【技术实现步骤摘要】
【专利说明】半导体装置相关申请的引用:本申请基于2014年3月13日申请的日本专利申请第2014 —050789号的优先权利益，并且要求该优先权利益，在本申请中通过引用包含该在先申请的全部内容。
本专利技术的实施方式一般而言涉及半导体装置。
技术介绍
例如，有在硅基板的(111)面上设置含有氮化镓的半导体元件的例子。另一方面，也有在硅基板的(100)面上设置半导体元件的例子。例如，还有将在(111)面上形成的半导体元件和在(100)面上形成的半导体元件层叠而成的半导体装置。在半导体装置中，要求高性能且稳定的特性。
技术实现思路
本专利技术的实施方式提供一种高性能且特性稳定的半导体装置。实施方式提供一种半导体装置，具备:娃基板，包含有:第一部分，具有第一面；和第二部分；具有与所述第一面之间的角度为125度以上126度以下的第二面；第一半导体元件，设置在所述第一部分；第一半导体层，设置在所述第二面之上；以及第二半导体元件，设置在所述第一半导体层。实施方式能够获得高性能且特性稳定的半导体装置。【附图说明】图1(a)?图1(c)是示例实施方式的半导体装置的示意图。图2...
【技术保护点】
一种半导体装置，其中，具备：硅基板，包含有：第一部分，具有第一面；和第二部分；具有与所述第一面之间的角度为125度以上126度以下的第二面；第一半导体元件，设置在所述第一部分；第一半导体层，设置在所述第二面之上；以及第二半导体元件，设置在所述第一半导体层。
【技术特征摘要】
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