晶圆吹扫装置、系统及方法制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种晶圆吹扫装置、系统及方法，其中装置包括：包括输送装置、充气嘴、电控气动装置、控制器以及连通充气嘴和电控气动装置的气路；电控气动装置，用于在启动充气后，驱动输送装置到达预设工作位置处，使充气嘴和前开式晶圆盒的充气口对接，并向气路中提供吹扫气体；终止充气后，驱动输送装置到达预设非工作位置处。本发明专利技术提供的晶圆吹扫装置、系统及方法，通过将晶圆吹扫装置安装在现有设备装载部中，实现了在制程前或制程后对前开式晶圆盒里面晶圆灵活进行吹扫，可以手动控制，也可以自动控制，提高了生产效率和产品良率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体器件制造
，特别是涉及一种晶圆吹扫装置，系统及方法。
技术介绍
在半导体的制造工序中，为了提高的芯片的品质及成品率，需要在高清洁的环境中对晶圆(Wafer)进行处理。目前，采用的基本装置包括:前开式晶圆盒(Front-OpeningUnifiedPod, FOUP),用于在高清洁的环境中输送和保管Wafer ;装载部(LoadPort)，用于在FOUP与半导体制造装置之间取出和放入FOUP内的Wafer，并且在FOUP与输送装置之间进行FOUP的交接。半导体制造包括多次的薄膜沉积过程，在前一次沉积完成后，置于FOUP中的Wafer,需经过相当长时间后才进行下一次沉积。为防止在该时间段内Wafer与FOUP中的空气发生反应，影响Wafer质量，通常会向FOUP中充入氮气或其它低活性的气体作为净化气体以保护Wafer。目前采用的充气吹扫方法是，待工艺完成后，首先从LoadPort上卸载装有rafer的F0UP，再将FOUP搬运至专用的氮气填充系统，由氮气填充系统向FOUP中充入氮气或其它低活性的气体，对FOUP中wafer上的残余气体进行吹扫。随着技术本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种晶圆吹扫装置，用于在制程前或制程后对前开式晶圆盒中的晶圆进行吹扫，其特征在于，包括输送装置、充气嘴、电控气动装置、控制器以及连通所述充气嘴和所述电控气动装置的气路；所述气路上设置有压力表和调压阀；所述压力表为可反馈读值式压力表，所述压力表用于测量所述气路中的充气压力，并将所述气路中的当前充气压力信息反馈给所述控制器；所述调压阀，用于调节所述气路中的充气压力；所述充气嘴的一端用于和前开式晶圆盒的充气口对接，另一端通过弹性连接导向装置与所述输送装置连接，所述充气嘴用于利用所述气路中的吹扫气体对所述前开式晶圆盒中的晶圆进行吹扫；所述输送装置为可反馈输送位置式输送装置，所述输送装置用于输送所述充气...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：张君，
申请(专利权)人：北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司，
类型：发明
国别省市：北京;11