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一种常闭型晶体管，包括沟道层；覆盖沟道层的电子供应层；在电子供应层上的源电极和漏电极；在电子供应层中位于源电极和漏电极之间的区域，所述区域在通过氟基等离子体进行处理之后通过氯基等离子体进行处理；覆盖所述区域的栅极绝缘层；以及覆盖所述栅极绝缘...
该专利属于HRL实验室有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过HRL实验室有限责任公司授权不得商用。

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