一种半导体用金属基板厚度测量仪制造技术

本实用新型专利技术涉及一种半导体用金属基板厚度测量仪。其包括：下部支座，其沿着竖直框架升降；上部加压台，其在所述下部支座的上部，沿着竖直框架进行升降；测量部，其包括下部接触尖端和上部接触尖端，测量所述下部接触尖端上端与上部接触尖端下端之间的距离；如果被测量体位于所述下部支座与上部加压台之间，那么，下部接触尖端与上部接触尖端接触被测量体的上下面，测量部测量距离。它能够迅速、精密地测量半导体金属基板的多地点厚度，能够在半导体用金属基板生产后的全数或抽样尺寸检查工序中，迅速、正确地测量平板的一个地点的厚度，在其它地点的厚度测量过程中，能够容易、迅速地移动位置。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种在通常具有0.5?1mm范围的设计厚度并在平板全部地点要求微米单位的精密度的半导体用金属基板厚度测量仪。
技术介绍
公开专利特1996-0028718号提供了一种基板厚度测量装置，具备:传送机框架，其由相互相向的上部及下部水平构件和相互连接它们的竖直构件构成；弹簧，其一端固定于所述上部水平构件的底面；基板固定用板，其安装于所述上下部水平构件之间，所述弹簧的另一端固定于上面；支撑基座，其提供有支撑印刷电路基板的底面的多个支撑销，能够使所述印刷电路基板相对于所述基板固定用板的底面而上升、贴紧；缸，其使所述支撑基座上升运动既定高度；及距离感知传感器，其安装于所述上部水平构件的上部一侧，能够向配置于所述支撑销与所述基板固定用板之间的印刷电路基板的上部照射激光束并测量距离；使得能够根据印刷电路基板的厚度而调节贴装机头部的下降距离。在半导体领域，散热特性优于原有塑料材质PCB基板的金属(特别是铝)基板的使用呈增加趋势，由于在半导体基板特性上，在5?30cm级别平面的全部地点中，厚度允许误差应在数微米以内，因此在厚度加工后，要求在金属平板上的基板的多地点进行精密厚度测量，但由于平板的弯曲等，在各地点进行精密检测厚度方面存在困难。
技术实现思路
(要解决的技术问题)本技术旨在提供一种半导体用金属基板厚度测量仪，能够迅速、精密地测量例如横向纵向5?30cm左右、厚度0.5?1mm范围级别的半导体金属基板的多地点(例如6?8点)厚度。本技术旨在提供一种半导体用金属基板厚度测量仪，能够在半导体用金属基板生产后的全数或抽样尺寸检查工序中，迅速、正确地测量平板的一个地点的厚度，在其它地点的厚度测量过程中，能够容易、迅速地移动位置。(解决问题的手段)一种半导体用金属基板厚度测量仪，其特征在于，包括:下部支座，其沿着竖直框架升降；上部加压台，其在所述下部支座的上部，沿着竖直框架进行升降；测量部，其包括下部接触尖端和上部接触尖端，测量所述下部接触尖端上端与上部接触尖端下端之间的距离；如果被测量体位于所述下部支座与上部加压台之间，那么，下部接触尖端与上部接触尖端接触被测量体的上下面，测量部测量距离。竖直框架，其在下部的底座上向上直立地形成；第I下部升降块，其位于所述竖直框架的下部前方，借助于第I空压驱动部而沿第I导轨升降；所述下部支座上形成有下部接触尖端通过槽，所述下部支座加装于所述第I下部升降块的前方，支撑所述被测量体的下面；第2上部升降块，其位于所述竖直框架的上部前方，借助于第2空压驱动部而沿第2导轨升降，所述第2导轨竖直设置于竖直框架上；上部加压台，其形成有上部接触尖端通过槽，加装于所述第2上部升降块的前方，加压把持所述被测量体的上面；第2竖直框架，其在所述底座上向上直立地形成，第3导轨，其竖直设置于第2竖直框架上；测量部升降块，其在搭载所述测量部的状态下，借助于第3空压驱动部而沿着第3导轨升降；上部接触尖端升降部，其由固定于所述测量部升降块并与所述测量部升降块一同一体移动的第4空压驱动部、借助于所述第4空压驱动部而升降并使所述上部接触尖端升降的上部接触尖端把持部构成。(技术的效果)根据本技术，提供一种半导体用金属基板厚度测量仪，能够迅速、精密地测量例如横向纵向5?30cm左右、厚度0.5?1mm范围级别的半导体金属基板的多地点(例如6?8点)厚度。根据本技术，提供了一种半导体用金属基板厚度测量仪，能够在半导体用金属基板生产后的全数或抽样尺寸检查工序中，迅速、正确地测量平板的一个地点的厚度，在其它地点的厚度测量过程中，能够容易、迅速地移动位置。【附图说明】图1是本技术一个实施例的半导体用金属基板厚度测量仪整体立体图。图2是本技术一个实施例的半导体用金属基板厚度测量仪立体图。图3是本技术一个实施例的半导体用金属基板厚度测量仪主视图。图4是本技术一个实施例的半导体用金属基板厚度测量仪侧视图。图5(a，b，c)是本技术一个实施例的半导体用金属基板厚度测量仪运转状态图(初始位置、下部支座及上部加压板加压状态、下部接触尖端及上部接触尖端接触状态)。图6是显示本技术一个实施例的半导体用金属基板的测量地点的构成图。〈符号说明〉B:底座10:竖直框架20:第I下部升降块21:第I空压驱动部30:下部支座40:第2上部升降块41:第2空压驱动部50:上部加压台60:测量部Pl:下部接触尖端P2:上部接触尖端70:测量部升降块71:测量部升降块80:上部接触尖端升降部81:第4空压驱动部85:上部接触尖端把持部90:三自由度移送部【具体实施方式】下面对本技术一个实施例的半导体用金属基板厚度测量仪及测量方法进行详细说明。图1是本技术一个实施例的半导体用金属基板厚度测量仪整体立体图，图2是本技术一个实施例的半导体用金属基板厚度测量仪立体图，图3是本技术一个实施例的半导体用金属基板厚度测量仪主视图，图4是本技术一个实施例的半导体用金属基板厚度测量仪侧视图，图5(a，b，c)是本技术一个实施例的半导体用金属基板厚度测量仪运转状态图，图6是显示本技术一个实施例的半导体用金属基板的测量地点的构成图。如图1至图4所示，本技术一个实施例的半导体用金属基板厚度测量仪包括:下部支座30，其沿着竖直框架10升降；上部加压台50，其在所述下部支座30的上部，沿着竖直框架10进行升降；测量部60，其包括下部接触尖端Pl和上部接触尖端P2，测量所述下部接触尖端Pl上端与上部接触尖端P2下端之间的距离；如果被测量体位于所述下部支座30与上部加压台50之间，那么，下部接触尖端Pl与上部接触尖端P2接触被测量体的上下面，测量部60测量距离。优选的，本技术的半导体用金属基板厚度测量仪还包括:竖直框架10，其在下部的底座B上向上直立地形成；第I下部升降块20，其位于所述竖直框架10的下部前方，借助于第I空压驱动部21而沿第I导轨Rl升降；所述下部支座30上形成有下部接触尖端通过槽30a，所述下部支座30加装于所述第I下部升降块20的前方，支撑所述被测量体S的下面；第2上部升降块40，其位于所述竖直框架10的上部前方，借助于第2空压驱动部41而沿第2导轨升降，所述第2导轨竖直设置于竖直框架10上；上部加压台50，其形成有上部接触尖端通过槽50a，加装于所述第2上部升降块40的前方，加压把持所述被测量体S的上面；第2竖直框架15，其在所述底座B上向上直立地形成，第3导轨R3，其竖直设置于第2竖直框架15上；测量部升降块70，其在搭载所述测量部60的状态下，借助于第3空压驱动部71而沿着第3导轨R3升降；上部接触尖端升降部80，其由固定于所述测量部升降块70并与所述测量部升降块70 —同一体移动的第4空压驱动部81、借助于所述第4空压驱当前第1页1 2 本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体用金属基板厚度测量仪，其特征在于，包括：下部支座(30)，其沿着竖直框架(10)升降；上部加压台(50)，其在所述下部支座(30)的上部，沿着竖直框架(10)进行升降；测量部(60)，其包括下部接触尖端(P1)和上部接触尖端(P2)，测量所述下部接触尖端(P1)上端与上部接触尖端(P2)下端之间的距离；如果被测量体位于所述下部支座(30)与上部加压台(50)之间，那么，下部接触尖端(P1)与上部接触尖端(P2)接触被测量体的上下面，测量部(60)测量距离。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：表基弘，
申请(专利权)人：阿博株式会社，
类型：新型
国别省市：韩国;KR