包含多个半导体芯片和层压板的半导体器件制造技术

本发明专利技术涉及包含多个半导体芯片和层压板的半导体器件。一种半导体器件包含层压板、至少部分嵌入在层压板中的第一半导体芯片、安装在层压板的第一主表面上的第二半导体芯片以及布置在层压板的第一主表面上的第一电接触。该第二半导体芯片被电耦合到该第一电接触。

【技术实现步骤摘要】

本公开涉及包含多个半导体芯片和层压板(laminate)的半导体器件。此外，本公开涉及用于制造这样的半导体器件的方法。
技术介绍
半导体器件可以包含可以具有不同类型的一个或多个半导体芯片。此外，半导体器件的设计可以基于层压板。必须不断地改进半导体器件和用于制造半导体器件的方法。改进半导体器件的性能和质量可能是所希望的。特别地，提高集成度并且改进半导体器件的电性能可能是所希望的。【附图说明】附图被包含来提供对方面的进一步理解并且被合并在本说明书中并且构成本说明书的一部分。附图图示方面并且与描述一起用来解释方面的原理。将容易认识到其它的方面和方面的许多预期优点，因为通过参考下面的详细描述它们变得更好理解。附图中的元件不必相对彼此成比例。同样的参考数字可以指定对应类似的部分。图1示意性图示依照本公开的半导体器件的横截面视图。图2示意性图示依照本公开的半导体封装的横截面视图。图3示意性图示依照本公开的半导体器件的横截面视图。图4示意性图示依照本公开的半导体器件的横截面视图。图5示意性图示依照本公开的半导体器件的横截面视图。图6示意性图示依照本公开的半导体器件的横截面视图。图7示意性图示依照本公开的半导体器件的横截面视图。图8示意性图示依照本公开的半导体器件的横截面视图。图9示意性图示依照本公开的半导体器件的横截面视图。图1OA至1D示意性图示用于依照本公开来制造半导体器件的方法的横截面视图。图11图不半桥电路的不意图。【具体实施方式】在下面的详细描述中参考附图，附图形成本文的部分并且在附图中通过图示的方式示出了在其中可以实践本公开的特定方面。在这点上，可以参考正被描述的附图的定向来使用方向术语诸如“顶”、“底”、“前”、“后”等。因为可以以多种不同的定向将所描述的器件的部件定位，所以方向术语可以是为了图示的目的使用的而绝非加以限制。在不脱离本公开的范围的情况下，可以利用其它方面并且可以做出结构的或逻辑的改变。因此，下面的详细描述不要以限制的意义理解，并且本公开的范围由所附权利要求书来限定。如在本说明书中采用的，术语“连接”、“耦合”、“电连接”和/或“电耦合”不意图必定意味着元件必须直接连接或耦合在一起。在“连接”、“耦合”、“电连接”或“电耦合”的元件之间可以提供介入元件。本文描述半导体器件和用于制造半导体器件的方法。与所描述的半导体器件有关而做出的注释也可以适用于对应的方法，并且反之亦然。例如，如果描述了半导体器件的特定部件，则用于制造半导体器件的对应的方法可以包含以合适方式来提供该部件的动作，即使在附图中没有明确描述或图示这样的动作。此外，本文描述的各种示例性方面的特征可以彼此结合，除非特别地另外指明。在本说明书中，术语“半导体器件”和“半导体封装”可以是可交换使用的。特别地，半导体封装可以是包含密封材料的半导体器件，该密封材料可以至少部分密封该半导体器件的一个或多个部件。本文描述的半导体器件可以包含一个或多个半导体芯片。半导体芯片可以具有不同类型并且可以通过不同的技术被制造。例如，半导体芯片可以包含集成电路、电光电路或电机电路、无源电路等。集成电路可以被设计为逻辑集成电路、模拟集成电路、混合信号集成电路、功率集成电路、存储器电路、集成无源电路、微机电系统等。不需要从特定的半导体材料例如S1、SiC, SiGe, GaAs中制造半导体芯片，而且半导体芯片可以含有无机的和/或有机的材料，其不是半导体诸如例如绝缘体、塑料或金属。而且，半导体芯片可以是封装的或未封装的。半导体芯片可以包含一个或多个有源侧面(或有源表面)。半导体芯片的有源侧面可以被定义为含有微电子结构或半导体结构的半导体芯片的物理部分。例如，有源侧面可以包含至少一个半导体结构，特别是二极管、晶体管、熔丝、电阻器、电容器等中的至少一个。特别地，半导体芯片可以包含一个或多个功率半导体。半导体芯片(或功率半导体芯片)可以具有垂直的结构，即该半导体芯片可以被制作使得电流可以以与半导体芯片的主面正交的方向流动。具有垂直结构的半导体芯片可以在它的两个主面之上或在它的两个主面上(即在它的顶侧面和底侧面之上或在它的顶侧面和底侧面上)具有电极。特别地，功率半导体芯片可以具有垂直的结构并且可以在两个主面之上或在两个主面上具有负载电极。例如，垂直功率半导体芯片可以被配置为二极管、功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)、IGBT (绝缘栅双极型晶体管)、JFET (结型栅场效应晶体管)、超级结器件、功率双极型晶体管等。功率MOSFET的源电极和栅电极可以被布置在一面之上或在一面上，而功率MOSFET的漏电极可以被布置在另一面之上或在另一面上。本文描述的半导体器件可以进一步包含半导体芯片或集成电路以控制和/或驱动功率半导体芯片的集成电路。与功率半导体芯片相比，这样的逻辑芯片可以是基于更复杂的架构和设计。 本文描述的半导体器件可以包含具有低引脚数(LPC)的一个或多个半导体芯片。例如，功率半导体芯片如例如功率MOSFET、IGBT、JFET等可以具有低引脚数。特别地，具有低引脚数的芯片可以至少部分被嵌入在半导体器件的层压板中。本文描述的半导体器件可以进一步包含具有高引脚数(HPC)的一个或多个半导体芯片。具有高引脚数的芯片可以特别地至少部分被嵌入在层压板中或可以被布置在半导体器件的层压板的外面，例如在层压板的主表面之上或在层压板的主表面上。例如，逻辑芯片或存储器芯片可以具有高引脚数。通常，具有高引脚数的半导体芯片可以包含比具有低引脚数的半导体芯片更多的引脚或电接触。不同引脚数的半导体芯片可以被配置以在半导体器件的操作期间彼此协作或通信。例如，具有高引脚数的半导体芯片可以被配置以控制和/或驱动具有低引脚数的半导体芯片。半导体芯片可以具有电接触，例如，形式为可以允许与被包含在半导体芯片中的集成电路达成电接触的接触焊盘(或接触元件或接触端子或接触电极)。对于功率半导体芯片的情况，接触焊盘可以对应于栅电极、源电极或漏电极。接触焊盘可以包含一个或多个金属层，该一个或多个金属层可以被施加到半导体材料。可以以任何所希望的几何形状和任何所希望的材料成分来制造该金属层。任何所希望的金属或金属合金，例如铝、钛、金、银、铜、钯、铂、镍、铬、镍钒等中的至少一种，可以被用作为该材料。金属层不需要是同质的或仅从一种材料中被制造，即金属层中含有的各种成分和浓度的材料可以是可能的。本文描述的半导体器件可以包含层压板。该层压板不需要是同质的或仅从一种材料中被制造，即层压板中含有的各种成分和浓度的材料可以是可能的。例如，层压板可以包含环氧树脂、玻璃纤维填充的环氧树脂、玻璃纤维填充的聚合物、酰亚胺、填充或未填充的热塑性聚合物材料、填充或未填充的热固性聚合物材料、填充或未填充的聚合物混合物等中的至少一种。层压板可以被配置来嵌入电子部件例如一个或多个半导体芯片。此外，层压板可以被配置来充当载体，在载体之上或在载体上可以布置或安装电子部件，例如半导体芯片、无源电子部件、有源电子部件、微机电系统(MEMS)等中的至少一个。可以采用各种技术用于制造层压板并且将像半导体芯片的部件嵌入在该层压板中。例如，可以使用压缩成型、注入成型、粉末成型、液体成型、层压等中的至少一种。本文描述的半导本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体器件，包括：层压板；第一半导体芯片，至少部分嵌入在层压板中；第二半导体芯片，安装在层压板的第一主表面上；以及第一电接触，布置在层压板的第一主表面上，其中所述第二半导体芯片被电耦合到所述第一电接触。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：A凯斯勒，P帕尔姆，T沙尔夫，
申请(专利权)人：英飞凌科技奥地利有限公司，
类型：发明
国别省市：奥地利;AT