一种鳍式二极管及其制备方法技术

本发明专利技术提供了一种鳍式二极管及其制备方法，包括：提供一具有第一掺杂类型的衬底；刻蚀所述衬底，于所述衬底内形成若干鳍状结构；沉积一掩膜层覆盖在所述沟槽底部；在所述鳍状结构顶部制备一外延层，且该外延层将位于所述鳍状结构顶部的部分侧壁予以覆盖；对所述外延层进行掺杂，使所述外延层具有第二掺杂类型。本发明专利技术通过采用一具有离子掺杂类型的衬底制备形成鳍状结构，然后在鳍状结构顶部和部分侧壁制备一外延层，并使对该外延层进行原位掺杂，使得鳍状结构与外延层的掺杂类型相反，在两者接触面形成P-N异质结，有利于增加结接触面积，同时可控制原位掺杂的参数来对二极管的电学性能进行调整。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及场效应晶体管制备领域，具体涉及。
技术介绍
场效应晶体管(Field Effect Transistor, FET)由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高(10~7?10~12Ω)、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，被广泛应用于半导体制备领域中。随着FET技术的不断成熟以及人们对高性能器件的不断追求，力口州大学伯克利分校的胡正明教授研发一种新型的场效晶体管-Fin FET (鳍式场效晶体管)，在Fin FET的架构中，闸门成类似鱼鳍的叉状3D架构，可于电路的两侧控制电路的接通与断开。这种设计可以大幅改善电路控制并减少漏电流(leakage current),也可以大幅缩短晶体管的闸长；因此Fin FET具有功耗低，面积小的优点，同时可以有效抑制短沟道效应以及较低的漏极感应势垒降低效应，目前已逐渐被大批量投入生产。由于Fin FET具有上述优点，本领域技术人员一直致力于该领域研究，以将FinFET应用到二极管制备领域中，但是在二极管的Fin FET由于是一个平面的结构，即F本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种鳍式二极管的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：提供一具有第一掺杂类型的衬底；刻蚀所述衬底，于所述衬底内形成若干鳍状结构，且相邻鳍状结构之间形成有沟槽；沉积一掩膜层覆盖在所述沟槽底部表面；在所述鳍状结构顶部制备一外延层，且该外延层将位于所述鳍状结构顶部的侧壁予以覆盖；对所述外延层进行掺杂，使所述外延层具有第二掺杂类的型；其中，所述第一掺杂类型与所述第二掺杂类型相反。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：陶佳佳，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31