采用CDSEM测试图形的方法技术

本发明专利技术提供了一种采用CDSEM测试图形的方法，其特征在于，包括：提供多个测试图形；找出所述多个测试图形中图案相似的测试图形；对多个图案相似的测试图形中的第一测试图形建立量测方案，作为参考量测方案；依次将所述参考量测方案应用于其他图案相似的测试图形。根据本发明专利技术方案，可以不必对每一个图案相似的测试图形逐一建立量测方案，这样可以节省CDSEM机台进行量测的时间，提高生产效率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体
，尤其涉及一种利用关键尺寸扫描电子显微镜(Critical Dimens1n Scanning Electronic Microscope, CDSEM)测试图形的方法。
技术介绍
目前,在半导体制造过程中，采用关键尺寸扫描电子显微镜(Critical Dimens1nScanning Electronic Microscope, Q)SEM)测量制作在晶片上的图形的关键尺寸。随着半导体制造技术的发展，半导体器件的CD越来越小，为保证光刻后晶片上图形的准确性，经过曝光显影将光罩上的图形转移到晶片上以后，带有图形的晶片会放置在⑶SEM机台上，以确认图形的尺寸是否符合大规模集成电路设计要求，从而了解光刻准确性。基于模型的光学邻近效应修正(0PC, Optical Proximity Correct1n)是通过测试图形(test pattern)来对光刻结果进行校正，在采用⑶SEM对测试图形进行量测时，为了获得光刻工艺性能等结果，需要对大量的图形样式相同而尺寸接近的图案进行量测，在现有技术中，对于这些大量近似的图案，现有技术中针对每一个图案都需要建立一本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种采用CDSEM测试图形的方法，其特征在于，包括：提供多个测试图形；找出所述多个测试图形中图案相似的测试图形；对多个图案相似的测试图形中的第一测试图形建立量测方案，作为参考量测方案；以及依次将所述参考量测方案应用于其他图案相似的测试图形。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：王辉，程仁强，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31