具有绝缘栅极的常闭型氮化镓晶体管及其制作方法技术

一种常闭型晶体管，包括沟道层；覆盖沟道层的电子供应层；在电子供应层上的源电极和漏电极；在电子供应层中位于源电极和漏电极之间的区域，所述区域在通过氟基等离子体进行处理之后通过氯基等离子体进行处理；覆盖所述区域的栅极绝缘层；以及覆盖所述栅极绝缘层的栅电极。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】【专利说明】相关申请的交叉引用本申请涉及并要求于2012年6月7日提交的美国临时专利申请N0.61/656，573的优先权，其全部内容通过引用合并于此。本申请还涉及并要求于2012年9月6日提交的美国专利申请N0.13/604, 983的优先权，其全部内容通过引用合并于此。
本公开涉及II1-氮化物晶体管，例如氮化镓(GaN)场效应晶体管(FET)，尤其涉及常闭型II1-氮化物晶体管。
技术介绍
GaN FET为具有包括功率开关应用等很多用途的固态器件。一些值得注意的功率开关应用包括节能汽车(例如混合动力和燃料电池汽车)和高效功率转换模块。典型的GaN FET以耗尽模式或“常开”结构制成。为安全起见，系统设计要求“常闭”型或增强模式的功率开关。在本说明书中，“常开”意味着在没有电压施加于场效应晶体管的栅极上时晶体管可以导电。“常闭”意味着除非有电压施加于晶体管的栅极，否则晶体管基本上不导电或只能传导很小的电流。在下述文献中已经描述了一种将常开型器件转换为常闭型器件的现有技术的方法:Y.Cai, Y.G.Zhou, K.J.Chen,和 K.M.Lau，“High-performa本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种常闭型晶体管，包括：沟道层；覆盖所述沟道层的电子供应层；在所述电子供应层上的源电极和漏电极；在所述电子供应层中位于源电极和漏电极之间的区域，所述区域在通过氟基等离子体进行处理之后进行氯基等离子体处理；覆盖所述区域的栅极绝缘层；以及覆盖所述栅极绝缘层的栅电极。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：储荣明，布莱恩·休斯，安德烈娅·科里翁，肖恩·D·伯纳姆，卡里姆·S·保特罗斯，
申请(专利权)人：HRL实验室有限责任公司，
类型：发明
国别省市：美国;US