极区域；第二MOS晶体管，邻近所述第一MOS晶体管并且包括通过所述第一栅极电介质与所述衬底分离的第二可控栅极区域；以及公共传导区域，覆在第一栅极区域和第二栅极区域之上并且通过第二栅极电介质与所述第一栅极区域和所述第二栅极区域分离，所述公共传导区域包括定位在所述第一栅极区域和所述第二栅极区域的部分之上的连续元件以及从所述连续元件朝向所述衬底向下延伸直到所述第一栅极电介质的分支，所述分支被定位在所述第一栅极区域与所述第二栅极区域之间并且与所述第一栅极区域和所述第二栅极区域二者都间隔开。
【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：M·巴蒂斯塔，F·塔耶特，
申请(专利权)人：意法半导体鲁塞公司，
类型：新型
国别省市：法国;FR
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