【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体行业膜厚精密测量
,特别涉及一种全局金属膜厚度测量装置。
技术介绍
随着集成电路(IC)制造技术的发展,晶圆尺寸达到直径300mm以上,特征线宽已达到45nm以下,采用新的半导体、导体和介电材料以克服集成度提高所带来的功耗和信号延迟方面的问题。铜互连延迟限制了 IC向更高速发展,低k介质、小线宽及多层数是改善的有效途径。但低k介质层的机械强度远小于铜线,导致传统的大应力CMP抛光容易撕裂。 其解决方案是采用两步抛光法,即先采用大应力CMP将铜层抛光到一定厚度,然后再利用无应力抛光。在第二步无应力抛光前,需要精确确定工件上各个点的铜膜厚度,电涡流方法是非接触式测量方法,不破坏铜膜,精度高,较为适用,在实际应用过程遇到的问题主要是提离(即电涡流传感器与被测薄膜间的距离)的不稳定,影响膜厚测量精度。
技术实现思路
为了克服上述现有技术的不足,本专利技术的目的在于提供一种全局金属膜厚度测量装置,实现测头与工件间隙的自适应,不受工件厚度和机械运转精度的影响,将提离高度稳定在一个较小范围内,实现了对工件膜厚度的快速准确全局测量。为了实现上述目的,本专利技术采用的技术方案是一种全局金属膜厚度测量装置,包括底座10,其特征在于,底座10上固定有转台 20和直线单元30,转台20包括定子部分21和转子部分22,定子部分21固定在底座10上, 转子部分22上固定工作台50,工作台50内有真空管路,转子部分22的旋转接头23与所述真空管路相连,直线单元30包括导轨31和可沿导轨31滑动的滑块32,导轨31固定在底座 10上,滑块32上固定连接水平的悬臂4 ...
【技术保护点】
1.一种全局金属膜厚度测量装置,包括底座(10),其特征在于,底座(10)上固定有转台(20)和直线单元(30),转台(20)包括定子部分(21)和转子部分(22),定子部分(21)固定在底座(10)上,转子部分(22)上固定工作台(50),工作台(50)内有真空管路,转子部分(22)的旋转接头(23)与所述真空管路相连,直线单元(30)包括导轨(31)和可沿导轨(31)滑动的滑块(32),导轨(31)固定在底座(10)上,滑块(32)上固定连接水平的悬臂(40),悬臂(40)的另一端设置有与工作台(50)台面相对的测头(80),测头(80)内设置电涡流探头(82)。
【技术特征摘要】
1.一种全局金属膜厚度测量装置,包括底座(10),其特征在于,底座(10)上固定有转台00)和直线单元(30),转台00)包括定子部分和转子部分(22),定子部分固定在底座(10)上,转子部分02)上固定工作台(50),工作台(50)内有真空管路,转子部分0 的旋转接头与所述真空管路相连,直线单元(30)包括导轨(31)和可沿导轨(31)滑动的滑块(32),导轨(31)固定在底座(10)上,滑块(3 上固定连接水平的悬臂 (40),悬臂00)的另一端设置有与工作台(50)台面相对的测头(80),测头(80)内设置电涡流探头(82)。2.根据权利要求1所述的全局金属膜厚度测量装置,其特征在于,所述直线单元(30) 为直线电机,或者为导轨丝杠单元配合电机,悬臂GO)固定在电机上。3.根据权利要求1所述的全局金属膜厚度测量装置,其特征在于,所述电涡流探头 (82)为轴对称线圈(821)。4.根据权利要求1所述的全局金属膜厚度测量装置,其特征在于,电涡流探头(82)由信号发生器提供信号,并由信号采集卡采集探头信号。5.根据权利要求4所述的全局金属膜厚度测量装置,其特征在于,所述信号发生器提供信号为 1ΚΗζ、ΙΗζ、4ΚΗζ、8ΚΗζ、16ΚΗζ、3ΙΗζ、64ΚΗζ、Κ8ΚΗζ、51ΙΗζ、1ΜΗζ、2ΜΗζ、4ΜΗζ、 8MHz、16MHz的序列信号。6.一种全局金属膜厚度测量装置,包括底座(10),其特征在于,底座(10...
【专利技术属性】
技术研发人员:赵德文,曲子濂,路新春,赵乾,何永勇,孟永钢,雒建斌,
申请(专利权)人:清华大学,
类型:发明
国别省市:11
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