一种半导体存储器的制造方法技术

本发明专利技术提供一种半导体存储器的制造方法，实质上利用一个整合传统的浮栅光罩和控制栅保护光罩的图案的整合光罩，将存储区的存储单元工艺窗口和连接区的连接孔工艺窗口的刻蚀工艺、填充工艺合并，由此通过一次光刻和刻蚀工艺即可在存储单元位置形成存储窗口的同时，在连接线位置形成连接窗口，且存储窗口比连接窗口宽很多，之后沉积工艺形成第一层间介质层并高温回流，直接将连接窗口填满；省略了传统工艺中连接区使用单独光罩进行掩膜、刻蚀、填充以及研磨的工艺步骤，节省了工艺时间，降低了工艺成本。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体制造领域，尤其涉及。
技术介绍
目前，快闪存储器(FlashMemory)又称闪存，已经成为非挥发性存储器的主流存储器。根据结构不同，闪存可分为或非闪存(NOR Flash)和与非闪存(NAND Flash)。闪存的主要特点是在不加电的情况下能长期保持存储的信息；且具有集成度高、存取速度快、易于擦除和重写等优点，因而在微机、自动化控制等多项领域得到了广泛的应用。闪存存储器(Flash Memory，简称闪存)是一种可编程擦除、非挥发性(non-volatile)的内存，即在无外部电源供电时，也能够保存信息内容，这使得装置本身不需要浪费电力在数据的存储上，再加上闪存也具备重复读写、体积小、容量高及便于携带的特性，这使得闪存特别适合使用在携带式的装置上，已成为业界研究的主流之一。现有的快闪存储器包括位于基底上的核心存储单元(Cell Circuit)区域和位于核心存储电路周围的外围控制电路(Peripheral Circuit)，存储单元区域用于存储信息，外围控制电路区域用于对存储单元区域存储的信息进行读取。其中，典型的存储单元主要是由用来存储电荷的浮栅(F本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体存储器的制造方法，其特征在于，包括：提供一具有存储区和连接区的半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有控制栅层和覆盖层；以一能定义存储区的存储单元位置和连接区的连接孔位置的整合光罩为掩膜，光刻并刻蚀所述覆盖层，在存储区的存储单元位置形成存储窗口，在连接区的连接线位置形成有连接窗口，且存储窗口比连接窗口宽；在形成存储窗口和连接窗口的器件表面沉积第一层间介质层，并对第一层间介质层进行高温回流，以将连接窗口填满；以第一层间介质层和覆盖层保护连接区，并通过自对准刻蚀工艺在所述存储窗口侧壁形成侧墙。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：张怡，
申请(专利权)人：上海华虹宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31