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本发明提供一种场效应管的制造方法和场效应管，其中，制造方法包括：在形成有外延层的硅片表面形成栅氧化层；在栅氧化层的表面形成多晶硅区，多晶硅区包括间隔设置的第一多晶硅段和第二多晶硅段，第二多晶硅段与体区对应设置，第一多晶硅段与体区之外的外延层...该专利属于北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司授权不得商用。