【技术实现步骤摘要】
—种PIN 二极管的电极结构
本专利技术属于二极管
，特别涉及一种PIN 二极管的封装结构。
技术介绍
目前电力半导体逆变器装置用的关键器件一般采用二极管，具体来分，有PN型和PIN 型。PIN 二极管的常规结构为:本征半导体层夹在P型和η型半导体层之间，构成三文治式的横向三层结构。这种常规的横向PIN 二极管在小型化方面受到限制，因为在横向形成的PIN 二极管的情况下，降低特征尺寸导致P层、i层和η层之间的结面积受到限制。中国已授权专利CN100583460C公开了一种PIN 二极管，其采用的结构在一定程度上能够改善降低特征尺寸而限制的结面积。但是该专利公开的PIN 二极管的灵敏度还是不足。而且现有技术中PIN 二极管的电极一般都仅在P掺杂层和N掺杂层的部分表面上形成，这种结构在封装时，往往仅能以垂直方式放置在封装体中，从而限制了封装的便利性。
技术实现思路
:本专利技术提出了一种PIN 二极管的封装结构，本专利技术的封装结构采用一种新颖结构的PIN 二极管，通过对该PIN 二极管进行封装，从而得到解决现有技术中灵敏度不足的二极管封装体，并且该PIN 二极管能...
【技术保护点】
一种PIN二极管的封装结构，其特征在于：在封装基板上具有穿透该基板的第一和第二贯通孔，在该第一和第二贯通孔中填充有由导电金属材料构成的第一焊盘和第二焊盘；PIN二极管放置在所述基板上，使得PIN二极管的p电极与第一焊盘电连接，所述PIN二极管的n电极与第二焊盘电连接；在基板上还具有树脂外壳，PIN二极管位于基板与树脂外壳共同构成的空间中。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：童小春，
申请(专利权)人：溧阳市宏达电机有限公司，
类型：发明
国别省市：
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