【技术实现步骤摘要】
本技术涉及半导体封装
，具体涉及一种划片槽阻隔分离型保护层半导体结构。
技术介绍
近年来，随着电子封装技术的高速发展，新的封装形式不断出现，晶圆级封装的出现为低成本封装提供了极佳的解决思路。由于对生产成本和性能的不断追求，逐渐出现了在圆片级芯片封装的堆叠，其中尤以双层RDL(重布线层)的堆叠应用较为普遍，但是由于堆叠材料间的膨胀系数不一致性，易引起晶圆内部应力无法释放，从而导致圆片翘曲严重，进而提高设备运行成本及工艺成本。
技术实现思路
在下文中给出关于本技术的简要概述，以便提供关于本技术的某些方面的基本理解。应当理解，这个概述并不是关于本技术的穷举性概述。它并不是意图确定本技术的关键或重要部分，也不是意图限定本技术的范围。其目的仅仅是以简化的形式给出某些概念，以此作为稍后论述的更详细描述的前序。为了解决现有技术的问题，本技术提供一种能够能降低材料间由于膨胀系数不一致而引起的应力的划片槽阻隔分离型保护层半导体结构。为了实现...
【技术保护点】
一种划片槽阻隔分离型保护层半导体结构，包括焊锡球，所述焊锡球下设有再布线金属层，所述再布线金属层下设有第一钝化层，所述第一钝化层下设有圆片衬底，所述第一钝化层外围的圆片衬底上设有圆片线路层，其特征在于，所述圆片线路层上设有至少一第一正性聚酰亚胺层，所述第一正性聚酰亚胺层位于所述圆片线路层与所述再布线金属层之间，每个第一正性聚酰亚胺层对应一第二正性聚酰亚胺层，所述第二正性聚酰亚胺层设置在所述圆片线路层上，所述第一正性聚酰亚胺层与所述第二正性聚酰亚胺层之间设有第一开口。
【技术特征摘要】
1.一种划片槽阻隔分离型保护层半导体结构，包括焊锡球，所述焊锡球
下设有再布线金属层，所述再布线金属层下设有第一钝化层，所述第一钝化
层下设有圆片衬底，所述第一钝化层外围的圆片衬底上设有圆片线路层，其
特征在于，所述圆片线路层上设有至少一第一正性聚酰亚胺层，所述第一正
性聚酰亚胺层位于所述圆片线路层与所述再布线金属层之间，每个第一正性
聚酰亚胺层对应一第二正性聚酰亚胺层，所述第二正性聚酰亚胺层设置在所
述圆片线路层上，所述第一正性聚酰亚胺层与所述第二正性聚酰亚胺层之间
设有第一开口。
2.根据权利要求1所述的划片槽阻隔分离型保护层半导体结构，其特征
在于，还包括圆片互连区域，所述圆片互连区域设有第二钝化层，所述第二
钝化层设置在圆片线路层之间的所述圆片衬底上，所述圆片互连区域设有第
二正性聚酰亚胺层，所述第二正性聚酰亚胺层设置在所述第二钝化层的上方
及四周。
3.根据权利要求2所述的划片槽阻隔分离型保护层半导体结构，其特征
在于，所述第一钝化层和第二钝化层的宽度均为30-200um，所述圆片互连区
域的宽度为60-100um。
4.根据权利要求1所述的划片槽阻隔分离型保护层半导体结构，其特征
在于，所述第一正性聚酰亚胺层上设有第一负...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈文军，施建根，冯玉祥，
申请(专利权)人：南通富士通微电子股份有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32
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