倒装LED芯片制造技术

本实用新型专利技术提供了一种倒装LED芯片，包括：衬底；外延层，设置于衬底上；透明导电层，设置于外延层上；P型电极和N型电极，分别间隔设置于透明导电层与外延层上，N型电极还包括条状N型电极，条状N型电极在倒装LED芯片内横向延伸形成；P型电极还包括条状P型电极，条状P型电极在倒装LED芯片内横向延伸形成；绝缘层，设置于P型电极、N型电极与外延层上；焊盘，设置于绝缘层之上。本实用新型专利技术提供的倒装LED芯片中的各电极为枝条状，设置于倒装LED芯片的顶面上，使得电流在LED芯片中的运动面积更大，提高电流在芯片中的分别均匀性和扩散面积，提高发光亮度。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及LED(发光二极管）芯片领域，特别地，涉及一种倒装LED芯片。
技术介绍
半导体照明以节能，环保，亮度高，寿命长等优点，成为社会发展的焦点。GaN基 LED芯片是半导体照明的"核心动力"，近年来性能得到大幅提升，生产成本也不断降低，为 半导体照明走进千家万户做出了突出贡献。 市场需求和为了满足这种需求提高产品的性价比是技术发展走势的一种强劲的 驱动力。一种产品往往要综合使用多种技术，因此多种技术的平衡发展才能使一种产品的 综合性能指标满足客户的需求。 目前倒装LED芯片中的电极多为单一结构，电流在电极的作用下进入芯片后多集 中于该电极附近，电子在芯片中的传到均匀性较差。芯片的发光亮度受到影响。
技术实现思路
本技术提供一种倒装LED芯片，以解决现有技术中倒装LED芯片中电流分布 均匀性差，导致亮度低的技术问题。 根据本技术的一个方面，提供了一种倒装LED芯片，包括：衬底；外延层，设置 于衬底上；透明导电层，设置于外延层上；P型电极和N型电极，分别间隔设置于透明导电层 与外延层上，N型电极还包括条状N型电极，条状N型电极在倒装LED芯片内沿倒装LED芯 片的横向本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种倒装LED芯片，包括：衬底；外延层，设置于所述衬底上；P型电极和N型电极，分别间隔设置于所述外延层上，其特征在于，所述N型电极还包括条状N型电极，所述条状N型电极在所述倒装LED芯片内沿所述倒装LED芯片的横向延伸形成；所述P型电极还包括条状P型电极，所述条状P型电极在所述倒装LED芯片内沿所述倒装LED芯片的横向延伸形成。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：袁章洁，许顺成，
申请(专利权)人：湘能华磊光电股份有限公司，
类型：新型
国别省市：湖南;43