具有末端修饰的抗原结合分子制造技术

本公开涉及包含C端修饰、N端修饰或C+N端修饰的抗原结合结构域(ABD)，其中该C端修饰、N端修饰或C+N端修饰包括添加或缺失至少一个氨基酸残基，使得对ABD添加或缺失至少一个氨基酸残基消除了已存在的抗体与ABD的相互作用而不干扰ABD与其靶标的结合。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】【专利说明】具有末端修饰的抗原结合分子 相关申请 本申请要求2012年9月13日提交的美国临时申请号61/700, 529和2013年3月 15日提交的美国临时申请号61/789, 856的优先权，该美国临时申请号的内容在此W其整 体引入作为参考。
技术介绍
循环中已存在的抗体可W产生于偶发性或职业性暴露于外来蛋白质，感染或接种 后用抗体作为治疗剂，或由于未知原因。 该些已存在的抗体产生与患者的临床表现不一致的错误结果。由于多种内源抗体 中广范围的亲和力和抗体亲抗原性或二者，干扰可变、复杂和不可预测。已存在的抗体不仅 难W识别，而且清除也有问题。由于抗体所产生的现象的变异，确定已存在的抗体的干扰的 确切机制具有挑战性。已存在的抗体可W在一些测定中增加读数，但在其他测定中减小结 果。已存在的抗体可W在一些测定中通过非线性来鉴定，但在其他测定中在系列稀释上显 示完美的线性。来自一些抗体的干扰可W通过市售"封闭试剂"来封闭，但来自其他抗体的 干扰则不然。 因此，存在产生与希望的目的祀标结合但与已存在的抗体具有减少的相互作用或 无相互作用的结合分子的需要。 专利技术概述 本专利技术基于由存在于健康人志愿者血清中的已存在的抗体识别并产生已存在的 免疫应答的几种人Vh和Vi^K单结构域支架C端中的新表位（neoepitope)或新表位样结构 的惊人发现。对该些人Vh和V^单结构域支架的已存在的免疫应答的鉴定是惊人和意外的 发现，因为该些支架源自人来源，而不是合成文库。因此，人们未预期或预测基于该些人衍 生的支架的已存在的免疫应答。此外，通过氨基酸的添加或缺失修饰Vh或V^K单结构域支 架的C端消除了已存在的免疫应答。[000引因此，本公开设及包含C端修饰、N端修饰或C+N端修饰的抗原结合结构域（ABD)， 其中C端修饰、N端修饰或C+N端修饰包括添加或缺失至少一个氨基酸残基，使得对ABD添 加或缺失至少一个氨基酸残基消除了已存在的免疫应答而不干扰A抓与其祀标的结合，例 如，至少一种已存在的抗体与ABD的相互作用而不干扰A抓与其祀标的结合。 在一方面，本公开设及包含C端修饰的抗原结合结构域（ABD)，其中C端修饰包括 添加或缺失至少一个氨基酸残基，使得对A抓添加或缺失至少一个氨基酸残基消除了已存 在的免疫应答而不干扰A抓与其祀标的结合，例如，至少一种已存在的抗体与A抓的相互作 用而不干扰ABD与其祀标的结合。 在一个实施方案中，暴露A抓的C端，使得暴露的C端可用于与已存在的抗体的相 互作用，其中C端修饰减少C端对已存在的抗体的暴露。 在一个实施方案中，C端修饰通过选自W下的机制修饰ABD的C端；通过改变C端 A抓的S维构型使得已存在的抗体不再识别A抓来消除已存在的抗体的相互作用，改变C端 ABD对已存在的抗体的暴露，改变ABD和已存在的抗体之间的空间位阻，破坏C端中的至少 一个构象新表位，及保护ABD的构架中的至少一个新表位。 在一个实施方案中，ABD选自；单链抗体；纳米抗体；包含IgG或HSA与其他 ABD(如单链Fv、纳米抗体或其他小ABD)的融合的多结构域抗体；包含单链、scFv、sdAb、 F油、双抗体、scF油或任意其他A抓的双特异性抗体；或将暴露正常情况下未暴露的N端或 C端序列的Fc融合蛋白。在另一方面，本公开设及包含C端修饰的抗原结合结构域（ABD)， 其中C端修饰包括缺失至少一个氨基酸残基，使得从A抓缺失至少一个氨基酸残基消除了 已存在的抗体与ABD的相互作用而不干扰A抓与其祀标的结合。 在一方面，本公开设及分离的包含C端修饰的单结构域抗体，其中C端修饰包括添 加或缺失至少一个氨基酸残基，使得对单结构域抗体添加或缺失至少一个氨基酸残基消除 了至少一种已存在的抗体与单结构域抗体的相互作用而不干扰单结构域抗体与其祀标的 务主厶台口口〇 在一个实施方案中，暴露单结构域抗体的C端，使得暴露的C端可用于与已存在的 抗体的相互作用，其中C端修饰减少C端对已存在的抗体的暴露。 在一个实施方案中，C端修饰通过选自W下的机制修饰单结构域抗体的C端；通过 改变C端单结构域抗体的=维构型使得已存在的抗体不再识别单结构域抗体来消除已存 在的抗体的相互作用，改变C端单结构域抗体对已存在的抗体的暴露，改变单结构域抗体 和已存在的抗体之间的空间位阻，破坏C端中的至少一个构象新表位，及保护单结构域抗 体的构架中的至少一个新表位。 在一个实施方案中，单结构域抗体包含选自SEQIDNO:8、SEQIDNO:9、SEQID NO: 10、SEQIDNO: 11、SEQIDNO: 12 和SEQIDNO: 13 的人Vh构架支架。在一个实施方案 中，氨基酸残基选自天然存在的氨基酸或非天然存在的氨基酸。在一个实施方案中，C端修 饰包括至少一个氨基酸残基的缺失。在一个实施方案中，C端修饰进一步包括从单结构域 抗体的C端缺失至少一个附加氨基酸残基。在一个实施方案中，C端修饰进一步包括从单 结构域抗体的C端缺失至少两个附加氨基酸残基。在一个实施方案中，C端修饰包括从单 结构域抗体的C端缺失一个氨基酸至=个氨基酸。在一个实施方案中，C端修饰包括缺失 选自Arg、Arg-I"虹、Arg-I"虹-Val、Gly-Gln和Gly-Gln-Pro的氨基酸序列。 在一个实施方案中，单结构域抗体是人vj勾架支架，且C端修饰包括至少一个氨 基酸残基的添加或缺失，其中人Vl是K轻链，其中K轻链的C端W通过Kabat编号确定 的107位的Lys氨基酸残基结束。在一个实施方案中，单结构域抗体是选自SEQIDN0:2 和SEQIDN0:3的人Vj勾架支架。在一个实施方案中，氨基酸残基选自天然存在的氨基酸 或非天然存在的氨基酸残基。在一个实施方案中，C端修饰进一步包括对单结构域抗体的C 端添加或缺失至少一个附加氨基酸残基。在一个实施方案中，C端修饰进一步包括对单结构 域抗体的C端添加或缺失至少两个附加氨基酸残基。在一个实施方案中，C端修饰包括从 VEIK0端序列缺失一个氨基酸至^个氨基酸。在一个实施方案中，(：端修饰包括对￥^^列 VEIK添加一个氨基酸至=个氨基酸，其中附加的氨基酸选自天然或非天然氨基酸残基。在 一个实施方案中，C端修饰包括添加选自Arg、Arg-I"虹、Arg-I"虹-Val、Arg-I"虹-Val-Ala和 Arg-I'虹-Val-Ala-Ala的氨基酸序列。 在一个实施方案中，与不含C端修饰的单结构域抗体相比，C端修饰使已存在的抗 体应答消除至少约10%。 在一个实施方案中，本公开设及编码含有C端修饰的Vh单结构域抗体组合物的核 酸，其中C端修饰包括添加或缺失至少一个氨基酸残基，使得从单结构域抗体添加或缺失 至少一个氨基酸残基消除了至少一种已存在的抗体与单结构域抗体的相互作用而不干扰 单结构域抗体与其祀标的结合；包含该核酸的表达载体；及包含该表达载体的宿主细胞或 生物体。 在一个实施方案中，本公开设及编码分离的含有C端修饰的￥^单结构域抗体的核 酸，其中C端修饰包括添加或缺失至少一个氨基酸残基，使得对单结构域抗体添加或缺失 至少一个氨基酸残基消除了至少一种已存在的抗体与单结构域抗体的相互作用而不干扰 单结构域抗体与其祀标的结合，其中是K本文档来自技高网...

【技术保护点】
分离的包含C端修饰的单结构域抗体，其中C端修饰包括添加或缺失至少一个氨基酸残基，使得对所述单结构域抗体添加或缺失至少一个氨基酸残基消除了至少一种已存在的抗体与所述单结构域抗体的相互作用而不干扰所述单结构域抗体与其靶标的结合。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：A·洛，H·艾伯斯巴赫，
申请(专利权)人：诺华股份有限公司，
类型：发明
国别省市：瑞士;CH