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本发明提供一种半导体存储器的制造方法，实质上利用一个整合传统的浮栅光罩和控制栅保护光罩的图案的整合光罩，将存储区的存储单元工艺窗口和连接区的连接孔工艺窗口的刻蚀工艺、填充工艺合并，由此通过一次光刻和刻蚀工艺即可在存储单元位置形成存储窗口的同...
该专利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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