【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体装置。
技术介绍
以往，已知在半导体装置中，通过在干式蚀刻后实施湿式蚀刻，来抑制漏电电流，提高半导体装置的电特性的方法(例如，专利文献1、2)。专利文献1:日本特开2010 - 62381号公报专利文献2:日本特开2010 - 40697号公报但是，在这些方法中，仅通过湿式蚀刻除去由于干式蚀刻所产生的损伤层，作为用于提高电特性的方法并不充分。因此，期望进一步提高电特性的方法。另外，在以往的半导体装置中，期望提高其小型化、省资源化、制造的容易化、制造的精确度、作业性等。
技术实现思路
本专利技术是为了解决上述的课题的至少一部分而提出的，能够作为以下的方式实现。(I)根据本专利技术的一方式，提供使用了六方晶系的半导体的半导体装置。该半导体装置是使用了六方晶系的半导体的半导体装置，具备:半导体基板；第一 N型半导体层，其层叠在上述半导体基板上；P型半导体层，其层叠在上述第一 N型半导体层上；第二 N型半导体层，其层叠在上述P型半导体层上；以及槽部，其贯通上述第二 N型半导体层和上述P型半导体层到达上述第一 N型半导体层；上述槽部的长边方向是...
【技术保护点】
一种半导体装置，是使用了六方晶系的半导体的半导体装置，所述半导体装置的特征在于，具备：半导体基板；第一N型半导体层，其层叠在所述半导体基板上；P型半导体层，其层叠在所述第一N型半导体层上；第二N型半导体层，其层叠在所述P型半导体层上；以及槽部，其贯通所述第二N型半导体层和所述P型半导体层到达所述第一N型半导体层，所述槽部的长边方向是相对于[11－20]轴垂直±15°以下，所述槽部的侧壁具备与[0001]轴垂直的条纹状的凹凸。
【技术特征摘要】
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