晶片封装体的制造方法技术

本发明专利技术揭露一种晶片封装体的制造方法，包括提供一基底及一盖层，其中基底内具有邻近于基底的一表面的一感测装置。通过一粘着层将盖层贴附于基底的表面上，其中粘着层覆盖感测装置。沿着一方向，对基底、粘着层及盖层进行一切割制程，以形成独立的晶片封装体。本发明专利技术能够在晶片封装体的制作过程中以及在使用晶片封装体的感测功能的过程中保护感测装置，避免受到污染或破坏，因此可改善感测装置的感测效能，进而提升晶片封装体的可靠度或品质。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术有关于一种晶片封装技术，特别为有关于一种。
技术介绍
晶片封装制程是形成电子产品过程中的重要步骤。晶片封装体除了将晶片保护于其中，使免受外界环境污染外，还提供晶片内部电子元件与外界的电性连接通路。具有感测功能的晶片封装体的感测装置在传统的制作过程中以及在使用晶片封装体的感测功能的过程中容易受到污染或破坏，造成感测装置的效能降低，进而降低晶片封装体的可靠度或品质。因此，有必要寻求一种新颖的，其能够解决或改善上述的冋题。
技术实现思路
本专利技术实施例提供一种，包括:提供一基底及一盖层，其中基底内具有邻近于基底的一第一表面的一感测装置。通过一粘着层将盖层贴附于基底的第一表面上，其中粘着层覆盖感测装置。沿着一方向，对基底、粘着层及盖层进行一切割制程，以形成独立的晶片封装体。本专利技术能够在晶片封装体的制作过程中以及在使用晶片封装体的感测功能的过程中保护感测装置，避免受到污染或破坏，因此可改善感测装置的感测效能，进而提升晶片封装体的可靠度或品质。【附图说明】图1A至IE绘示出根据本专利技术一实施例的的剖面示意图。图2绘示出根据本专利技术另一实施例的的剖面示意图。图3及4绘示出根据本专利技术不同实施例的晶片封装体的剖面示意图。其中，附图中符号的简单说明如下:100:基底；100a:第一表面；100b:第^■表面；120:晶片区；140:导电塾；160:感测装置；180:粘着层；200:盖层；310:第一开口 ；320:绝缘层；340:重布线层；360:钝化保护层；380:第二开口 ；400:导电结构；420:保护层;500:电路板；540:接触垫；560:焊线；L:切割道。【具体实施方式】以下将详细说明本专利技术实施例的制作与使用方式。然应注意的是，本专利技术提供许多可供应用的专利技术概念，其可以多种特定型式实施。文中所举例讨论的特定实施例仅为制造与使用本专利技术的特定方式，非用以限制本专利技术的范围。此外，在不同实施例中可能使用重复的标号或标示。这些重复仅为了简单清楚地叙述本专利技术，不代表所讨论的不同实施例及/或结构之间具有任何关连性。再者，当述及一第一材料层位于一第二材料层上或之上时，包括第一材料层与第二材料层直接接触或间隔有一或更多其他材料层的情形。本专利技术一实施例的晶片封装体可用以封装微机电系统晶片。然其应用不限于此，例如在本专利技术的晶片封装体的实施例中，其可应用于各种包含有源元件或无源元件(active or passive elements)、数字电路或模拟电路(digital or analog circuits)等集成电路的电子元件(electronic components)，例如是有关于光电元件(optoelectronic devices)、微机电系统(Micro Electro Mechanical System ;MEMS)、微流体系统(micro fluidic systems)、或利用热、光线及压力等物理量变化来测量的物理感测器(Physical Sensor)。特别是可选择使用晶圆级封装(wafer scale package ；WSP)制程对影像感测元件、发光二极管(light-emitting d1des ;LEDs)、太阳能电池(solar cells)、射频元件(RF circuits)、加速计(accelerators)、陀螺仪(gyroscopes)、微制动器(microactuators)、表面声波元件(surface acoustic wave devices)、压力感测器(processsensors)或喷墨头(ink printer heads)等半导体晶片进行封装。其中上述晶圆级封装制程主要是指在晶圆阶段完成封装步骤后，再予以切割成独立的封装体，然而，在一特定实施例中，例如将已分离的半导体晶片重新分布在一承载晶圆上，再进行封装制程，亦可称之为晶圆级封装制程。另外，上述晶圆级封装制程亦适用于通过堆叠(stack)方式安排具有集成电路的多片晶圆，以形成多层集成电路(mult1-layerintegrated circuit devices)的晶片封装体。以下配合图1A至IE说明本专利技术一实施例的，其中图1A至IE绘示出根据本专利技术一实施例的的剖面示意图。请参照图1A，提供一基底100，其具有一第一表面10a及与其相对的一第二表面100b，且包括多个晶片区120。在一实施例中，基底100可为一硅基底或其他半导体基底。在另一实施例中，基底100为一硅晶圆，以利于进行晶圆级封装制程。在本实施例中，基底100的每一晶片区120内具有多个导电垫，其可邻近于第一表面100a。为简化图式，此处仅绘示出相邻的两个晶片区120以及分别位于基底100的单一晶片区120内的两个导电垫140。在一实施例中，导电垫140可为单层导电层或具有多层的导电层结构。此处，仅以单层导电层作为范例说明。在本实施例中，基底100的每一晶片区120内具有一感测装置160，其可邻近于基底100的第一表面100a。在一实施例中，感测装置160可包括影像感测元件。在另一实施例中，感测装置160用以感测生物特征，且可包括一指纹辨识元件。又另一实施例中，感测装置160用以感测环境特征，且可包括一温度感测元件、一湿度感测元件、一压力感测元件或其他适合的感测元件。在一实施例中，感测装置160可通过内连线结构(未绘示)而与导电垫140电性连接。接着，可通过一粘着层180，将一盖层200贴附于基底100的第一表面10a上。在本实施例中，粘着层180覆盖感测装置160，且粘着层180与感测装置160之间不具有空隙。在一实施例中，盖层200与感测装置160之间仅具有粘着层180，而不具有其他间隔层(或称作围堰(dam)。在一实施例中，粘着层180可包括环氧树脂、无机材料(例如，氧化娃、氮化硅、氮氧化硅、金属氧化物或前述的组合)、有机高分子材料(例如，聚酰亚胺树脂、苯环丁烯、聚对二甲苯、萘聚合物、氟碳化物、丙烯酸酯)或其他适合的粘着材料。再者，盖层200包括玻璃、氮化销(AlN)、胶带、蓝宝石(Sapphire)或其他适合的保护材料。请参照图1B，以盖层200作为承载基板，对基底100的第二表面10b进行薄化制程(例如，蚀刻制程、铣削(milling)制程、机械研磨(mechanical grinding)制程或化学机械研磨(chemical mechanical polishing)制程)，以减少基底100的厚度。接着，可通过微影制程及蚀刻制程(例如，干蚀刻制程、湿蚀刻制程、等离子蚀刻制程、反应性离子蚀刻制程或其他适合的制程)，在基底100的每一晶片区120内形成多个第一开口 310。第一开口 310自基底100的第二表面10b朝第一表面10a延伸，且分别暴露出邻近于第一表面10a的对应的导电垫140。接着，可通过沉积制程(例如，涂布制程、物理气相沉积制程、化学气相沉积制程或其他适合的制程)，在基底100的第二表面10b上顺应性形成一绝缘层320，其延伸至基底100的第一开口 310内。在本实施例中，绝缘层320可包括环氧树脂、无机材料(例如，氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、金属氧化物或前述的组合)、有机高分子材料(例如，聚酰亚胺树脂、苯环丁烯、聚对本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种晶片封装体的制造方法，其特征在于，包括：提供一基底及一盖层，其中该基底内具有邻近于该基底的一第一表面的一感测装置；通过一粘着层将该盖层贴附于该基底的该第一表面上，其中该粘着层覆盖该感测装置；以及沿着一方向，对该基底、该粘着层及该盖层进行一切割制程，以形成独立的晶片封装体。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：何彦仕，刘沧宇，林佳升，张义民，
申请(专利权)人：精材科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71