成膜掩模的制造方法技术

技术编号:11756178 阅读:97 留言:0更新日期:2015-07-22 04:14
本发明专利技术包含如下阶段:形成掩模用构件(7),掩模用构件(7)是形成有贯通孔的薄板状的磁性金属构件和树脂制膜紧贴而成的结构;对上述掩模用构件的上述贯通孔内的上述膜照射激光而形成一定深度的标记;以及以上述标记为基准对预定的位置照射激光而形成贯通上述膜的上述开口图案。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】成膜掩模的制造方法
本专利技术涉及由薄板状的磁性金属构件支撑按薄膜图案利用激光加工出多个开口图案的树脂制膜的复合型的成膜掩模的制造方法,特别是涉及使多个开口图案的形成位置精度提高的成膜掩模的制造方法。
技术介绍
在现有的成膜掩模的制造方法中,在金属板上形成具有多个贯通开口的第1抗蚀剂图案,经由上述第1抗蚀剂图案的贯通开口进行蚀刻处理而形成贯通上述金属板的多个开口图案,然后将上述第1抗蚀剂图案除去,在上述金属板上形成具有多个第2贯通开口的第2抗蚀剂图案,上述多个第2贯通开口使上述多个开口图案各自的周围的规定宽度的金属边缘部分别露出,经由上述第2抗蚀剂图案的第2贯通开口进行蚀刻处理,形成上述多个贯通开口各自的周围的掩模主体部和位于该掩模主体部的周围的、具有比掩模主体部的厚度大的厚度的周缘部,然后将上述第2抗蚀剂图案除去(例如参照专利文献1)。现有技术文献专利文献专利文献1:特开2001-237072号公报
技术实现思路
专利技术要解决的问题但是,在这样的现有的成膜掩模的制造方法中,对金属板进行湿式蚀刻处理而形成贯通该金属板的多个开口图案,所以不能利用湿式蚀刻的各向同性精度良好地形成高精细的开口图案。特别是,在一边的长度为数十cm以上的大面积的例如有机EL显示面板用的成膜掩模的情况下,由于蚀刻不均的产生,不能均匀地形成掩模整个面的开口图案。因此,申请人提出了如下复合型的成膜掩模:其是使树脂制成的膜和薄板状的磁性金属构件紧贴而成的,树脂制成的膜按在基板上成膜的薄膜图案形成有形状尺寸与该薄膜图案相同的开口图案,磁性金属构件形成有内涵开口图案的贯通孔。上述复合型的成膜掩模是对厚度为10μm~30μm程度的薄树脂制膜利用激光加工出开口图案而形成的,具有如下优点:能精度良好地形成高精细的开口图案,并且如上所述的大面积的成膜掩模也能遍及掩模整个面均匀地形成开口图案。在该情况下,为了通过对膜进行激光加工而形成开口图案,在开口图案贯通膜时,有可能由于激光L的照射能量的冲击,成膜掩模的包含激光加工部的其周边部分上浮,该部分的位置偏移。因此,在一边使载置成膜掩模的载物台和激光照射光学系统以一定间隔相对地分步移动一边形成多个开口图案的情况下,有可能各开口图案的形成位置偏移。因此,本专利技术针对这样的问题,其目的在于提供使多个开口图案的形成位置精度提高的成膜掩模的制造方法。用于解决问题的方案为了达到上述目的,本专利技术为一种成膜掩模的制造方法,上述成膜掩模是使树脂制成的膜和薄板状的磁性金属构件紧贴而成的复合型的成膜掩模,上述树脂制成的膜与在基板上成膜的薄膜图案对应地形成有形状尺寸与该薄膜图案相同的开口图案,上述磁性金属构件形成有内涵上述开口图案的大小的贯通孔,上述成膜掩模的制造方法包含如下阶段:形成掩模用构件,上述掩模用构件是形成有上述贯通孔的上述磁性金属构件和形成上述开口图案前的树脂制膜紧贴而成的结构;在将上述掩模用构件和形成有基准标记的基准基板对位后,将上述掩模用构件的膜面紧贴到上述基准基板;在上述掩模用构件的上述贯通孔内,对与上述基准基板的上述基准标记对应的上述膜的部分照射激光而形成具有一定形状且一定深度的标记;以及以上述标记为基准对预定的位置照射激光而形成贯通上述膜的上述开口图案。专利技术效果根据本专利技术,事先将成为开口图案的形成目标的标记以较浅的深度形成在膜上,所以上述标记不会由于激光加工的冲击而受到影响,能位置精度良好地形成。而且,即使在标记的位置由于激光加工的冲击而偏移的情况下,也能一边利用摄像装置检测出上述标记而校正标记的位置偏移一边进行开口图案的形成,所以能提高开口图案的形成位置精度。附图说明图1是表示在本专利技术的成膜掩模的制造方法中使用的激光加工装置的实施方式的主视图。图2是表示利用本专利技术的方法所制造的成膜掩模的一构成例的图,(a)是俯视图,(b)是(a)的O-O线截面向视图。图3是表示本专利技术的成膜掩模的制造方法的前工序的说明图。图4是表示本专利技术的成膜掩模的制造方法的中间工序的说明图。图5是表示本专利技术的成膜掩模的制造方法的后工序的说明图。图6是表示利用本专利技术的方法所制造的成膜掩模的变形例。图7是表示利用本专利技术的方法所制造的成膜掩模的另一变形例的图,(a)是俯视图,(b)是截面图。具体实施方式以下基于附图详细说明本专利技术的实施方式。图1是表示用于本专利技术的成膜掩模的制造方法的激光加工装置的实施方式的主视图。该激光加工装置用于按在基板上成膜的薄膜图案在树脂制成的膜中形成形状尺寸与该薄膜图案相同的开口图案,构成为具备XY载物台1、激光装置2、物镜3、掩模4、摄像装置5以及照明装置6。上述XY载物台1载置掩模用构件7,使其向XY方向分步移动,掩模用构件7是使形成有内涵开口图案的大小的贯通孔的磁性金属构件和使可见光透射的树脂制成的膜紧贴而成的,上述XY载物台1具备测量向X、Y方向移动的移动距离的第1激光干涉仪8。详细地,上述XY载物台1使定位地载置于基准基板9上的掩模用构件7与基准基板9一体地分步移动,基准基板9预先形成有成为用于形成上述开口图案的基准的基准标记。在上述XY载物台1的上方配设有激光装置2。该激光装置2用于照射激光L而使膜消融,形成开口图案,激光L是波长为400nm以下的例如KrF248nm的准分子激光、YAG激光的第3谐波或者第4谐波,与光轴正交的截面形状被整形为与薄膜图案相同的形状尺寸,能量密度为1J/cm2~20J/cm2。并且,构成为包含使激光束的尺寸扩展到规定大小的光束扩展器。在上述激光L的光路上与上述XY载物台1相对地设有物镜3。该物镜3用于使激光L在膜上聚敛而对膜进行激光加工,能沿着光轴上下移动地设置,与成像透镜10协作而将后述的掩模4的贯通开口的像缩小投影到膜上,并且将上述基准基板9的基准标记和成为形成于膜上的开口图案的形成目标的后述标记在后述的摄像装置5的受光元件面上成像。另外,在上述物镜3上安装有第2激光干涉仪11,能检测基于使物镜3上下移动的驱动机构的机械精度的物镜3向XY方向的位置偏移量。在上述激光L的光路上,且在上述激光装置2与物镜3之间能装卸地设有掩模4。该掩模4包括:第1掩模4A,其形成有与要形成于膜中的开口图案形状相似的第1贯通开口;以及第2掩模4B,其形成第2贯通开口,第2贯通开口用于形成成为上述开口图案的形成目标的标记,且与该标记形状相似。此外,也可以将上述第1贯通开口和第2贯通开口形成于相同的掩模4上的相互分离的位置,能使掩模4在与XY平面平行的面内滑动移动而切换地使用第1贯通开口和第2贯通开口。在从上述物镜3通过成像透镜10朝向上述掩模4的光路利用半透半反镜12分支的光路上设有摄像装置5。该摄像装置5用于检测设于上述基准基板9的基准标记和形成于膜的标记,是二维CCD相机。并且,物镜3的成像位置和摄像装置5的受光面以及掩模4配置成共轭的关系。在从上述物镜3朝向上述成像透镜10的光路利用半透半反镜13分支的光路上设有照明装置6。该照明装置6用于对设于上述基准基板9的基准标记和形成于膜的标记进行照明而使得能利用摄像装置5检测出上述基准标记和标记,例如是卤素灯等白色光源。接着,对使用这样构成的激光加工装置制造本专利技术的成膜掩模的方法进行说明。最初,对形成掩模用构件7的阶段进行说明,掩模用构件7是本文档来自技高网...
成膜掩模的制造方法

【技术保护点】
一种成膜掩模的制造方法,上述成膜掩模是使树脂制成的膜和薄板状的磁性金属构件紧贴而成的复合型的成膜掩模,上述树脂制成的膜按在基板上成膜的薄膜图案形成有形状尺寸与该薄膜图案相同的开口图案,上述磁性金属构件形成有内涵上述开口图案的大小的贯通孔,上述成膜掩模的制造方法的特征在于包含如下阶段:形成掩模用构件,上述掩模用构件是形成有上述贯通孔的上述磁性金属构件和形成上述开口图案前的树脂制膜紧贴而成的结构;对上述掩模用构件的上述贯通孔内的上述膜照射激光而形成具有一定形状且一定深度的标记;以及以上述标记为基准对预定的位置照射激光而形成贯通上述膜的上述开口图案。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2012.11.15 JP 2012-2509741.一种成膜掩模的制造方法,上述成膜掩模是使树脂制成的膜和薄板状的磁性金属构件紧贴而成的复合型的成膜掩模,上述树脂制成的膜按在基板上成膜的薄膜图案形成有形状尺寸与该薄膜图案相同的开口图案,上述磁性金属构件形成有内含上述开口图案的大小的贯通孔,上述成膜掩模的制造方法的特征在于包含如下阶段:形成掩模用构件,上述掩模用构件是形成有上述贯通孔的上述磁性金属构件和形成上述开口图案前的树脂制膜紧贴而成的结构;在将上述掩模用构件和形成有基准标记的基准基板对位后,将上述掩模用构件的膜面紧贴到上述基准基板;在上述掩模用构件的上述贯通孔内,对与上述基准基板的上述基准标记对应的上述膜的部分照射激光而形成具有一定形状且一定深度的标记;以及以上述标记为基准对预定的位置照射激光而形成贯通上述膜的上述开口图案。2.根据权利要求1所述的成膜掩模的制造方法,其特征在于,在上述磁性金属构件中,由桥分离的多个上述贯通孔排成一列,并且以一定的间距排列着多列,在每个上述贯通孔内形成一个上述开口图案。3.根据权利要求1所述的成膜掩模的制造方法,其特征在于,在上述贯通孔内形成多个上述开口图案。4.根...

【专利技术属性】
技术研发人员:水村通伸
申请(专利权)人:株式会社V技术
类型:发明
国别省市:日本;JP

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