一种HVPMOS器件及其制造方法技术

本发明专利技术提供的HVPMOS器件及其制造方法，所述HVPMOS器件包括：P型衬底，设置在底部；缓冲层，设置在所述P型衬底上方；N型阱区，设置在所述缓冲层上方；侧面隔离区，设置在所述N型阱区外侧；栅极，设置在所述N型阱区之上；源区，设置在所述栅极左侧；漏区，设置在所述栅极右侧，所述漏区包括位于N型阱区内的漂流层，设置在所述漂流层上方的场氧化层和P型重掺杂区；其特征在于，在所述HVPMOS器件的漂流层有P型杂质注入，所述P型杂质注入面密度为(1.2-1.6)×1014cm-2量级。通过在漂移区进行P型杂质注入的浓度，可以非常有效地减低HVPMOS器件的导通电阻和提高击穿电压等性能参数。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种HVPMOS器件及其制造方法，尤其是降低HVPMOS器件导通电阻的方法，及对应的HVPMOS器件。
技术介绍
HVPMOS (High voltage positive channel Metal Oxide Semiconductor,高电压P沟道金属氧化物半导体)因为电路工艺简单，价格便宜，所以在很多数字控制电路得到了广泛的应用。现有技术中，通常在25B⑶工艺平台生产HVPMOS，而25B⑶工艺平台中标准的FOX工艺是一个4000+2000A的StackFOX Process (堆叠场氧化层处理)，可以用于生产不同类型的半导体器件。其中2000A FOX是为形成NLDMOS (N沟道横向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管)的Drift区(漂移区)而设计的，如果生产过程中不需要NLDMOS半导体器件，出于降低成本的因素考虑，经常会使用一步到位的6500A FOX工艺。在实现本专利技术的过程中，专利技术人发现使用一步到位的6500A FOX工艺存在以下缺陷:使用6500A FOX工艺需要的时间是4000+2000A的FOX工艺时间的两倍，因此生产出来的HV本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种HVPMOS器件，包括：P型衬底，；缓冲层，位于所述P型衬底上方；N型阱区，位于所述缓冲层上方；侧面隔离区，位于所述N型阱区外侧；栅极，位于所述N型阱区上方；源极区和漏极区，分别位于所述栅极的两侧；漂移区，位于所述漏极区下方；其特征在于，在所述漂移区有P型杂质注入，所述P型杂质注入面密度为(1.2‑1.6)×1014cm‑2量级。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：马栋，王楠，樊杨，陈斌，彭宇飞，
申请(专利权)人：无锡华润上华半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32