一种带有p型氮化镓埋层的垂直氮化镓基异质结场效应晶体管制造技术

本发明专利技术提供了一种带有p型氮化镓埋层的垂直氮化镓基异质结场效应晶体管，从下至上依次主要由漏极，n+-GaN衬底，n-GaN缓冲层，p-GaN电流阻挡层，GaN沟道层，AlGaN势垒层，以及AlGaN势垒层上的源极和栅极，源极与漏极均为欧姆接触，栅极为肖特基接触，该晶体管还包括位于n-GaN缓冲层内，p-GaN电流阻挡层与n+-GaN衬底之间的p-GaN埋层。本发明专利技术中，通过p型GaN埋层与n-GaN缓冲层之间形成的p-n结来扩展截止状态下n-GaN缓冲层内的耗尽区域，提升n-GaN缓冲层内电场强度，从而提高器件击穿电压。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体器件领域，具体是指一种带有P型氮化镓埋层的垂直氮化镓基异质结场效应晶体管。
技术介绍
氮化嫁基异质结场效应晶体管(GaN Heterojunction Fiele-EffectTransistor，GaN HFET)不但具有禁带宽度大、临界击穿电场高、电子饱和速度高、导热性能好、抗辐射和良好的化学稳定性等优异特性，同时氮化镓(GaN)材料可以与铝镓氮(AlGaN)等材料形成具有高浓度和高迁移率的二维电子气异质结沟道，因此特别适用于高压、大功率和高温应用，是电力电子应用最具潜力的晶体管之一。现有的高耐压GaN HFET结构主要为横向器件，器件基本结构如图1所示。器件主要包括衬底，GaN缓冲层，AlGaN势垒层以及AlGaN势垒层上形成的源极、漏极和栅极，其中源极和漏极与AlGaN势垒层形成欧姆接触，栅极与AlGaN势垒层形成肖特基接触。但是对于横向GaN HFET而言，在截止状态下，从源极注入的电子可以经过GaN缓冲层到达漏极，形成漏电通道，过大的缓冲层泄漏电流会导致器件提前击穿，无法充分发挥GaN材料的高耐压优势，从而限制GaN HFET在高压方面的应用。同时横本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种带有p型氮化镓埋层的垂直氮化镓基异质结场效应晶体管，从下至上依次主要由漏极(308)，n+?GaN衬底(307)，n?GaN缓冲层(306)，p?GaN电流阻挡层(305)，GaN沟道层(304)，AlGaN势垒层(303)，以及AlGaN势垒层(303)上的源极(301)和栅极(302)组成，源极(301)与漏极(307)均为欧姆接触，栅极(302)为肖特基接触，其特征在于：还包括位于n?GaN缓冲层(306)内，p?GaN电流阻挡层(305)与n+?GaN衬底(307)之间的p?GaN埋层(309)。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：杜江锋，赵子奇，罗杰，尹成功，黄思霓，严慧，罗谦，于奇，
申请(专利权)人：电子科技大学，
类型：发明
国别省市：