半导体装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种能够提高恢复耐量的半导体装置。半导体装置具备：第1导电型的第1半导体层(11)，具有第1面(11a)和与第1面对置的第2面(11b)；第2导电型的第2半导体层(12)，设置于第1面侧；第2导电型的第3半导体层(13)，部分地设置在第2半导体层内；第1导电型的第4半导体层(14)，设置在第1半导体层与第2半导体层之间，具备与第3半导体层对置且具有第1杂质浓度的第1区域(14a)、以及具有比第1杂质浓度高的第2杂质浓度的第2区域(14b)；第1导电型的第5半导体层(15)，设置于第2面；导电体(16)，经由绝缘膜(17)与第1半导体层、第2半导体层以及第3半导体层相接。

【技术实现步骤摘要】
【专利说明】半导体装置相关申请的交叉引用本申请享受以日本专利申请2014 — 43040号(申请日:2014年3月5日)为基础申请的优先权。本申请通过参照该基础申请包括基础申请的全部内容。
本专利技术的实施方式涉及半导体装置。
技术介绍
作为高耐压且对大电流进行控制的功率半导体装置，广泛使用IGBT(InsulatedGate Bipolar Transistor,绝缘栅双极型晶体管)。在将IGBT作为开关元件来利用的情况下，一般将耐压系数(日语:耐圧系)相同的Pin 二极管并联连接。近年来，将IGBT和pin 二极管一体化的半导体装置的研究正在发展，但要求进一步提闻关断时的pin _■极管的恢复耐量。
技术实现思路
本专利技术提供一种能够提高恢复耐量的半导体装置。根据一个实施方式，半导体装置具备:第I导电型的第I半导体层，具有第I面和与所述第I面对置的第2面；第2导电型的第2半导体层，设置于所述第I面侧；第2导电型的第3半导体层，部分地设置在所述第2半导体层内；第I导电型的第4半导体层，设置在所述第I半导体层与所述第2半导体层之间，具有与所述第3半导体层对置且具有第I杂质浓度的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体装置，其特征在于，具备：第1导电型的第1半导体层，具有第1面和与所述第1面对置的第2面；第2导电型的第2半导体层，设置于所述第1面侧；第2导电型的第3半导体层，部分地设置在所述第2半导体层内；第1导电型的第4半导体层，设置在所述第1半导体层与所述第2半导体层之间，具有与所述第3半导体层对置且具有第1杂质浓度的第1区域、以及具有比所述第1杂质浓度高的第2杂质浓度的第2区域；第1导电型的第5半导体层，设置于所述第2面；导电体，经由绝缘膜与所述第1半导体层、所述第2半导体层以及所述第3半导体层相接；第1电极，与所述第2半导体层、所述第3半导体层以及所述导电体电连接；以及第2电极，与所述第5...

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：下条亮平，田中文悟，
申请(专利权)人：株式会社东芝，
类型：发明
国别省市：日本;JP