本发明专利技术公开了一种节能太阳能晶体硅电池制作方法，太阳能电池制绒后的硅片衬底的第一表面进行硼扩散，与所第一表面对应的第二表面进行磷扩散，所述硅片衬底进行硼扩散的一面制作第一电极，以及在硅片衬底进行磷扩散的一而制作第二电极，硅片衬底具体为P型硅片，制绒后的P型硅片的第一表面抛光，并进行硼扩散，形成背电场，形成背电场的P犁硅片的第二表而抛光，进行磷扩散，形成PN结，第一电极具体为太阳能电池负电极，所述第二电极具体为太阳能电池正电极，P型硅片抛光面上涂覆硼扩乳胶源，并进行烘焙。本发明专利技术提出的一种节能太阳能晶体硅电池制作方法，其设计符合理论，流程简单可行，材料利用率高，不仅极大节省了成本，而且在一定程度上，延长了太阳能电池的使用寿命，具有较大的推广价值。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种电池制造技术，特别涉及，属于太阳能节能
技术介绍
太阳能电池是一种可以将能量转换的光电元件，其基本构造是运用P型与N型半导体接合而成的。半导体最基本的材料是“硅”，它是不导电的，但如果在半导体中掺入不同的杂质，就可以做成P型与N型半导体，再利用P型半导体有个空穴(P型半导体少了一个带负电荷的电子，可视为多了一个正电荷)，与N型半导体多了一个自由电子的电位差来产生电流，所以当太阳光照射时，光能将硅原子中的电子激发出来，而产生电子和空穴的对流，这些电子和空穴均会受到内建电位的影响，分别被N型及P型半导体吸引，而聚集在两端。此时外部如果用电极连接起来，形成一个回路，这就是太阳能电池发电的原理，主要来自于PN行半导体的内建电场驱使电子电洞移动，并收集起来。因此，在电子与电洞移动的路径上的缺陷密度将会对于光电流的产生有绝对的影响简单的说，太阳光电的发电原理，是利用太阳能电池吸收0.4 μ m?1.1 μ m波长(针对硅晶)的太阳光，将光能直接转变成电能输出的一种发电方式。由于太阳能电池产生的电是直流电，因此若需提供电力给家电用品或各式电器则需加装直/交流转换器，换成交流电，才能供电至家庭用电或工业用电。
技术实现思路
本专利技术基于现有的太阳能电池的制造技术，采用创新性的科学原理，提出了，其设计符合理论，流程简单可行，材料利用率高，不仅极大节省了成本，而且在一定程度上，延长了太阳能电池的使用寿命。本专利技术解决其技术问题采用的技术方案是:，所述的太阳能电池制绒后的娃片衬底的第一表面进行硼扩散，与所第一表面对应的第二表面进行磷扩散，所述硅片衬底进行硼扩散的一面制作第一电极，以及在所述硅片衬底进行磷扩散的一而制作第二电极，所述硅片衬底具体为P型硅片，制绒后的P型硅片的第一表面抛光，并进行硼扩散，形成背电场，形成背电场的P犁硅片的第二表而抛光，进行磷扩散，形成PN结，所述第一电极具体为太阳能电池负电极，所述第二电极具体为太阳能电池正电极，所述P型硅片抛光面上涂覆硼扩乳胶源，并进行烘焙。进一步，所述扩散温度为1150摄氏度，扩散时间为1.5小时，通氧量为2.8升每分钟，所述烘焙温度为75——85°C，烘焙时间为28秒。进一步，所述在所述硅片衬底进行硼扩散的一面制作第一电极，在所述硅片衬底进行磷扩散的一面制作第二电极，所述硅片衬底进行硼扩散的一面丝网印刷第一电极，以及在所述硅片衬底进行磷扩散的一面丝网印刷第二电极，丝网印刷第一电极以及第二电极后的硅片衬底进行烧结。本专利技术的有益效果:本专利技术提出的，其设计符合理论，流程简单可行，材料利用率高，不仅极大节省了成本，而且在一定程度上，延长了太阳能电池的使用寿命，具有较大的推广价值。【具体实施方式】下面结合具体实例对本专利技术作进一步说明。，所述的太阳能电池制绒后的硅片衬底的第一表面进行硼扩散，与所第一表面对应的第二表面进行磷扩散，所述硅片衬底进行硼扩散的一面制作第一电极，以及在所述硅片衬底进行磷扩散的一而制作第二电极，所述硅片衬底具体为P型硅片，制绒后的P型硅片的第一表面抛光，并进行硼扩散，形成背电场，形成背电场的P犁硅片的第二表而抛光，进行磷扩散，形成PN结，所述第一电极具体为太阳能电池负电极，所述第二电极具体为太阳能电池正电极，所述P型硅片抛光面上涂覆硼扩乳胶源，并进行烘焙。进一步，所述扩散温度为1150摄氏度，扩散时间为1.5小时，通氧量为2.8升每分钟，所述烘焙温度为75——85°C，烘焙时间为28秒。进一步，所述在所述硅片衬底进行硼扩散的一面制作第一电极，在所述硅片衬底进行磷扩散的一面制作第二电极，所述硅片衬底进行硼扩散的一面丝网印刷第一电极，以及在所述硅片衬底进行磷扩散的一面丝网印刷第二电极，丝网印刷第一电极以及第二电极后的硅片衬底进行烧结。以上显示和描述了本专利技术的基本原理、主要特征和本专利技术的优点。本行业的技术人员应该了解，本专利技术不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是说明本专利技术的原理，在不脱离本专利技术精神和范围的前提下本专利技术还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本专利技术范围内。本专利技术要求保护范围由所附的权利要求书及其等同物界定。【主权项】1.，其特征在于:所述的太阳能电池制绒后的硅片衬底的第一表面进行硼扩散，与所第一表面对应的第二表面进行磷扩散，所述娃片衬底进行硼扩散的一面制作第一电极，以及在所述硅片衬底进行磷扩散的一而制作第二电极，所述硅片衬底具体为P型硅片，制绒后的P型硅片的第一表面抛光，并进行硼扩散，形成背电场，形成背电场的P型娃片的第二表而抛光，进行磷扩散，形成PN结，所述第一电极具体为太阳能电池负电极，所述第二电极具体为太阳能电池正电极，所述P型硅片抛光面上涂覆硼扩乳胶源，并进行烘焙。2.根据权利要求1所述的，其特征在于:所述扩散温度为1150摄氏度，扩散时间为1.5小时，通氧量为2.8升每分钟，所述烘焙温度为75——85 °C，烘焙时间为28秒。3.根据权利要求1所述的，其特征在于:所述在所述硅片衬底进行硼扩散的一面制作第一电极，在所述硅片衬底进行磷扩散的一面制作第二电极，所述硅片衬底进行硼扩散的一面丝网印刷第一电极，以及在所述硅片衬底进行磷扩散的一面丝网印刷第二电极，丝网印刷第一电极以及第二电极后的硅片衬底进行烧结。【专利摘要】本专利技术公开了，太阳能电池制绒后的硅片衬底的第一表面进行硼扩散，与所第一表面对应的第二表面进行磷扩散，所述硅片衬底进行硼扩散的一面制作第一电极，以及在硅片衬底进行磷扩散的一而制作第二电极，硅片衬底具体为P型硅片，制绒后的P型硅片的第一表面抛光，并进行硼扩散，形成背电场，形成背电场的P犁硅片的第二表而抛光，进行磷扩散，形成PN结，第一电极具体为太阳能电池负电极，所述第二电极具体为太阳能电池正电极，P型硅片抛光面上涂覆硼扩乳胶源，并进行烘焙。本专利技术提出的，其设计符合理论，流程简单可行，材料利用率高，不仅极大节省了成本，而且在一定程度上，延长了太阳能电池的使用寿命，具有较大的推广价值。【IPC分类】H01L31/18【公开号】CN104979424【申请号】CN201410137813【专利技术人】王晓蕊 【申请人】哈尔滨市宏天锐达科技有限公司【公开日】2015年10月14日【申请日】2014年4月8日本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种节能太阳能晶体硅电池制作方法，其特征在于：所述的太阳能电池制绒后的硅片衬底的第一表面进行硼扩散，与所第一表面对应的第二表面进行磷扩散，所述硅片衬底进行硼扩散的一面制作第一电极，以及在所述硅片衬底进行磷扩散的一而制作第二电极，所述硅片衬底具体为P型硅片，制绒后的P型硅片的第一表面抛光，并进行硼扩散，形成背电场，形成背电场的P型硅片的第二表而抛光，进行磷扩散，形成PN结，所述第一电极具体为太阳能电池负电极，所述第二电极具体为太阳能电池正电极，所述P型硅片抛光面上涂覆硼扩乳胶源，并进行烘焙。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：王晓蕊，
申请(专利权)人：哈尔滨市宏天锐达科技有限公司，
类型：发明
国别省市：黑龙江;23
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