采用CDSEM测试图形的方法技术

本发明专利技术提供了一种采用CDSEM测试图形的方法，其特征在于，包括：提供多个测试图形；找出所述多个测试图形中图案相似的测试图形；对多个图案相似的测试图形中的第一测试图形建立量测方案，作为参考量测方案；依次将所述参考量测方案应用于其他图案相似的测试图形。根据本发明专利技术方案，可以不必对每一个图案相似的测试图形逐一建立量测方案，这样可以节省CDSEM机台进行量测的时间，提高生产效率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体
，尤其涉及一种利用关键尺寸扫描电子显微镜(Critical Dimens1n Scanning Electronic Microscope, CDSEM)测试图形的方法。
技术介绍
目前,在半导体制造过程中，采用关键尺寸扫描电子显微镜(Critical Dimens1nScanning Electronic Microscope, Q)SEM)测量制作在晶片上的图形的关键尺寸。随着半导体制造技术的发展，半导体器件的CD越来越小，为保证光刻后晶片上图形的准确性，经过曝光显影将光罩上的图形转移到晶片上以后，带有图形的晶片会放置在⑶SEM机台上，以确认图形的尺寸是否符合大规模集成电路设计要求，从而了解光刻准确性。基于模型的光学邻近效应修正(0PC, Optical Proximity Correct1n)是通过测试图形(test pattern)来对光刻结果进行校正，在采用⑶SEM对测试图形进行量测时，为了获得光刻工艺性能等结果，需要对大量的图形样式相同而尺寸接近的图案进行量测，在现有技术中，对于这些大量近似的图案，现有技术中针对每一个图案都需要建立一个量测方案(recipe)，这样需要耗费大量的时间和人力来进行图形量测。因此，需要一种⑶SEM的测试图形的方法，针对大量近似图形，可以不必逐一建立量测方案，节省量测时间以及人力物力。
技术实现思路
本专利技术解决的技术问题是提供一种采用CDSEM测试图形的方法，以解决现有技术中针对大量近似图形需要逐一建立量测方案而导致浪费时间和人力物力的问题。本专利技术的实施例提供了一种采用CDSEM测试图形的方法，该方法包括:提供多个测试图形；找出所述多个测试图形中图案相似的测试图形；对多个图案相似的测试图形中的第一测试图形建立量测方案，作为参考量测方案；依次将所述参考量测方案应用于其他图案相似的测试图形。可选地，对多个图案相似的测试图形中的每个建立对准图形，每个对准图形相同，且每个对准图形与其对应的测试图形的相对位置关系相同。可选地，所述依次将所述参考量测方案应用于其他图案相似的测试图形包括:基于所述对准图形找到所述多个图案相似的测试图形中的第二测试图形；将所述参考量测方案应用于所述第二测试图形。可选地，将所述参考量测方案应用于所述第二测试图形包括:获取所述第一测试图形的对准图形位置信息；获取所述第二测试图形的对准图形位置信息；将第一测试图形对应的对准图形的坐标信息更改为第二测试图形对应的对准图形的坐标信息；以及采用所述参考量测方案测试所述第二测试图形。可选地，所述多个图案相似的测试图形之间图案相同，尺寸相同或者不同。可选地，所述对准图形包括十字形、三角形、矩形或米字形。可选地，所述量测方案包括:CDSEM机台在对该测试图形进行测试时，其测试探针移动的角度、深度和距离。可选地，还包括保存所述参考量测方案。与现有技术相比，本专利技术测试图形的方法，通过对大量图案相似的测试图形增加对准图形，首先获得一个量测方案，并以此为参考，可以快速获得具有其他图案相似的测试图形的量测方案，因此，根据本专利技术方案，可以不必对每一个图案相似的测试图形逐一建立量测方案，这样可以节省CDSEM机台进行量测的时间，提高生产效率。【附图说明】图1是本专利技术实施例的采用CDSHM测试图形方法的流程示意图；图2是根据本专利技术实施例的测试图形方法提供的具有对准图形的多个图案相似的测试图形；图3是本专利技术另一实施例的测试图形方法的流程示意图。【具体实施方式】为详细说明本专利技术的
技术实现思路
、构造特征、所实现目的及效果，下面结合附图对本专利技术的【具体实施方式】做详细的说明。在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本专利技术，但是本专利技术还可以采用其他不同于在此描述的其它方式来实施，因此本专利技术不受下面公开的具体实施例的限制。针对进行图形测量时，存在的大量图案相似的测试图形(近似图形)，专利技术人想到通过对这些大量近似图形中的每一个设定一个对准图形，作为后续量测的参考，其中，对于每一个所述近似图形而言，该对准图形的图案相同，且每个对准图形与每一个对应的所述近似图形的相对位置关系也相同。由于CDSEM系统在进行图形测试时具有一定的量测容错度，对于上述图案相似的测试图形，CDSEM系统可以根据其中一个测试图形的量测方案(recipe)，来获得与该测试图形具有相似图案的其他测试图形的量测recipe。参考图1，本专利技术采用⑶SEM测试图形方法包括:SI，提供多个测试图形；S2，找出所述多个测试图形中图案相似的测试图形；S3，对多个图案相似的测试图形中的第一测试图形建立量测方案，作为参考量测方案；S4，依次将所述参考量测方案应用于其他图案相似的测试图形。以下结合图2和图3，详细说明本专利技术提供的一种利用关键尺寸扫描电子显微镜测试图形的方法。参考图3，本专利技术采用⑶SEM测试图形的方法包括:步骤S101，提供多个测试图形；如前所述，在采用CDSEM对测试图形进行量测时，存在大量的图形样式相同而尺寸接近的图案，下面步骤将详述如何对这些图案相似的测试图形进行量测。步骤S102，找出所述多个测试图形中图案相似的测试图形，对多个图案相似的测试图形中的每个建立对准图形；参考图2，图2是根据本专利技术实施例的测试图形方法提供的多个图案相似的测试图形，图2仅示意性列举了3个图案相似的测试图形。其中，所述多个图案相似的测试图形之间图案相同，尺寸可以相同或者不同，其中，所谓图案相同指的是测试图形的线条布局相同。且所述多个图案相似的测试图形位于待量测晶片的多个不同位置，上述测试图形即为前述的近似图形。本专利技术实施例中，对多个图案相似的测试图形中的每个建立对准图形，其中，每个对准图形相同，且每个对准图形与其对应的测试图形的相对位置关系相同，如此，可方便后续找到其他具有相似图案的测试图形。可以采用多种方法获得如图2所示的具有对准图形的测试图形，例如，可以通过在光刻工艺中在光罩上添加对准图形，然后经过曝光显影工艺，将光罩上的图形转移到晶片上，该图形形成工艺为本领域所熟知，在此不予赘述。当然，需要了解的是，在光罩上添加对准图形，需要满足上述的对准图形与测试图形之间的位置关系要求。这样，利用关键尺寸扫描电子显微镜进行量测时，晶片上除了有测试图形，还具有对准图形。所述对准图形可以为任何便于识别且方便制作的图形，例如可以是十字形、三角形、矩形、米字形等等。在本实施例中，如图2所示，所述对准图形为十字形。并且，需要了解的是，对于每一个所述图案相似的测试图形而言，每一个对准图形的图案相同，且每一个对准图形与其对应的所述测试图形的相对位置关系也当前第1页1 2 本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种采用CDSEM测试图形的方法，其特征在于，包括：提供多个测试图形；找出所述多个测试图形中图案相似的测试图形；对多个图案相似的测试图形中的第一测试图形建立量测方案，作为参考量测方案；以及依次将所述参考量测方案应用于其他图案相似的测试图形。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：王辉，程仁强，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31