一种InGaAs MOSFET器件结构制造技术

本发明专利技术公开了一种InGaAs沟道MOSFET器件结构。其结构包括：在磷化铟衬底(101)上的p型InGaAs半导体层（102）；在p型InGaAs半导体层上形成的N型重掺杂InP层(103)，在N型重掺杂InP层上形成的N型重掺杂InGaAs欧姆接触帽层(104)；在N型重掺杂InGaAs欧姆接触帽层上形成的源漏金属层(105)；在源漏金属层之间的N型重掺杂InP层(103)和InGaAs欧姆接触层(104)中，腐蚀形成的梯形栅槽结构，在梯形栅槽结构上形成的高K介质层(106)；在高K介质层上的栅金属层(107)；该器件可用于制作数字集成电路。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种InGaAs沟道MOSFET器件结构。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：刘丽蓉，马莉，夏校军，
申请(专利权)人：东莞市青麦田数码科技有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44