一种等离子体刻蚀方法和系统技术方案

本发明专利技术提供了一种等离子体刻蚀方法和系统，所述刻蚀方法包括若干个刻蚀周期，每个刻蚀周期包括等离子刻蚀阶段和中和电荷阶段，在在刻蚀过程中，部分电荷附着在基底表面和/或刻蚀图形的内部；在中和电荷阶段，停止等离子体刻蚀，至少在所述停止等离子体刻蚀过程的部分时间段内，向反应腔室内通入带预定导电类型电荷的离子，所述带预定导电类型电荷的离子用于中和附着在基底表面和/或刻蚀图形内部的电荷；通过电荷中和消除了由于沉积电荷产生的内建电场对等离子体的影响，保证了等离子体刻蚀的准确性，保证了刻蚀图形的准直。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体制造工艺领域，尤其涉及一种等离子体刻蚀方法和系统。
技术介绍
在半导体制造中有两种基本的刻蚀工艺:干法刻蚀和湿法腐蚀。其中，干法刻蚀是把硅片表面暴露于气态中产生的等离子体，等离子体通过光刻胶中开出的窗口，与硅片发生物理或化学反应，从而去掉曝露的表面材料。因此，干法刻蚀，也可称为等离子体刻蚀。在等离子体刻蚀过程中会有电荷附着在待刻蚀的基底表面或被刻蚀图形的内部，如图1所示。这些附着积累的电荷会在被刻蚀图形的内部或基底表面形成内建电场，这些内建电场会影响等离子体的运动轨迹，从而造成刻蚀图形的翘曲(twisting)和弯曲(bowing)，尤其对于一些高纵深比图形的刻蚀，电荷积累效应会变得更加严重。这种电荷积累导致刻蚀图形不准直，影响了半导体器件的性能。因此，在等离子体刻蚀过程中，应该去除这些附着在基底表面或刻蚀图形内部的电荷。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术提供了一种等离子体刻蚀方法和系统，以去除等离子体刻蚀过程中，附着在基底表面或被刻蚀图形的内部的电荷。为了解决上述技术问题，本专利技术采用了如下技术方案:一种等离子体刻蚀方法，所述刻蚀方法包括若干个刻蚀本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种等离子体刻蚀方法，其特征在于，所述刻蚀方法包括若干个刻蚀周期，每个刻蚀周期包括以下步骤：等离子体对放置在反应腔室内的基底进行等离子体刻蚀，其中，在刻蚀过程中，部分电荷附着在基底表面和/或刻蚀图形的内部；停止等离子体刻蚀；至少在所述停止等离子体刻蚀过程的部分时间段内，向反应腔室内通入带预定导电类型电荷的离子，所述带预定导电类型电荷的离子用于中和附着在基底表面和/或刻蚀图形内部的电荷；至少在所述向反应腔室内通入带预定导电类型电荷的离子的过程的部分时间段内在反应腔室内的两电极之间形成直流电场，所述直流电场用于将所述带预定导电类型电荷的离子推向基底表面和/或刻蚀图形内部。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：杨平，梁洁，万磊，
申请(专利权)人：中微半导体设备上海有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31