【技术实现步骤摘要】
本技术涉及半导体
,特别是涉及一种防止芯片切割分层的结构。
技术介绍
芯片(Die)的切割一直是半导体业界非常重要的工艺。半导体晶片(wafer)在历经了复杂的制造工艺后,需要将其分割成若干个电路小片,也就是芯片。芯片一般呈矩形,排列在晶片表面,晶片表面沿芯片粒四周设有格子状的切割道,用以分隔各芯片。现有的芯片切割方法主要有刀具(如金刚石刀具)切割和辐射能量(如激光)切割。刀具切割是利用机械力直接作用在晶片的切割道,实现芯片的分离。激光切割是非接触式切割方法,它是激光能量通过光学聚焦后获得高能量密度,沿切割道直接将晶片气化,从而分离芯片。如图1为激光切割晶片结构示意图。图1中,芯片I和芯片I之间的切割道宽80 μ m,激光束5的宽度为8 μ m,一般,客户要求激光束5到芯片I的距离要有7.5ym的余量。但是,切割下来的芯片经过测试后发现芯片产生分层翘起等缺陷,导致芯片无法应用于实际电路当中。经过进一步研宄发现,芯片内部分层仅仅发生在切割道测试结构(Testkey, TK)的焊垫附近,其他位置均正常。分层之所以会发生在TK焊垫附近,是因为激光切割晶片 ...
【技术保护点】
一种防止芯片切割分层的结构,所述芯片的外围设置有密封环,芯片和芯片之间设置有切割道,其特征在于,所述切割道和密封环之间还设置有空通道。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员:宋春,
申请(专利权)人:中芯国际集成电路制造北京有限公司,
类型:新型
国别省市:北京;11
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