多层基底结构以及制造其的方法和系统技术方案
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】【专利说明】 相关申请的夺叉引用 本申请要求2012年6月22日提交的临时申请第61/662,918号、2012年6月14 日提交的临时申请第61/659,944号，2013年3月11日提交的正式申请第13/794, 372号、 2013年3月11日提交的正式申请第13/794, 285号的优先权，其内容在此通过引用方式全 部并入。
本专利技术的示例的实施方式大体涉及半导体材料、方法和设备，且更具体地涉及用 于第III-V族化合物半导体的外延生长的多层基底结构以及用于制造其的系统。
技术介绍
第III-V族化合物半导体诸如氮化镓（GaN)、砷化镓（GaAs)、氮化铟（InN)、氮化铝 (AIN)和磷化镓（GaP)被广泛用于电子设备诸如微波频率集成电路、发光二极管、激光二极 管、太阳能电池、高功率和高频率电子产品以及光电设备的制造中。为了改善吞吐量并且降 低制造成本，期望增加基底的尺寸（如，直径）。由于大尺寸的III-V化合物半导体的生长 是非常昂贵的，因此许多外来物质，包括金属、金属氧化物、金属氮化物，以及半导体，诸如 碳化硅（SiC)、蓝宝石和硅，通常被...
【技术保护点】
一种多层基底结构，包括：第一化学元素，所述第一化学元素在室温下具有六边的密堆结构，所述六边的密堆结构在高于室温的α‑β相转变温度下转换成体心立方结构，所述第一化学元素的所述六边的密堆结构具有第一晶格参数；以及第二化学元素，所述第二化学元素在室温下具有六边的密堆结构且具有与所述第一化学元素类似的化学性质，所述第二化学元素的所述六边的密堆结构具有第二晶格参数；所述第二化学元素与所述第一化学元素可混溶以在室温下形成具有六边的密堆结构的合金，其中所述合金的晶格常数约等于第III‑V族化合物半导体的成员的晶格常数。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：因德拉尼尔·德，F·马丘卡，
申请(专利权)人：帝维拉公司，
类型：发明
国别省市：美国;US
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