半导体器件和用于制造半导体器件的方法技术

本发明专利技术公开了一种半导体器件和用于制造半导体器件的方法，该器件包括半导体芯片。半导体芯片的前侧面的轮廓线包括多边形线和弧形线中的至少一项，该多边形线包括以大于90°的内角被接合在一起的两条线段。

【技术实现步骤摘要】
半导体器件和用于制造半导体器件的方法
本公开涉及半导体器件和用于制造半导体器件的方法。
技术介绍
半导体器件的制造可能包括对半导体晶片的划切，其中划切工艺可能损伤半导体材料。此外，半导体器件可能在操作期间被损伤。可能期望改善半导体器件的性能和质量。具体地，可能期望避免在制造和操作期间对半导体器件的损伤。
技术实现思路
根据器件的实施例，器件包括半导体芯片。半导体芯片的前侧面的轮廓线包括多边形线和弧形线中的至少一项，该多边形线包括以大于90°的内角被接合在一起的两条线段。根据器件的另一实施例，器件包括半导体芯片，该半导体芯片包括前侧面、后侧面和从后侧面延伸到前侧面的侧表面。侧表面包括弯曲的表面和具有大于90°的内角的边缘中的至少一项。根据方法的实施例，方法包括：在半导体晶片上形成至少一个半导体芯片；以及分离至少一个半导体芯片，其中经分离的半导体芯片的前侧面的轮廓线包括多边形线和弧形线中的至少一项，该多边形线包括以大于90°的内角被接合在一起的两条线段。在阅读以下详细的说明书时并且在观察附图时，本领域技术人员会意识到另外的特征和优点。附图说明附图被包括以提供对各个方面的进一步理解，并且被并入本说明书中和构成本说明书的一部分。附图图示了各个方面并且与说明书一起用于解释各个方面的原理。因为通过参照以下详细描述它们变得更好理解，其它方面和各个方面的预期优点将容易被理解。附图的元件相对于彼此未必是按比例的。同样的附图标记可以指定对应的相似部分。图1A示意性地图示了依照本公开的器件100的截面图。图1B示意性地图示了被包括在器件100中的半导体芯片的前侧面的示例性轮廓线。图1C示意性地图示了被包括在器件100中的半导体芯片的前侧面的另一示例性轮廓线。图1D示意性地图示了被包括在器件100中的半导体芯片的前侧面的另一示例性轮廓线。图2A示意性地图示了依照本公开的另一器件200的截面图。图2B示意性地图示了被包括在器件200中的半导体芯片的示例性侧表面。图2C示意性地图示了被包括在器件200中的半导体芯片的另一示例性侧表面。图2D示意性地图示了被包括在器件200中的半导体芯片的另一示例性侧表面。图3A至图3E示意性地图示了用于制造依照本公开的器件300的示例性方法。具体实施方式在以下详细描述中，参照形成其一部分并且通过说明的方式本公开可以被实践在其中的具体方面被示出在其中的附图。在这点上，诸如“顶”、“底”、“前”、“后”等之类的方向术语可以参照所描述的图的取向来使用。由于所描述的器件的部件可以以许多不同取向被定位，方向术语可以为说明的目的来使用并且绝不是限制性的。可以利用其它方面并且可以做出结构上或逻辑上的改变而不脱离本公开的范围。因此，以下详细描述不在限制性意义上被使用，并且本公开的范围由所附权利要求限定。如在该说明书中采用的，术语“耦合”和/或“电耦合”不意在意指元件必须直接耦合在一起。中介元件可以设置在“耦合”或“电耦合”的元件之间。器件和用于制造器件的方法被描述在本文中。关于所描述的器件做出的说明还可以适用于对应的方法，并且反之亦然。例如，如果器件的具体部件被描述，用于制造器件的对应方法可以包括以适当的方式提供该部件的动作，即使这种动作没有被明确描述或者图示在图中。此外，除非另外特别指出，本文中描述的各种示例性方面的特征可以与彼此组合。依照本公开的器件可以包括一个或多个半导体芯片。半导体芯片可以是不同类型的并且可以使用不同技术来制造。例如，半导体芯片可以包括集成的电的、光电的或机电的电路，或者无源器件。集成电路可以被设计为逻辑集成电路、模拟集成电路、混合信号集成电路、功率集成电路、存储器电路、集成无源器件或微机电系统。半导体芯片不需要从特定的半导体材料被制造。例如，半导体芯片可以包括至少Si、SiC、SiGe、GaAs之一。此外，半导体芯片可以包含不是半导体、诸如例如绝缘体、塑料或金属之类的无机和/或有机材料。半导体芯片可以被包装或不被包装，并且可以是任意尺寸的。具体地，半导体芯片的厚度可以小于或等于100μm(微米)。半导体芯片可以具体包括一个或多个功率半导体。半导体芯片(或者功率半导体芯片)可以具有竖直结构，即半导体芯片可以被制造使得电流可以沿垂直于半导体芯片的主面的方向流动。具有竖直结构的半导体芯片在其两个主面上可以具有电极，即在其顶侧面和底侧面上。具体地，功率半导体芯片可以具有竖直结构并且在两个主面上皆可以具有负载电极。例如，竖直功率半导体芯片可以被配置为功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)、IGBT(绝缘栅双极型晶体管)、JFET(结型栅场效应晶体管)、超结器件、功率双极型晶体管等。功率MOSFET的源极电极和栅极电极可以位于一个面上，而功率MOSFET的漏极电极可以被布置在另一面上。依照本公开的器件可以进一步包括被配置用于控制功率半导体芯片的集成电路的集成电路。术语半导体芯片或半导体晶片的“前侧面”和“后侧面”可以被使用在本文中。术语“前侧面”可以具体指的是可以包括至少掺杂区域、电部件、微电子部件、集成电路等之一的半导体芯片的主面。半导体芯片可以从可以用作(用于要被建造在半导体晶片中和之上的微电子器件的)衬底的半导体晶片被制造。集成电路可以通过掺杂、离子注入、材料沉积、光刻图案形成等来制造。制造工艺通常可以在半导体晶片的特定主表面(其还可以被称为半导体晶片的“前侧面”)上执行。在从半导体晶片分离各个半导体芯片之后，半导体晶片的“前侧面”因此可以变成分离的半导体芯片的“前侧面”。术语半导体芯片的“后侧面”可以指的是可以相对于半导体芯片的前侧面被布置的半导体芯片的主表面。半导体芯片的后侧面可以没有电子部件，即它可以主要由半导体材料构成。即使半导体芯片的后侧面可以不类似于半导体芯片的前侧面那样被处理，后侧面可以包括提供到半导体芯片的内部电子结构的电耦合的接触焊盘。半导体芯片的前侧面和后侧面可以通过从前侧面延伸到后侧面的至少一个侧表面被连接。划切工艺可以被采用用于制造依照本公开的器件。具体地，划切工艺可以被使用用于将半导体晶片分离成多个半导体芯片。在这方面，适当的划切技术可以被应用，例如激光划切、湿法刻蚀、刻蚀、溅射刻蚀、气相刻蚀、等离子刻蚀等。刻蚀工艺可以在半导体晶片的减薄之前或之后执行。在后者的情况下，刻蚀的沟槽可以从半导体晶片的前侧面延伸到半导体晶片的后侧面。在前者的情况下，沟槽可以被刻蚀在半导体晶片的前侧面上，其中沟槽可以未必完全延伸到半导体晶片的后侧面。半导体晶片然后可以通过从半导体晶片的后侧面移除半导体材料被减薄，直到半导体晶片在先前形成的沟槽的位置处被分离。术语“等离子刻蚀”可以指的是采用等离子的任何适当的刻蚀或划切工艺，例如反应离子刻蚀、深反应离子刻蚀、离子束刻蚀等。在等离子刻蚀中，半导体晶片可以利用掩模材料被掩蔽，由此使得在各个半导体芯片(或者裸片)之间留下开口区域。掩蔽的半导体晶片然后可以使用可以刻蚀被暴露在半导体芯片之间的半导体晶片材料的活性气体等离子来处理。等离子刻蚀可以通过在腔室之内使气体混合物离子化以获得可以与目标材料反应的离子来执行。采用的气体的离子化可以使用由电极发射的射频激励来执行。使用的等离子源(或者刻蚀物种)可以是带电荷的(离子)和/或中性的(原本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种器件，包括：半导体芯片，其中所述半导体芯片的前侧面的轮廓线包括多边形线和弧形线中的至少一项，所述多边形线包括以大于90°的内角被接合在一起的两条线段。

【技术特征摘要】
2013.09.06 US 14/020,1171.一种半导体器件，包括：半导体芯片，其中所述半导体芯片的前侧面的轮廓线包括多边形线和弧形线中的至少一项，所述多边形线包括以大于90°的内角被接合在一起的两条线段；以及被布置在所述半导体芯片的所述前侧面之上并且邻近所述多边形线和弧形线中的至少一项的结构，所述结构包括光学可检测的对准结构和被配置用于支持对所述半导体芯片的电子性质进行测量的结构中的至少一项。2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述半导体芯片的所述前侧面包括掺杂区域、电部件和集成电路中的至少一项。3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述半导体芯片包括后侧面和从所述后侧面延伸到所述前侧面的侧表面，其中所述侧表面包括弯曲的表面和具有大于90°的内角的边缘中的至少一项。4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述半导体芯片包括后侧面和从所述后侧面延伸到所述前侧面的侧表面，其中所述侧表面的至少一部分被刻蚀、等离子刻蚀或者激光划切。5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述半导体芯片包括后侧面和从所述后侧面延伸到所述前侧面的侧表面，其中从所述侧表面延伸到所述半导体芯片中的缺陷具有小于20微米的尺寸。6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述半导体芯片包括后侧面和从所述后侧面延伸到所述前侧面的侧表面，其中所述侧表面包括具有在100纳米与5微米之间的幅度的起伏。7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述半导体芯片的厚度小于或等于100微米。8....

【专利技术属性】
技术研发人员：M·聪德尔，T·奥斯特曼，
申请(专利权)人：英飞凌科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：德国;DE