在OLB区绑定引脚的方法技术

本发明专利技术提供一种在OLB区绑定引脚的方法，在OLB区的平坦化层上对应每一引脚单独开孔，后续形成的连接导线通过引脚上方的过孔与引脚进行连接，进而对应的引脚通过连接导线连接在一起，由于连接导线全面覆盖引脚上方的过孔，因此在形成连接导线的过程中不存在在过孔内残留导电材料的问题，相对于现有的在OLB区的平坦化层上大面积开孔的方式，避免了导电材料在平坦化层的过孔底部残留而造成的电路短路及显示不良。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种在OLB区绑定引脚的方法。
技术介绍
主动式薄膜晶体管液晶显示器(ThinFilmTransistor-LCD，TFT-LCD)近年来得到了飞速的发展和广泛的应用。通常液晶显示面板由彩膜基板(CF，ColorFilter)、薄膜晶体管基板(TFT，ThinFilmTransistor)、夹于彩膜基板与薄膜晶体管基板之间的液晶(LC，LiquidCrystal)及密封框胶(Sealant)组成；其工作原理是通过在两片玻璃基板上施加驱动电压来控制液晶层的液晶分子的旋转，将背光模组的光线折射出来产生画面。就目前主流市场上的TFT-LCD显示面板而言，可分为三种类型，分别是扭曲向列(TwistedNematic，TN)或超扭曲向列(SuperTwistedNematic，STN)型，平面转换(In-PlaneSwitching，IPS)型、及垂直配向(VerticalAlignment，VA)型。电视的液晶显示屏幕受限于尺寸过大，一般使用的是VA模式的显示技术，少部分使用IPS显示模式。在液晶显示面板的制作过程中，已经形成薄膜晶体管的基板上需要覆盖一层有机膜(PFA)作为平坦化层(Planarization，PLN)，以改变下层膜表面的平整性，防止电场互相干扰，平坦化层通常为感旋光材料。普通的VA显示模式，无论是PVA，MVA，或者HVA都不会使用到有机膜来起到平坦化的作用，但是如果是VA显示技术和其他技术相结合，则可能使用到有机膜来实现平坦化。而IPS显示模式是需要使用到有机膜来起到平坦化作用的。液晶显示面板在正常显示时，需要使用COF(chiponfilm，覆晶薄膜)通过引线连接到面板的外引脚贴合(OuterLeadBonding，OLB)区域，从而使得集成于COF上IC的信号通过OLB区导通到面板中。具体的，如图1所示，该OLB区包括衬底基板、形成于衬底基板上的数个并列排布的第一引脚110、形成于所述衬底基板及数个第一引脚110上的栅极绝缘层、形成于所述栅极绝缘层上的与数个第一引脚110相对设置的数个第二引脚120、形成于所述栅极绝缘层及数个第二引脚120上的钝化层、及形成于钝化层上的平坦化层200；在制作过程中，首先，将平坦化层200在对应OLB区上的部分全部挖掉，在平坦化层200上形成一空白区210，然后如图2所示，然后在基板上形成ITO导电层并图案化，得到数个连接导线130，每一连接导线130在空白区210内把第一引脚110与第二引脚120连接在一起，之后用于和COF上的金属针状引脚(pin)连接在一起，从而使得集成在COF上IC的信号通过OLB区传到显示屏。其中对ITO导电层进行图案化处理的具体实施步骤为：在ITO导电层上涂覆光阻，通过一道光罩对所述光阻进行曝光、显影，形成光阻图形，然后以剩余的光阻为遮挡，对所述ITO导电层进行蚀刻，并剥离剩余的光阻，得到数个连接导线130。然而由于平坦化层200的厚度较大，在空白区210的边缘具有一定的斜坡(taper)角度，所以在对ITO导电层进行图案化的曝光工序后，会在空白区210的taper角的地方有一定的光阻残留，最后会导致在taper角的地方会有ITO残留131，如图2所示，该ITO残留131会使得金属走线之间连接在一起而短路。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种在OLB区绑定引脚的方法，改善平坦化层在OLB区的过孔设计，避免因光阻材料残留而导致过孔底部的导电材料残留，进而因此造成的电路短路及显示不良。为实现上述目的，本专利技术提供一种在OLB区绑定引脚的方法，包括如下步骤：步骤1、提供一TFT基板，所述TFT基板包括显示区、及OLB区；所述OLB区包括衬底基板、形成于衬底基板上的数个并列排布的第一引脚、形成于所述衬底基板及数个第一引脚上的栅极绝缘层、形成于所述栅极绝缘层上的与数个第一引脚对应设置的数个第二引脚、及形成于所述栅极绝缘层及数个第二引脚上的钝化层；步骤2、在所述TFT基板上涂布形成一层有机膜，得到平坦化层；步骤3、在所述平坦化层、钝化层、及栅极绝缘层上对应每一第一引脚的上方形成至少一个第一过孔，在所述平坦化层及钝化层上对应每一第二引脚的上方形成至少一个第二过孔；步骤4、在所述平坦化层上形成导电层，对所述导电层进行图案化处理，得到对应数个第一引脚及数个第二引脚的数个连接导线，每一连接导线通过第一过孔与对应的第一引脚相连接，通过第二过孔与对应的第二引脚相连接，从而将相对应的第一引脚与第二引脚相连接。所述步骤2中形成的有机膜为光阻材料。所述步骤2中形成的有机膜的厚度为1.5-3.5μm。所述步骤3中对应每一第一引脚的上方形成一个第一过孔，对应每一第二引脚的上方形成一个第二过孔。所述步骤3中对应每一第一引脚的上方形成两个第一过孔，对应每一第二引脚的上方形成两个第二过孔。所述栅极绝缘层及钝化层的材料均为氮化硅。所述步骤3具体包括以下实施步骤：步骤31、提供一光罩，所述光罩包括分别对应数个第一过孔及数个第二过孔的第一图案及第二图案，利用该光罩对所述平坦化层进行曝光、显影，对应所述第一图案及第二图案在所述平坦化层上形成数个有机膜过孔；步骤32、以平坦化层为遮蔽层，对所述栅极绝缘层及钝化层进行蚀刻，得到第一过孔及第二过孔。所述步骤4中形成的导电层的材料为ITO。所述步骤4对所述导电层进行图案化处理包括采用湿法蚀刻制程对所述导电层进行蚀刻。所述连接导线用于连接覆晶薄膜芯片。本专利技术的有益效果：本专利技术的在OLB区绑定引脚的方法，在OLB区的平坦化层上对应每一引脚单独开孔，后续形成的连接导线通过引脚上方的过孔与引脚进行连接，进而对应的引脚通过连接导线连接在一起，由于连接导线全面覆盖引脚上方的过孔，因此在形成连接导线的过程中不存在在过孔内残留导电材料的问题，相对于现有的在OLB区的平坦化层上大面积开孔的方式，避免了导电材料在平坦化层的过孔底部残留而造成的电路短路及显示不良。附图说明为了能更进一步了解本专利技术的特征以及
技术实现思路
，请参阅以下有关本发明的详细说明与附图，然而附图仅提供参考与说明用，并非用来对本专利技术加以限制。附图中，图1为现有一种在OLB区绑定引脚的方法中在平坦化层上对应OLB区大面积开孔的示意图；图2为在图1的OLB区形成连接导线的示意图；图3为本专利技术在OLB区绑定引脚的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种在OLB区绑定引脚的方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1、提供一TFT基板，所述TFT基板包括显示区、及OLB区；所述OLB区包括衬底基板(11)、形成于衬底基板(11)上的数个并列排布的第一引脚(12)、形成于所述衬底基板(11)及数个第一引脚(12)上的栅极绝缘层(13)、形成于所述栅极绝缘层(13)上的与数个第一引脚(12)相对设置的数个第二引脚(14)、及形成于所述栅极绝缘层(13)及数个第二引脚(14)上的钝化层(15)；步骤2、在所述TFT基板上涂布形成一层有机膜，得到平坦化层(16)；步骤3、在所述平坦化层(16)、钝化层(15)、及栅极绝缘层(13)上对应每一第一引脚(12)的上方形成至少一个第一过孔(51)，在所述平坦化层(16)及钝化层(15)上对应每一第二引脚(14)的上方形成至少一个第二过孔(52)；步骤4、在所述平坦化层(16)上形成导电层，对所述导电层进行图案化处理，得到对应数个第一引脚(12)及数个第二引脚(14)的数个连接导线(17)，每一连接导线(17)通过第一过孔(51)与对应的第一引脚(12)相连接，通过第二过孔(52)与对应的第二引脚(14)相连接，从而将相对应的第一引脚(12)与第二引脚(14)相连接。...

【技术特征摘要】
1.一种在OLB区绑定引脚的方法，其特征在于，包括如下步骤：
步骤1、提供一TFT基板，所述TFT基板包括显示区、及OLB区；
所述OLB区包括衬底基板(11)、形成于衬底基板(11)上的数个并列
排布的第一引脚(12)、形成于所述衬底基板(11)及数个第一引脚(12)
上的栅极绝缘层(13)、形成于所述栅极绝缘层(13)上的与数个第一引脚
(12)相对设置的数个第二引脚(14)、及形成于所述栅极绝缘层(13)及数
个第二引脚(14)上的钝化层(15)；
步骤2、在所述TFT基板上涂布形成一层有机膜，得到平坦化层
(16)；
步骤3、在所述平坦化层(16)、钝化层(15)、及栅极绝缘层(13)
上对应每一第一引脚(12)的上方形成至少一个第一过孔(51)，在所述平
坦化层(16)及钝化层(15)上对应每一第二引脚(14)的上方形成至少一
个第二过孔(52)；
步骤4、在所述平坦化层(16)上形成导电层，对所述导电层进行图案
化处理，得到对应数个第一引脚(12)及数个第二引脚(14)的数个连接导
线(17)，每一连接导线(17)通过第一过孔(51)与对应的第一引脚
(12)相连接，通过第二过孔(52)与对应的第二引脚(14)相连接，从而将
相对应的第一引脚(12)与第二引脚(14)相连接。
2.如权利要求1所述的在OLB区绑定引脚的方法，其特征在于，所述
步骤2中形成的有机膜为光阻材料。
3.如权利要求2所述的在OLB区绑定引脚的方法，其特征在于，所述
步骤2中形成的有机膜的厚度为1.5-3.5μm。
...

【专利技术属性】
技术研发人员：叶岩溪，林永伦，
申请(专利权)人：深圳市华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44