一种超结MOSFET终端结构制造技术

本实用新型专利技术提供一种超结MOSFET终端结构，包括：N型重掺杂衬底及形成于其上的N型轻掺杂外延层；所述N型轻掺杂外延层包括元胞区及终端区；所述元胞区中形成有至少一个晶体管单元，所述晶体管单元包括形成于所述N型轻掺杂外延层中的一对元胞区P柱；该一对元胞区P柱顶端分别连接有一P型体区；所述N型轻掺杂外延层表面形成有栅极结构；所述终端区中形成有至少一个终端区P柱；其中：所述终端区P柱的深度大于所述元胞区P柱的深度。本实用新型专利技术可以提升器件终端区耐压能力，改善高压超结MOSFET器件的多种特性；器件制作方法与现有工艺兼容，有多种实现方式，可以在现有工艺条件下进一步提升超结MOSFET终端结构的耐压能力。

【技术实现步骤摘要】

本技术属于半导体器件领域，涉及一种超结MOSFET结构。
技术介绍
VDM0SFET(高压功率M0SFET)可以通过减薄漏端漂移区的厚度来减小导通电阻，然而，减薄漏端漂移区的厚度就会降低器件的击穿电压，因此在VDM0SFET中，提高器件的击穿电压和减小器件的导通电阻是一对矛盾，超结MOSFET采用新的耐压层结构，利用一系列的交替排列的P型和N型半导体薄层，在较低反向电压下将P型N型区耗尽，实现电荷相互补偿，从而使N型区在高掺杂浓度下实现高的击穿电压，从而同时获得低导通电阻和高击穿电压，打破传统功率MOSFET导通电阻的理论极限。超结MOSFET具有导通损耗低，栅极电荷低，开关速度快，器件发热小，能效高的优点，产品可广泛用于个人电脑、笔记本电脑、上网本或手机、照明(高压气体放电灯)产品以及电视机(液晶或等离子电视机)和游戏机等高端消费电子产品的电源或适配器。请参阅图1及图2，分别显示为常规的高压超结MOSFET结构(以下简称HV-M0S)及低压超结MOSFET结构(以下简称低压LV-M0S)。如图1所示，高压超结MOSFET包括N型重掺杂衬底101、N型轻掺杂外延层102及形本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种超结MOSFET终端结构，包括：N型重掺杂衬底及形成于所述N型重掺杂衬底上的N型轻掺杂外延层；所述N型轻掺杂外延层包括元胞区及包围所述元胞区的终端区；所述元胞区中形成有至少一个晶体管单元，所述晶体管单元包括形成于所述N型轻掺杂外延层中的一对元胞区P柱；该一对元胞区P柱顶端分别连接有一P型体区，且所述P型体区位于所述N型轻掺杂外延层内；所述N型轻掺杂外延层表面形成有栅极结构；且所述栅极结构位于一对元胞区P柱之间；所述终端区中形成有至少一个终端区P柱；其特征在于：所述终端区P柱的深度大于所述元胞区P柱的深度。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：白玉明，钱振华，张海涛，
申请(专利权)人：无锡同方微电子有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32