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本发明提供了一种带有p型氮化镓埋层的垂直氮化镓基异质结场效应晶体管，从下至上依次主要由漏极，n+-GaN衬底，n-GaN缓冲层，p-GaN电流阻挡层，GaN沟道层，AlGaN势垒层，以及AlGaN势垒层上的源极和栅极，源极与漏极均为欧姆接触...
该专利属于电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过电子科技大学授权不得商用。

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