场效应管的制造方法和场效应管技术

本发明专利技术提供一种场效应管的制造方法和场效应管，其中，制造方法包括：在形成有外延层的硅片表面形成栅氧化层；在栅氧化层的表面形成多晶硅区，多晶硅区包括间隔设置的第一多晶硅段和第二多晶硅段，第二多晶硅段与体区对应设置，第一多晶硅段与体区之外的外延层对应设置；在第一多晶硅段、第二多晶硅段和栅氧化层的表面形成氧化层和介质层；在第一多晶硅段和源区表面形成接触孔；在介质层的表面和接触孔中形成正面金属电极，以使第一多晶硅段通过正面金属电极与源区电连接，而第二多晶硅段作为场效应管的栅极。本发明专利技术提供的场效应管的制造方法能够消除场效应管中的栅漏电容。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体芯片制造技术，尤其涉及一种场效应管的制造方法和场效应管。
技术介绍
场效应管是电压控制的一种放大器件，是组成数字集成电路的基本单元，垂直双扩散金属氧化物半导体场效应管(Vertical Double-diffused Metal OxideSemiconductor,简称VDMOS)是场效应管中的一种，其具有接近无限大的静态输入阻抗特性，具有较快的开关时间等优点，广泛的应用于电机调速、逆变器、不间断电源、电子开关、高保真音响、汽车电器以及电子镇流器等领域中。VDMOS器件的制造方法通常是在形成有外延层的硅片表面形成栅氧化层，然后在栅氧化层的表面形成多晶硅层，之后在多晶硅层的表面依次形成氮化硅层、介质层和金属层。由于外延层和多晶硅层都是导电物质，分别作为漏极和栅极，栅氧化层是绝缘物质，则在多晶硅层、栅氧化层和外延层之间形成了寄生的栅漏电容，该寄生的栅漏电容会影响VDMOS器件的动态特性。
技术实现思路
本专利技术提供一种场效应管的制造方法和场效应管，用于解决现有的场效应管中由于存在寄生的栅漏电容而影响场效应管动态性能的问题，以消除场效应管中寄生的栅漏电容。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种场效应管的制造方法，其特征在于，包括：在形成有外延层的硅片表面形成栅氧化层；在所述栅氧化层的表面形成多晶硅区，所述多晶硅区包括间隔设置的第一多晶硅段和第二多晶硅段；在所述第一多晶硅段、第二多晶硅段和栅氧化层的表面形成氧化层；在所述外延层中形成体区和源区，所述体区与所述第二多晶硅段对应设置，所述体区之外的外延层与所述第一多晶硅段对应设置；在所述氧化层的表面形成介质层；在所述第一多晶硅段的表面，以及源区的表面形成接触孔；在所述介质层的表面和所述接触孔中形成正面金属电极，以使所述第一多晶硅段通过所述正面金属电极与所述源区电连接，而所述第二多晶硅段作为所述场效应管的栅极。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：马万里，
申请(专利权)人：北大方正集团有限公司，深圳方正微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11