【技术实现步骤摘要】
一种ITO膜磁控溅射磁悬浮车靶均匀加热装置
本专利技术涉及IT0膜加热装置,尤其是一种IT0膜磁控溅射磁悬浮车靶均匀加热装 置。
技术介绍
IT0透明导电膜即掺杂铟锡氧化物薄膜,简称IT0薄膜,是Indium Tin Oxide的缩 写。IT0薄膜是一种n型半导体材料,其具有许多优异的物理、化学性能,例如较高的可见光 透过率和导电率,与大部分衬底具有良好的附着性,较强的硬度及良好的抗酸、碱及有机溶 剂能力,因此,被广泛应用于光电器件中。比如:液晶显示器(IXD),等离子显示器(PDP),电 极放光显示器(EL/0LED),触摸屏,太阳能电池及其他电子仪表中。 目前,IT0薄膜的制备方法很多,常见的有:喷涂法、真空蒸发法、化学气相沉积、 反应离子注入以及磁控溅射等。在这些制备方法中,目前磁控溅射法是用的最普遍的。由 于磁控溅射具有良好的可控性和易于获得大面积均匀的薄膜,因此被广泛应用于显示器件 中IT0薄膜的制备。磁控溅射制备IT0薄膜,主要是利用直流(DC)电源在Ar溅射气体和充 分氧化Ar/(V混合气体中产生等离子体,对In-Sn合金靶或In 203, Sn02氧化物靶或陶瓷靶进 行轰击,以便在各种衬底上获得IT0薄膜。在制备工艺条件如靶中锡含量、沉积速率、衬底 温度、溅射功率、及后续退火处理,都对IT0薄膜的光电特性有极大的影响;但是,现有的技 术在玻璃衬底上低温制备IT0薄膜光学性能差,薄膜氧化不完全,结构不完整;尤其在对不 同种温度条件下的IT0薄膜晶体结构和电阻,不能准确有效的调节控制温度来控制电阻的 均匀性,降低了 ...
【技术保护点】
一种ITO膜磁控溅射磁悬浮车靶均匀加热装置,是由:连续性真空磁控溅射镀膜设备室(1),真空室温控门(2),真空门加热器(3),真空门均温加热器(3‑1),磁控溅射磁悬浮车靶装置(4),真空墙体上加热器(5),真空墙体中间加热器(6),真空墙体下加热器(7),真空室温控后墙体(8),钐钴磁铁装置(9)构成;其特征在于:连续性真空磁控溅射镀膜设备室(1)的一侧设置真空室温控门(2),另一侧设置真空室温控后墙体(8);真空室温控后墙体(8)与真空室温控门(2)之间对应设置磁控溅射磁悬浮车靶装置(4),磁控溅射磁悬浮车靶装置(4)上方对应设置钐钴磁铁装置(9)。
【技术特征摘要】
1. 一种ITO膜磁控溅射磁悬浮车靶均匀加热装置,是由:连续性真空磁控溅射镀膜设 备室(1),真空室温控门(2),真空门加热器(3),真空门均温加热器(3-1),磁控溅射磁悬浮 车靶装置(4),真空墙体上加热器(5),真空墙体中间加热器¢),真空墙体下加热器(7),真 空室温控后墙体(8),钐钴磁铁装置(9)构成;其特征在于:连续性真空磁控溅射镀膜设备 室(1)的一侧设置真空室温控门(2),另一侧设置真空室温控后墙体(8);真空室温控后墙 体(8)与真空室温控门(2)之间对应设置磁控溅射磁悬浮车靶装置(4),磁控溅射磁悬浮车 靶装置(4)上方对应设置钐钴磁铁装置(9)。2. 根据权利要求1所述的一种ITO膜磁控溅射磁悬浮车靶均匀加热装置,其特征在于: 真空室温控门(2) -侧设置至少一列真空门加热器(3),每列真空门加热器(3)横向均布设 置为至少三个;且每列真空门加热器(3)的两侧分别竖向设置至少一个真空门均温加热器 (3-1) 〇3. 根据权利要求2所述的一种ITO膜磁控溅射磁悬浮车靶均匀加热装置,其特征在于: 真空室温控门(2) -侧设置两列真空门加热器(3),每列真空门加热器(3)横向均布设置为...
【专利技术属性】
技术研发人员:谭华,秦遵红,王恋贵,董安光,
申请(专利权)人:洛阳康耀电子有限公司,
类型:新型
国别省市:河南;41
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