一种压焊块制作方法及压焊块技术

本发明专利技术公开了一种压焊块制作方法及压焊块，涉及半导体工艺技术，本发明专利技术实施例提供的压焊块制作方法中，在刻蚀掉芯片的压焊块区域的钝化层后，在芯片上淀积金属层，并通过粘性薄膜去除压焊块区域外的金属层，保留压焊块区域的金属层，从而增加了压焊块金属的厚度。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体工艺技术，尤其涉及一种压焊块制作方法及压焊块。
技术介绍
键合是半导体芯片封装工艺流程中比较重要的步骤之一，键合过程是采用引线将芯片的压焊块和封装体上的电极引脚进行电连接；在键合过程中，将引线定位在芯片的压焊块位置并施加一定压力，使得引线和压焊块形成键合结构；键合过程中施加的压力越大，芯片的压焊块承受的压力也就越大，当键合过程中施加的压力大于压焊块所能承受的压力时，会导致压焊块被压坏。键合用的引线或是金线或是铝线或是铜线，其中铜线由于低电阻率、高热导率、价格低等优势，正在逐渐取代金线和铝线。但是，铜线的硬度比较高，而且铜线容易被氧化，因此铜线在键合时需要更大的压力，所以使用铜线时，对压焊块的承压能力的要求则高于使用金线和铝线时对压焊块承压能力的要求。压焊块的表面结构是金属，压焊块的金属厚度越大，其所能承受的键合压力也就越大，所以增大压焊块的金属厚度，是防止压焊块在键合过程中被压坏的有效方法，尤其是满足铜线键合要求的有效方法。目前，可以采取增加芯片制造工艺中顶层金属厚度的方法，达到增加压焊块金属厚度的目的；但是，在实际操作中，顶层金属需要经过金属淀积、光刻、金属刻本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种压焊块制作方法，其特征在于，包括：在刻蚀掉芯片的压焊块区域的钝化层(4)后，在所述芯片上淀积金属层(5)，所述在压焊块区域淀积的金属层(5)的厚度小于所述压焊块区域外的钝化层(4)与钝化层(4)上的光刻胶的厚度之和；去除所述压焊块区域外的金属层(5)；去除所述钝化层(4)上的光刻胶。

【技术特征摘要】
1.一种压焊块制作方法，其特征在于，包括 在刻蚀掉芯片的压焊块区域的钝化层(4)后，在所述芯片上淀积金属层(5)，所述在压焊块区域淀积的金属层(5)的厚度小于所述压焊块区域外的钝化层(4)与钝化层(4)上的光刻胶的厚度之和； 去除所述压焊块区域外的金属层(5)； 去除所述钝化层(4)上的光刻胶。2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述钝化层(4)上的光刻胶具体为 压焊块区域外的钝化层(4)上用于刻蚀钝化层(4)的光刻胶；或者 去除所述压焊块区域外的钝化层(4)上用于刻蚀钝化层(4)的光刻胶后，重新在所述压焊块区域外的钝化层(4)上设置的光刻胶。3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述芯片上淀积金属层(5)前，还包括 烘焙所述芯片。4.如权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述钝化层(4)上的...

【专利技术属性】
技术研发人员：潘光燃，
申请(专利权)人：北大方正集团有限公司，深圳方正微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：