SRAM芯片引脚焊接不良的检测方法及系统技术方案
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及SRAM芯片检测
，尤其涉及一种SRAM芯片引脚焊接不良的检测方法及系统。
技术介绍
SRAM芯片具有高速和不用刷新等优点，被广泛用于高性能计算机系统。由于半导体工艺技术的提高及存储系统多方面的需要，存储器件日益向高速、高集成度方向发展，在使系统功能更强大的同时，也增加了系统的复杂性，给电路的故障诊断带来了不小困难。存储器的低功耗、小型化、高度集成使得存储器芯片越来越小，导致存储器的管脚间距也越密集，对制造工艺的要求也越来越高，因此，良好的焊接是保证存储器正常、稳定工作的前提。常见的SRAM芯片检测程序包括March算法、Walking算法、GalloPINg算法等，这些算法主要是检测SRAM芯片内部是否有坏块或数据反转的情况，主要用于SRAM芯片厂商自行测试，并非应用于生产阶段，并且不能够解决生产时芯片引脚的焊接情况。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是，针对传统的SRAM芯片检测程序不能检测芯片引脚焊接情况，提供一种SRAM芯片引脚焊接不良的检测方法及系统。本专利技术是这样实现的：一种SRAM芯片引脚焊接不良的检测方法，包括如下步骤：分别通过SRAM芯片的各引脚对该SRAM芯片进行数据读写；如果各引脚读写都正确，则判定该SRAM芯片各引脚焊接良好，如果某一引脚读写错误，则判定该引脚焊接不良。进一步地，所述SRAM芯片的各引脚按其功能被分为控制组...
【技术保护点】
一种SRAM芯片引脚焊接不良的检测方法，其特征在于，包括如下步骤：分别通过SRAM芯片的各引脚对该SRAM芯片进行数据读写；如果各引脚读写都正确，则判定该SRAM芯片各引脚焊接良好，如果某一引脚读写错误，则判定该引脚焊接不良。
【技术特征摘要】
1.一种SRAM芯片引脚焊接不良的检测方法，其特征在于，包括如下步骤：
分别通过SRAM芯片的各引脚对该SRAM芯片进行数据读写；如果各引脚读
写都正确，则判定该SRAM芯片各引脚焊接良好，如果某一引脚读写错误，则判
定该引脚焊接不良。
2.如权利要求1所述的SRAM芯片引脚焊接不良的检测方法，其特征在于，
所述SRAM芯片的各引脚按其功能被分为控制组、高低位组、数据组及地址组；
所述控制组包括使能芯片引脚、输出使能引脚、写入使能引脚和电源引脚；
所述高低位组包括高字节引脚及低字节引脚；
所述数据组包括各I/O引脚；
所述地址组包括各地址引脚；
检测时，依次按照控制组、高低位组、数据组、地址组的顺序进行数据读
写。
3.如权利要求2所述的SRAM芯片引脚焊接不良的检测方法，其特征在于，
包括如下步骤：
步骤A：对SRAM芯片的任意地址写入除低字节或高字节为全0或全1之外
的任何数据并读取该数据，并判断通过各地址读取的数据与写入的数据是否都
相同；如果是，则判定控制组、高低位组、数据组均焊接良好，并跳转到步骤
D，否则跳转到步骤B；
步骤B：判断读取的数据是否为全0或全1，如果是，则判定控制组焊接不
良，否则跳转到步骤C；
步骤C：将读取的数据的高字节及低字节分别与写入的数据的高字节及低
字节比较，如果读取的数据的高字节为全0或全1，则判定高字节引脚焊接不
良，如果读取的数据的低字节为全0或全1，则判定低字节引脚焊接不良，如
果都不是，则跳转到步骤D；
步骤D：通过数据组中各I/O引脚分别写入并读取该数据，并判断读取的
\t数据与写入的数据是否相同，如果通过某一I/O引脚读取的数据与写入的数据
不相同，则判定该I/O引脚焊接不良，如果通过各I/O引脚读取的数据与写入
的数据都相同，则跳转到步骤E；
步骤E：通过地址组中各地址引脚及固定地址0分别写入并读取该数据，
并判断读取的数据与写入的数据是否相同，如果通过某一地址引脚读取的数据
与写入的数据不相同，则判定该地址引脚焊接不良，如果通过各地址引脚读取
的数据与写入的数据都相同，则判定该SRAM芯片各引脚焊接良好。
4.一种SRAM芯片引脚焊接不良的检测系统，其特征在于，所述检测系统
用于分别通过SRAM芯片的各引脚对该SRAM芯片进行数...
【专利技术属性】
技术研发人员：何洪彬，
申请(专利权)人：南昌市科陆智能电网科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江西;36
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