半导体装置制造方法及图纸

一种半导体装置，具备：第一电极；第一导电型的第一半导体层；比第一半导体层的杂质浓度低的第一导电型的第二半导体层；设置在第二半导体层的一部分上的第二导电型的第一半导体区域；与第一半导体区域相接的第二导电型的第二半导体区域；设置在第一半导体区域的至少一部分上的第二导电型的第三半导体区域；以及设置在第一半导体区域、第二半导体区域及第三半导体区域之上的第二电极。第三半导体区域的与第二电极的接触面上的杂质浓度比第一半导体区域的杂质浓度及第二半导体区域的与第二电极的接触面上的杂质浓度高。由第一半导体区域和第一半导体层夹着的第二半导体层的厚度比由第二半导体区域和第一半导体层夹着的第二半导体层的厚度薄。

【技术实现步骤摘要】
关联申请：本申请享受以日本专利申请2012-244778号(申请日：2012年11月6日)及日本专利申请2013-110390号(申请日：2013年5月24日)为基础申请的优先权。本申请通过参照这些基础申请而包含基础申请的全部内容。
本专利技术的实施方式涉及一种半导体装置。
技术介绍
近年来，作为变换器等功率转换装置所使用的半导体元件，使用有IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor：绝缘栅双极型晶体管)、二极管等。二极管一般被用作为回流用二极管，与IGBT反并联连接。因此，二极管被称为FWD(Free Wheeling Diode：续流二极管)。在变换器等功率转换装置的特性改善中，与IGBT的特性改善相并行而FWD的特性改善变得重要。作为FWD的重要特性，存在通态电压(导通状态下的电压降)、开关时间(关断时的恢复电流的熄灭时间)及关断时的安全动作区域(即使在流动有恢复电流的状态下被施加电压也不破坏的区域)等。此外，关于FWD，更优选关断时本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体装置，其中，具备：第一电极；第二电极；第一导电型的第一半导体层，设置在上述第一电极与上述第二电极之间；第一导电型的第二半导体层，设置在上述第一半导体层与上述第二电极之间，具有比上述第一半导体层的杂质浓度低的杂质浓度；第二导电型的第一半导体区域，设置在上述第二半导体层的一部分与上述第二电极之间；第二导电型的第二半导体区域，设置在上述第二半导体层的与上述一部分不同的部分与上述第二电极之间，与上述第一半导体区域相接；以及第二导电型的第三半导体区域，设置在上述第一半导体区域的至少一部分与上述第二电极之间，上述第三半导体区域的与上述第二电极相接的面上的上述第三半导体区域的杂质浓度，比上述第一半...

【技术特征摘要】
2012.11.06 JP 2012-244778;2013.05.24 JP 2013-11031.一种半导体装置，其中，
具备：
第一电极；
第二电极；
第一导电型的第一半导体层，设置在上述第一电极与上述第二电极之
间；
第一导电型的第二半导体层，设置在上述第一半导体层与上述第二电
极之间，具有比上述第一半导体层的杂质浓度低的杂质浓度；
第二导电型的第一半导体区域，设置在上述第二半导体层的一部分与
上述第二电极之间；
第二导电型的第二半导体区域，设置在上述第二半导体层的与上述一
部分不同的部分与上述第二电极之间，与上述第一半导体区域相接；以及
第二导电型的第三半导体区域，设置在上述第一半导体区域的至少一
部分与上述第二电极之间，
上述第三半导体区域的与上述第二电极相接的面上的上述第三半导体
区域的杂质浓度，比上述第一半导体区域的与上述第二电极相接的面上的
上述第一半导体区域的杂质浓度及上述第二半导体区域的与上述第二电极
相接的面上的上述第二半导体区域的杂质浓度高，
由上述第一半导体区域和上述第一半导体层夹着的上述第二半导体层
的厚度，比由上述第二半导体区域和上述第一半导体层夹着的上述第二半
导体层的厚度薄。
2.如权利要求1所述的半导体装置，其中，
上述第一半导体区域在上述第一半导体区域与上述第二半导体层的接
合部具有上述接合部弯曲的弯曲部。
3.如权利要求1所述的半导体装置，其中，
在将上述第一电极侧设为下侧、上述第二电极侧设为上侧时，上述第
三半导体区域位于上述弯曲部的至少正上方附近。
4.如权利要求2所述的半导体装置，其中，
在将上述第一电极侧设为下侧、上述第二电极侧设为上侧时，上述第
三半导体区域位于上述弯曲部的至少正上方附近。
5.如权利要求1所述的半导体装置，其中，
上述第一半导体区域及上述第二半导体区域与上述第二电极进行肖特
基接合。
6.如权利要求1所述的半导体装置，其中，
上述第三半导体区域与上述第二电极进行欧姆接合。
7.如权利要求1所述的半导体装置，其中，
上述第三半导体区域设置在上述第一半导体区域的上述至少一部分与
上述第二电极之间，并且设置在上述第二半导体区域的一部分与上述第二
电极之间。
8.如权利要求7所述的半导体装置，其中，
进一步具备与上述第一半导体区域、上述第二电极及上述第三半导体
区域相接的布线层。
9.如权利要求1所述的半导体装置，其中，
在上述第三半导体区域与上述第二电极之间进一步具备连接区域。
10.如权利要求1所述的半导体装置，其中，
进一步具备连接区域，该连接区域与上述第二电极连接，且除了与上
述第二电极连接的部分以外由上述第三半导体区域包围。
11.如权利要求9所述的半导体装置，其中，
上述连接区域与上述第一电极之间的距离比上述第二半导体区域与上
述第一电极之间的距离短。
12.一种半导体装置，其中，
具备：
第一电极；
第二电极；
第一...

【专利技术属性】
技术研发人员：小仓常雄，末代知子，押野雄一，三须伸一郎，池田佳子，中村和敏，
申请(专利权)人：株式会社东芝，
类型：发明
国别省市：