一种铝基板及LED灯具制造技术

技术编号:12147130 阅读:121 留言:0更新日期:2015-10-03 03:28
本实用新型专利技术提出一种铝基板,用于承载LED芯片,所述铝基板包括铝底板、第一绝缘层、第一图案化的导电层。所述铝底板包括正面、背面及多个侧面,所述LED芯片放置在所述铝底板的侧面。所述第一绝缘层覆盖在所述铝底板的所述正面。所述第一图案化的导电层覆盖在所述第一绝缘层上。其中,所述第一绝缘层的厚度为50至100微米。本实用新型专利技术还提供一种使用上述铝基板的LED灯具。本实用新型专利技术的铝基板及使用其的LED灯具散热快,且结构稳定。

【技术实现步骤摘要】

本技术是关于发光二极管
,且特别是关于一种铝基板及LED灯具
技术介绍
发光二极管(light emitting d1de,LED)灯具由于其节能、安全、使用寿命长等特点而被广泛的应用。现有的LED灯具通常利用铝基板将多个LED芯片集成在一个线路板上。图1为现有技术的铝基板I的结构示意图。如图1所示,LED灯具的铝基板10 —般以铝底板11作为衬底,并在铝底板11上面涂覆树脂类材料作为绝缘层12,再在绝缘层12的部分区域覆盖铜箔作为图案化的导电层13,LED芯片20设置在绝缘层12上。由于树脂的导热系数较小,为了保证LED芯片20的散射速度,通常将树脂类材料的绝缘层12的厚度控制在一定范围内(小于50微米),但当位于绝缘层12的厚度较薄时,会造成铝底板11与导电层13之间的粘结力不够,而使得LED灯具容易因铝基板10的结构不稳定产生不良等问题。因此,有必要提供改进的技术方案以克服现有技术中存在的以上技术问题。
技术实现思路
本技术的目的是提供一种散热快,且结构稳定的铝基板。本技术提出一种铝基板,用于承载LED芯片,所述铝基板包括铝底板、第一绝缘层、第一图案化的导电层。所述铝底板包括正面、背面及多个侧面,所述LED芯片放置在所述铝底板的侧面。所述第一绝缘层覆盖在所述铝底板的所述正面。所述第一图案化的导电层覆盖在所述第一绝缘层上。其中,所述第一绝缘层的厚度为50至100微米。本技术还提供一种LED灯具,所述LED灯具包括铝基板,所述铝基板用于承载LED芯片,所述铝基板包括铝底板、第一绝缘层、第一图案化的导电层。所述铝底板包括正面、背面及多个侧面,所述LED芯片放置在所述铝底板的侧面。所述第一绝缘层覆盖在所述铝底板的所述正面。所述第一图案化的导电层覆盖在所述第一绝缘层上。其中,所述第一绝缘层的厚度为50至100微米。本技术还提供一种使用上述铝基板的LED灯具。本技术的铝基板及使用其的LED灯具散热快,且结构稳定的铝基板。本技术的有益效果是,本技术提供的铝基板及LED灯具将位于铝底板与导电层之间的的第一绝缘层的厚度设置为50至100微米,加强了铝底板与导电层之间的粘结力,使得铝基板的结构稳定,且将LED芯片设置在铝底板的侧面,有利于LED芯片的散热。上述说明仅是本技术技术方案的概述,为了能够更清楚了解本技术的技术手端,而可依照说明书的内容予以实施,并且为了让本技术的上述和其它目的、特征和优点能够更明显易懂,以下特举实施例,并配合附图,详细说明如下。【附图说明】图1为现有技术的销基板的结构不意图。图2为本技术第一实施例的铝基板的结构示意图。图3为本技术第二实施例的铝基板的结构示意图。图4为本技术第三实施例的铝基板的结构示意图。图5为本技术第四实施例的LED灯具的结构示意图。【具体实施方式】为更进一步阐述本技术为达成预定技术目的所采取的技术手端及功效,以下结合附图及较佳实施例,对依据本技术提出的铝基板的【具体实施方式】、结构、特征及其功效,详细说明如下:图2为本技术第一实施例的铝基板10的结构示意图。如图2所示,铝基板10用于承载LED芯片20,铝基板10包括铝底板11、第一绝缘层12、第一图案化的导电层13。铝底板11包括正面、背面及多个侧面,LED芯片20放置在铝底板11的侧面111。第一绝缘层12覆盖在铝底板11的正面。第一图案化的导电层13覆盖在第一绝缘层12上。其中,第一绝缘层12的厚度为50至100微米。其中,铝底板11可以但不限于为长条状。本技术提供的铝基板10将位于铝底板11与导电层13之间的的第一绝缘层12的厚度设置为50至100微米,加强了铝底板11与导电层13之间的粘结力,使得铝基板10的结构稳定,且将LED芯片20设置在铝底板11的侧面,有利于LED芯片20的散热,故本技术的铝基板10散热快,且结构稳定。图3为本技术第二实施例的铝基板10的结构示意图。如图3所示,铝基板10用于承载LED芯片20,铝基板10包括铝底板11、第一绝缘层12、第一图案化的导电层13。铝底板11包括正面、背面及多个侧面,LED芯片20放置在铝底板11的侧面111。第一绝缘层12覆盖在铝底板11的正面。第一图案化的导电层13覆盖在第一绝缘层12上。其中,第一绝缘层12的厚度为50至100微米。其中,铝底板11的侧面111上设置有凹槽111a,LED芯片20放置在凹槽Illa内。LED芯片20发出的光的形状由凹槽Illa的形状决定。本技术提供的铝基板10将位于铝底板11与导电层13之间的的第一绝缘层12的厚度设置为50至100微米,加强了铝底板11与导电层13之间的粘结力,使得铝基板10的结构稳定,且将LED芯片20设置在铝底板11的侧面,有利于LED芯片20的散热,此夕卜,能通过改变铝底板11的侧面的凹槽Illa形状,改变LED芯片20的光形,灵活性高。图4为本技术第二实施例的销基板10的结构不意图。如图4所不,销基板10除了包括如图3所示的铝底板11、第一绝缘层12、第一图案化的导电层13外,铝基板10还包括第二绝缘层12’、第二图案化的导电层13’。其中,第二绝缘层12’覆盖在铝底板11的背面。第二图案化的导电层13’覆盖在第二绝缘层12’上。本领域的技术人员可以理解的是,可以在铝底板11的侧面111上设置凹槽111a,并将LED芯片20放置在凹槽Illa内。本技术提供的铝基板10将位于铝底板11与导电层13之间的的第一绝缘层12的厚度设置为50至100微米,加强了铝底板11与导电层13之间的粘结力,使得铝基板10的结构稳定,且将LED芯片20设置在铝底板11的侧面,有利于LED芯片20的散热,此夕卜,能通过增加设置第二绝缘层12’及第二图案化的导电层13’,使得铝基板10能承载更多的LED芯片20。图5为本技术第四实施例的LED灯具的结构示意图。如图5所示,LED灯具包括铝基板10、LED芯片20,铝基板10包括铝底板11、第一绝缘层12、第一图案化的导电层13。铝底板11包括正面、背面及多个侧面,LED芯片20放置在铝底板11的侧面111。第一绝缘层12覆盖在铝底板11的正面。第一图案化的导电层13覆盖在第一绝缘层12上。其中,第一绝缘层12的厚度为50至100微米。其中,LED灯具还包括与铝基板10的侧面113相连的玻璃纤维板30。本领域的技术人员可以理解的是,可以在铝基板10的侧面111设置凹槽111a,LED芯片20设置在凹槽Illa内。本领域的技术人员可以理解的是,可以在铝基板10增加设置第二绝缘层12’、第二图案化的导电层13’。其中,第二绝缘层12’覆盖在铝底板11的背面。第二图案化的导电层13’覆盖在第二绝缘层12’上。本实施例的LED灯具不仅包括铝基板10还包括与铝基板10相连的玻璃纤维板30,有利于LED灯具的散热,而且可以通过玻璃纤维板30对LED灯具的线路进行进一步的扩展,增加了 LED灯具的灵活性。以上,仅是本技术的实施例而已,并非对本技术作任何形式上的限制,虽然本技术已以实施例揭露如上,然而并非用以限定本技术,任何熟悉本专业的技本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种铝基板,用于承载LED芯片,其特征在于,所述铝基板包括:铝底板,包括正面、背面及多个侧面,所述LED芯片放置在所述铝底板的侧面;第一绝缘层,所述第一绝缘层覆盖在所述铝底板的所述正面;以及第一图案化的导电层,所述第一图案化的导电层覆盖在所述第一绝缘层上;其中,所述第一绝缘层的厚度为50至100微米。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:林惠忠
申请(专利权)人:深圳市光之谷科技有限公司
类型:新型
国别省市:广东;44

网友询问留言 已有0条评论
  • 还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。

1