【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】具有增大沟道区有效宽度的非易失性存储器单元及其制作方法相关申请案本申请要求2013年3月14日提交的美国临时申请No.61/784,556的权益,并且该美国临时申请以引用方式并入本文中。
本专利技术涉及非易失性存储器装置。
技术介绍
分裂栅非易失性存储器装置在本领域中是已知的。例如,美国专利7,927,994公开一种分裂栅非易失性存储器单元,该美国专利出于所有目的以引用的方式并入本文中。图1示出形成在半导体衬底12上的此类分裂栅存储器单元的例子。源极区16和漏极区14在衬底12中形成为扩散区,并且两者间限定了沟道区18。该存储器单元包括四个导电栅极:浮栅22,其设置在沟道区18的第一部分和源极区16的一部分上方并且与之绝缘;控制栅26,其设置在浮栅22上方并且与之绝缘;擦除栅24,其设置在源极区16上方并且与之绝缘;以及选择栅20,其设置在沟道区18的第二部分上方并且与之绝缘。导电触点10可被形成为电连接到漏极区14。该存储器单元被布置成阵列,其中此类存储器单元的列被隔离区的列分开。隔离区是衬底上形成了绝缘材料的部分。熟知的隔离区形成技术是STI,其涉及向衬底的表面中形成沟槽,并且用绝缘材料(例如,二氧化硅-氧化物)填充沟槽。STI绝缘材料28的上表面通常与衬底12的表面齐平或稍微高于衬底12的表面。图2示出该存储器单元和隔离区28的常规布置方式。用于整行存储器单元的选择栅20被形成为延伸跨越多列STI绝缘材料28的单条导电线(通常称为字线)。控制栅26类似地形成为沿着该行存储器单元延伸的连续控制栅线,如同擦除栅24一样。随着装置的几何形状不断缩小,在较低 ...
【技术保护点】
一种存储器装置阵列,包括:半导体材料衬底,所述衬底具有第一导电类型和表面;间隔开的隔离区,所述隔离区形成在所述衬底中并且基本上彼此平行并在第一方向上延伸,其中每对相邻隔离区之间有一个有源区;所述隔离区各自包括形成到所述衬底的表面中的沟槽以及形成在所述沟槽中的绝缘材料,其中所述绝缘材料顶表面的至少若干部分凹陷以低于所述衬底的所述表面;所述有源区各自包括一列存储器单元,其中所述存储器单元各自包括:间隔开的第一区域和第二区域,所述第一区域和所述第二区域形成在所述衬底中并且具有不同于所述第一导电类型的第二导电类型,其中所述衬底的沟道区设置在所述第一区域与所述第二区域之间,浮栅,所述浮栅设置在所述沟道区的第一部分上方并且与之绝缘,以及选择栅,所述选择栅设置在所述沟槽区的第二部分上方并且与之绝缘;其中所述选择栅被形成为连续字线,所述连续字线各自在垂直于所述第一方向的第二方向上延伸并且各自形成用于所述每列存储器单元中的一个所述存储器单元的所述选择栅,并且其中每条所述字线的若干部分向下延伸到所述沟槽中并且在所述隔离区中的所述绝缘材料上方延伸,使得每个存储器单元的所述字线设置在所述衬底的所述顶表面上方并 ...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2013.03.14 US 61/784556;2014.02.27 US 14/1916251.一种存储器装置阵列,包括:半导体材料衬底,所述衬底具有第一导电类型和顶表面;间隔开的隔离区,所述隔离区形成在所述衬底中并且基本上彼此平行并在第一方向上延伸,其中每对相邻隔离区之间有一个有源区;所述隔离区各自包括形成到所述衬底的顶表面中并且延伸到低于所述衬底的顶表面的沟槽以及形成在所述沟槽中的绝缘材料,其中所述绝缘材料顶表面的至少若干部分凹陷以低于所述衬底的所述顶表面;所述有源区各自包括一列存储器单元,其中所述存储器单元各自包括:间隔开的第一区域和第二区域,所述第一区域和所述第二区域沿着所述衬底的顶表面形成并且具有不同于所述第一导电类型的第二导电类型,其中所述衬底的沟道区设置在所述第一区域与所述第二区域之间,浮栅,所述浮栅设置在所述沟道区的第一部分上方并且与之绝缘,以及选择栅,所述选择栅设置在所述沟道区的第二部分上方并且与之绝缘;其中所述选择栅被形成为连续字线,所述连续字线各自在垂直于所述第一方向的第二方向上延伸并且各自形成用于每列存储器单元中的一个所述存储器单元的所述选择栅,并且其中每条所述字线的若干部分向下延伸到所述沟槽中并且在所述隔离区中的所述绝缘材料上方延伸,使得针对每个存储器单元:所述字线的第一部分设置在所述衬底的所述顶表面上方并与所述衬底的所述顶表面绝缘,所述字线的第二部分邻近于所述沟槽中的一个的第一侧壁横向设置并与所述沟槽中的一个的第一侧壁绝缘,所述沟槽从所述衬底的顶表面向下延伸,所述字线的第三部分邻近于所述沟槽中的另一个的第二侧壁横向设置并与所述沟槽中的另一个的第二侧壁绝缘,所述沟槽从所述衬底的顶表面向下延伸,使得所述衬底的所述顶表面和第一侧壁以及第二侧壁的与所述字线相邻的相应部分形成沟道区;并且其中每个浮栅是设置在所述衬底的所述顶表面上方并且与所述衬底的所述顶表面绝缘的导电材料,其中所述浮栅没有任何部分延伸到任何所述沟槽中。2.根据权利要求1所述的存储器装置阵列,其中所述存储器单元各自还包括:控制栅,所述控制栅设置在所述浮栅上方并且与之绝缘;以及擦除栅,所述擦除栅设置在所述第一区域上方并且与之绝缘。3.根据权利要求2所述的存储器装置阵列,其中针对所述存储器单元中的每一个,所述浮栅的一部分设置在所述第一区域上方并且与之绝缘。4.一种形成存储器装置阵列的方法,包括...
【专利技术属性】
技术研发人员:N杜,HV特兰,CS苏,P滕塔苏德,
申请(专利权)人:硅存储技术公司,
类型:发明
国别省市:美国;US
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