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本发明涉及半导体装置及其制造方法，根据本发明能够提高半导体装置的电特性。半导体装置是使用了六方晶系的半导体的半导体装置，具备半导体基板；第一N型半导体层，其层叠在上述半导体基板上；P型半导体层，其层叠在上述第一N型半导体层上；第二N型半导体...
该专利属于丰田合成株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过丰田合成株式会社授权不得商用。

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