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本发明提供了一种鳍式二极管及其制备方法，包括：提供一具有第一掺杂类型的衬底；刻蚀所述衬底，于所述衬底内形成若干鳍状结构；沉积一掩膜层覆盖在所述沟槽底部；在所述鳍状结构顶部制备一外延层，且该外延层将位于所述鳍状结构顶部的部分侧壁予以覆盖；对所...
该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。

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