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本发明提供的HVPMOS器件及其制造方法，所述HVPMOS器件包括：P型衬底，设置在底部；缓冲层，设置在所述P型衬底上方；N型阱区，设置在所述缓冲层上方；侧面隔离区，设置在所述N型阱区外侧；栅极，设置在所述N型阱区之上；源区，设置在所述栅极...
该专利属于无锡华润上华半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过无锡华润上华半导体有限公司授权不得商用。

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