一种节能太阳能电池表面处理方法技术

本发明专利技术公开了一种节能太阳能电池表面处理方法，在电池片表面通过等离子体化学气相沉积法镀膜，镀膜的具体工艺为，在薄膜沉积初期，NH3与SiH、的气体比例控制在1∶0.37左右，采取适当低的等离子体激发能量，沉积低致密性的薄膜，随着薄膜的生长，等离子体激发能量逐渐增加，NH3与SiH、的气体比例逐渐由1∶0.4降低至1∶0.2，在薄膜外层生长出贫硅的氮化硅薄膜，同时随着等离子能量的增强，沉积出的薄膜致密性增加，生产出多层渐进膜。沉积是的温度控制在280-410℃的范围内，多层渐进膜的折射率为1.8-2.4。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种电池制造技术，特别涉及，属于太阳能节能

技术介绍
太阳能电池是一种可以将能量转换的光电元件，其基本构造是运用P型与N型半导体接合而成的。半导体最基本的材料是“硅”，它是不导电的，但如果在半导体中掺入不同的杂质，就可以做成P型与N型半导体，再利用P型半导体有个空穴(P型半导体少了一个带负电荷的电子，可视为多了一个正电荷)，与N型半导体多了一个自由电子的电位差来产生电流，所以当太阳光照射时，光能将硅原子中的电子激发出来，而产生电子和空穴的对流，这些电子和空穴均会受到内建电位的影响，分别被N型及P型半导体吸引，而聚集在两端。此时外部如果用电极连接起来，形成一个回路，这就是太阳能电池发电的原理，主要来自于PN行半导体的内建电场驱使电子电洞移动，并收集起来。因此，在电子与电洞移动的路径上的缺陷密度将会对于光电流的产生有绝对的影响简单的说，太阳光电的发电原理，是利用太阳能电池吸收0.4 μ m?1.1 μ m波长(针对硅晶)的太阳光，将光能直接转变成电能输出的一种发电方式。由于太阳能电池产生的电是直流电，因此若需提供电力给家电用品或各式电器则需加装直/交流转换器，换成交流电，才能供电至家庭用电或工业用电。
技术实现思路
本专利技术基于现有的太阳能电池的制造技术，采用创新性的科学原理，提出了，其设计符合理论，流程简单可行，材料利用率高，不仅极大节省了成本，而且在一定程度上，延长了太阳能电池的使用寿命。本专利技术解决其技术问题采用的技术方案是:，在电池片表面通过等离子体化学气相沉积法镀膜，镀膜的具体工艺为，在薄膜沉积初期，NH3与SiH、的气体比例控制在1:0.37左右，采取适当低的等离子体激发能量，沉积低致密性的薄膜，随着薄膜的生长，等离子体激发能量逐渐增加，NH3与SiH、的气体比例逐渐由1:0.37降低至1:0.2，在薄膜外层生长出贫硅的氮化硅薄膜，同时随着等离子能量的增强，沉积出的薄膜致密性增加，生产出多层渐进膜。沉积是的温度控制在380 — 410°C的范围内，多层渐进膜的折射率为1.8 — 2..4。本专利技术的有益效果:本专利技术提出的，其设计符合理论，流程简单可行，材料利用率高，不仅极大节省了成本，而且在一定程度上，延长了太阳能电池的使用寿命，具有较大的推广价值。【具体实施方式】下面结合具体实例对本专利技术作进一步说明。，在电池片表面通过等离子体化学气相沉积法镀膜，镀膜的具体工艺为，在薄膜沉积初期，NH3与SiH、的气体比例控制在1:0.37左右，采取适当低的等离子体激发能量，沉积低致密性的薄膜，随着薄膜的生长，等离子体激发能量逐渐增加，NH3与SiH、的气体比例逐渐由1:0.4降低至1:0.2，在薄膜外层生长出贫硅的氮化硅薄膜，同时随着等离子能量的增强，沉积出的薄膜致密性增加，生产出多层渐进膜。沉积是的温度控制在380 — 410°C的范围内，多层渐进膜的折射率为1.8 — 2.4。，其设计符合理论，流程简单可行，材料利用率高，不仅极大节省了成本，而且在一定程度上，延长了太阳能电池的使用寿命，具有较大的推广价值。【主权项】1.，其特征在于:在电池片表面通过等离子体化学气相沉积法镀膜，镀膜的具体工艺为，在薄膜沉积初期，NH3与SiH、的气体比例控制在1:0.37左右，采取适当低的等离子体激发能量，沉积低致密性的薄膜，随着薄膜的生长，等离子体激发能量逐渐增加，NH3与SiH、的气体比例逐渐由1:0.4降低至1:0.2，在薄膜外层生长出贫硅的氮化硅薄膜，同时随着等离子能量的增强，沉积出的薄膜致密性增加，生产出多层渐进膜，沉积是的温度控制在280— 410°C的范围内，多层渐进膜的折射率为1.8 — 2.4。【专利摘要】本专利技术公开了，在电池片表面通过等离子体化学气相沉积法镀膜，镀膜的具体工艺为，在薄膜沉积初期，NH3与SiH、的气体比例控制在1∶0.37左右，采取适当低的等离子体激发能量，沉积低致密性的薄膜，随着薄膜的生长，等离子体激发能量逐渐增加，NH3与SiH、的气体比例逐渐由1∶0.4降低至1∶0.2，在薄膜外层生长出贫硅的氮化硅薄膜，同时随着等离子能量的增强，沉积出的薄膜致密性增加，生产出多层渐进膜。沉积是的温度控制在280-410℃的范围内，多层渐进膜的折射率为1.8-2.4。【IPC分类】H01L31/18, H01L21/205【公开号】CN104979423【申请号】CN201410132906【专利技术人】王晓蕊 【申请人】哈尔滨市宏天锐达科技有限公司【公开日】2015年10月14日【申请日】2014年4月3日本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种节能太阳能电池表面处理方法，其特征在于：在电池片表面通过等离子体化学气相沉积法镀膜，镀膜的具体工艺为，在薄膜沉积初期，NH3与SiH、的气体比例控制在1:0. 37左右，采取适当低的等离子体激发能量，沉积低致密性的薄膜，随着薄膜的生长，等离子体激发能量逐渐增加，NH3与SiH、的气体比例逐渐由1：0.4降低至1：0.2，在薄膜外层生长出贫硅的氮化硅薄膜，同时随着等离子能量的增强，沉积出的薄膜致密性增加，生产出多层渐进膜，沉积是的温度控制在280—410℃的范围内，多层渐进膜的折射率为1.8一2.4。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：王晓蕊，
申请(专利权)人：哈尔滨市宏天锐达科技有限公司，
类型：发明
国别省市：黑龙江;23