具有多圈引脚排列的QFN的制造方法技术

本发明专利技术公开了具有多圈引脚排列的QFN的制造方法。制造形成的具有多圈引脚排列的QFN的芯片载荷和引脚无需基于事先制作成型的引线框架，而是在封装工艺过程中，有机结合电镀和蚀刻方法形成具有台阶结构的芯片载体和引脚，独立的芯片载体和引脚在封装工艺过程中由配置的绝缘填充材料提供机械支撑和保护，采用绝缘填充材料和塑封材料进行二次包覆密封，制造形成的具有多圈引脚排列的QFN具有高的I/O密度和良好的可靠性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体元器件制造
，尤其涉及到高I/O密度的四边扁平无引脚封装件的制造方法。
技术介绍
随着电子产品如手机、笔记本电脑等朝着小型化，便携式，超薄化，多媒体化以及满足大众化所需要的低成本方向发展，高密度、高性能、高可靠性和低成本的封装形式及其组装技术得到了快速的发展。与价格昂贵的BGA等封装形式相比，近年来快速发展的新型封装技术，即四边扁平无引脚QFN (Quad Flat Non一lead Package)封装，由于具有良好的热性能和电性能、尺寸小、成本低以及高生产率等众多优点，引发了微电子封装
的一场新的革命。图1A和图1B分别为传统无台阶式结构设计的QFN封装结构的背面示意图和沿1-1剖面的剖面示意图，该QFN封装结构包括引线框架11，塑封材料12，粘贴材料13，IC芯片14，金属导线15，其中引线框架11包括芯片载体111和围绕芯片载体111四周排列的引脚112，IC芯片14通过粘贴材料13固定在芯片载体111上，IC芯片14与四周排列的引脚112通过金属导线15实现电气连接，塑封材料12对IC芯片14、金属导线15和引线框架11进行包封以达到保护和本文档来自技高网...

【技术保护点】
具有多圈引脚排列的QFN的制造方法，包括以下步骤：（a）采用曝光显影方法，在金属基材下表面形成具有窗口的掩膜材料层；（b）采用电镀方法在金属基材下表面掩膜材料层的窗口中制作外芯片载体和外引脚；（c）采用电镀或者化学镀方法在外芯片载体和外引脚的表面制作第一金属材料层；（d）移除金属基材下表面的掩膜材料层，形成凹槽；（e）采用注塑或者丝网印刷方法在外芯片载体与外引脚之间、外引脚与外引脚之间的凹槽中配置绝缘填充材料；（f）采用蚀刻方法减薄金属基材的厚度；（g）采用电镀或化学镀方法在减薄后的金属基材上表面制作第二金属材料层；（h）采用蚀刻方法形成具有台阶结构的芯片载体和引脚，芯片载体包括内芯片载体和外...

【技术特征摘要】
1.具有多圈引脚排列的QFN的制造方法，包括以下步骤 Ca)采用曝光显影方法，在金属基材下表面形成具有窗口的掩膜材料层； (b)米用电镀方法在金属基材下表面掩膜材料层的窗口中制作外芯片载体和外引脚； (c)采用电镀或者化学镀方法在外芯片载体和外引脚的表面制作第一金属材料层； Cd)移除金属基材下表面的掩膜材料层，形成凹槽； (e)采用注塑或者丝网印刷方法在外芯片载体与外引脚之间、外引脚与外引脚之间的凹槽中配置绝缘填充材料； Cf)采用蚀刻方法减薄金属基材的厚度； (g)采用电镀或化学镀方法在减薄后的金属基材上表面制作第二金属材料层； (h)采用蚀刻方法形成具有台阶结构的芯片载体和引脚，芯片载体包括内芯片载体和外芯片载体，引脚包括内引脚和外引脚； (i)通过粘贴材料将IC芯片配置于内芯片载体或内引脚表面的第二金属材料层上； (J)IC芯片上的多个键合焊盘通过金属导线分别连接至内弓I脚和内芯片载体配置的第二金属材料层上； (k)采用注...

【专利技术属性】
技术研发人员：秦飞，夏国峰，安彤，刘程艳，武伟，朱文辉，
申请(专利权)人：北京工业大学，
类型：发明
国别省市：